脉冲功率技术能够在较小的空间内对目标物进行瞬时高能放电,在一些特殊场所下可以替代传统的火药完成对岩石的爆破。脉冲功率技术的核心是脉冲功率开关器件,反向开关负阻晶体管(RSD)是一种新型的脉冲功率开关器件,具有通流能力强、开关...脉冲功率技术能够在较小的空间内对目标物进行瞬时高能放电,在一些特殊场所下可以替代传统的火药完成对岩石的爆破。脉冲功率技术的核心是脉冲功率开关器件,反向开关负阻晶体管(RSD)是一种新型的脉冲功率开关器件,具有通流能力强、开关速度快、工作寿命长等特点。介绍了一种基于RSD的百兆瓦级脉冲功率组件的设计过程及其在岩石爆破中的应用,验证了脉冲功率技术替代传统火药的可能性。该脉冲功率组件外形尺寸为1 m×0.8 m×1.8 m,测试结果表明其输出脉冲电压不小于5 k V,脉冲电流不小于50 k A,脉冲能量不小于100 k J,峰值功率不小于200 MW,采用1 m3的混凝土构件模拟爆破对象,获得了较好的爆破效果。展开更多
利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并...利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并对不同生产厂家的产品辐照结果进行了比较。结果表明:电子辐照可将晶体管的V(BR)CEO提高约30 V,对V(BR)CBO影响较小,辐照后的器件在200℃以下击穿电压热稳定性好,满足贴片封装及高温贮存实验要求,辐照工艺可作为V(BR)CEO不合格芯片的一种补救方法。并在理论上对辐照效应进行了讨论和分析。展开更多
文摘脉冲功率技术能够在较小的空间内对目标物进行瞬时高能放电,在一些特殊场所下可以替代传统的火药完成对岩石的爆破。脉冲功率技术的核心是脉冲功率开关器件,反向开关负阻晶体管(RSD)是一种新型的脉冲功率开关器件,具有通流能力强、开关速度快、工作寿命长等特点。介绍了一种基于RSD的百兆瓦级脉冲功率组件的设计过程及其在岩石爆破中的应用,验证了脉冲功率技术替代传统火药的可能性。该脉冲功率组件外形尺寸为1 m×0.8 m×1.8 m,测试结果表明其输出脉冲电压不小于5 k V,脉冲电流不小于50 k A,脉冲能量不小于100 k J,峰值功率不小于200 MW,采用1 m3的混凝土构件模拟爆破对象,获得了较好的爆破效果。
文摘利用1.5 Me V Dynamitron电子加速器,在常温常压下通过改变电子注量和注量率等辐射参数对双极型开关晶体管晶圆芯片进行辐照处理,在厌氧条件下进行了不同温度不同气氛的退火实验,研究了不同辐照条件和退火工艺对器件击穿特性的影响,并对不同生产厂家的产品辐照结果进行了比较。结果表明:电子辐照可将晶体管的V(BR)CEO提高约30 V,对V(BR)CBO影响较小,辐照后的器件在200℃以下击穿电压热稳定性好,满足贴片封装及高温贮存实验要求,辐照工艺可作为V(BR)CEO不合格芯片的一种补救方法。并在理论上对辐照效应进行了讨论和分析。
