功率晶体管的一种过流保护电路 被引量：2

1

作者 钟炎平 李宏斌 高玉良 《电子技术应用》 北大核心 1996年第11期62-63,共2页

在各种电力电子装置中,最关键的部件是大功率开关器件,所以保护电路设计的好坏直接关系到整个装置设计的成败.对于某一具体装置,设计针对各种情况的全方位保护措施一般是没有必要的.因为这将使系统变得复杂,反而降低系统的可靠性.必须... 在各种电力电子装置中,最关键的部件是大功率开关器件,所以保护电路设计的好坏直接关系到整个装置设计的成败.对于某一具体装置,设计针对各种情况的全方位保护措施一般是没有必要的.因为这将使系统变得复杂,反而降低系统的可靠性.必须根据装置的具体使用环境,设计最有效的保护电路.一般说来,在各种保护措施中,过流保护较为典型,且具有较广泛的保护性.本文针对目前使用广泛的大功率晶体管(GTR)在应用中容易发生过流损坏的情况,提出了一种过流保护电路.该电路通过检测集电极电压来识别过流,控制电路将过流信号进行处理,在判断过流时,提前结束该管的触发信号,使GTR迅速关断;在长时间过流时,能自动停机保护. 展开更多

关键词 功率晶体管 过流保护电路 设计

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用图解法综合优化设计场限环结构 被引量：1

2

作者 张华曹 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1999年第3期57-58,53,共3页

依据主结电压、空间电荷层宽度与环间距、环宽度和表面电压的关系，提出了用图解法设计场限环结构参数的方法。其中考虑了ＳｉＯ２、柱面结、球面结等击穿电压对参数确定的限制。该方法具有简单明确、综合性、实用性强等特点。

关键词 图解法 优化设计 场限环结构 功率晶体管 GTR

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高输入阻抗达林顿晶体管的优化设计 被引量：1

3

作者 张华曹 《西安理工大学学报》 CAS 1998年第4期388-393,共6页

提出了ＶＤＭＯＳ和双极晶体管复合而成的达林顿功率晶体管结构和工艺参数的优化设计方法，建立了设计模型。经验证设计结果和实验结果基本吻合。该研究对开发此类器件具有参考价值。

关键词 高输入阻抗 晶体管 优化设计 功率晶体管

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GAT的优化设计分析

4

作者 庄宝煌 黄美纯 +1 位作者 朱梓忠 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期29-36,共8页

通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》... 通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型即《GAT栅屏蔽效应二维解析模型》、《GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析》以及《GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析》,定量研究了优化设计 GAT的材料参数和结构参数的关系。 展开更多

关键词 功率器件 联栅晶体管 优化设计 电力半导体器件 GAT

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电力晶体管GTR驱动电路设计 被引量：1

5

作者 成新明 甘正佳 《湖南电力》 2000年第3期22-25,共4页

介绍了大功率晶体管驱动电路的设计方法 ,并对 GTR损坏的原因进行了分析。

关键词 GTR 基极驱动电路 设计 电力晶体管

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GTR模块驱动电路—M57215BL使用技巧

6

作者 葛锁良 张兴 《电气自动化》 北大核心 1999年第2期60-60,58,共2页

介绍了GTR模块专用驱动电路—M57215BL的应用电路,指出了实际应用时所遇到的一些问题及其解决方法。

关键词 功率晶体管模块 驱动电路 GTR M57215BL

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垂直MOS功率器件的结构设计 被引量：1

7

作者 范月珍 苏德海 +1 位作者 薜煌 高成国 《微处理机》 1991年第1期1-9,共9页

本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工... 本文以理论分析为依据,对垂直导电型功率器件,即 VDMOS 晶体管的结构进行优化设计。特别对高压器件的元胞形状、尺寸、导通电阻、终端保护结构、工艺参数等进行了合理设计,并在工艺上验证了400~V-2~A 及600~V-5~A 两种器件的设计。对工艺流程中出现的问题亦进行了相应的分析解决,获得合格的样品及一套完整的 展开更多

关键词 VDMOS 功率晶体管 结构 设计

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硅微波功率晶体管内匹配设计技术研究 被引量：1

8

作者 王小平 王长河 崔恩录 《半导体情报》 1997年第3期10-17,共8页

着重论述了硅微波功率晶体管内匹配网络的设计方法，对内匹配网络的功率均分特性、带宽特性，增益性能做了分析研究。在上述基础上，通过优化设计。

关键词 内匹配网络 微波功率晶体率 功率 带宽 晶体管

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射频功率晶体管发射极宽度的设计研究 被引量：3

9

作者 杜行尧 石林初 +4 位作者 吕文生 石一心 肖志红 吴毅 吴敏 《微电子技术》 2000年第6期31-36,共6页

本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点，通过计算有效发射区宽度Ｓｅｆｆ，提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计方法。作为应用实例，给出了工作频率分别为３０ＭＨｚ、１０８ＭＨｚ、４４ＭＨｚ和１０００ＭＨｚ四个系列产... 本文以发射极电流集边效应理论的精确解为出发点，通过计算有效发射区宽度Ｓｅｆｆ，提出了射频功率晶体管发射极宽度的设计方法。作为应用实例，给出了工作频率分别为３０ＭＨｚ、１０８ＭＨｚ、４４ＭＨｚ和１０００ＭＨｚ四个系列产品的发射极宽度优化设计的典型数据。 展开更多

关键词 射频功率晶体管 发射极 电流集边效应 有效发射区宽度

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一种GTR逆变器缓冲电路及优化设计

10

作者 程斌 宁廷群 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1991年第3期3-9,共7页

关键词 功率晶体管 逆变器 缓冲电路 设计

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VMOS高频功率晶体管的设计与制造

11

作者 陈福元 章婉珍 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1991年第2期60-64,共5页

关键词 功率晶体管 设计 制造 MOS

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功率晶体管的散热设计

12

作者 蒋维芳 《杭州电子技术》 1999年第3期4-9,共6页

关键词 功率晶体管 散热 设计 晶体管

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射频功率管标准单元设计与应用研究

13

作者 杜行尧 吴毅 《微电子技术》 1996年第1期30-34,共5页

本文首次提出了硅双极射频功率晶体管采用标准单元的设计思想，并通过对400MHz系列产品的标准单元设计与应用研究，表明了设计思路是正确可行的，它对产品性能优化和开展系列化产品设计以及促进标准化、现代化管理具有较高的实用和推广... 本文首次提出了硅双极射频功率晶体管采用标准单元的设计思想，并通过对400MHz系列产品的标准单元设计与应用研究，表明了设计思路是正确可行的，它对产品性能优化和开展系列化产品设计以及促进标准化、现代化管理具有较高的实用和推广价值。 展开更多

关键词 功率晶体管 射频功率管 标准单元 设计

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3～5km无线通信用高频功率晶体管的设计方案

14

作者 高正新 《微电子技术》 2000年第6期25-30,共6页

本文通过对 ３～５ｋｍ无绳电话和对讲机要求的分析，介绍了一种工作于１７５ＭＨｚ的高频功率晶体管的设计参数选择、物理参数选择、版图设计、组装方式及可靠性设计的方法。

关键词 高频功率晶体管 设计方案 无线通信

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低压VD MOS大功率晶体管设计及其优化

15

作者 王开 刘俐 +1 位作者 封晴 王立模 《微电子技术》 1996年第6期20-23,共4页

本文着重分析了低压超大电流VDMOS所要解决的技术关健点，并做了深入地理论分析，包括超大流下电流容量、元胞结构、终端结构及相应外延参数等的选取，以获得尽可能大的电流容量和极小的导通电阻、以及较优的耐压性能，最终对一个电流约... 本文着重分析了低压超大电流VDMOS所要解决的技术关健点，并做了深入地理论分析，包括超大流下电流容量、元胞结构、终端结构及相应外延参数等的选取，以获得尽可能大的电流容量和极小的导通电阻、以及较优的耐压性能，最终对一个电流约30A，耐压约60V的芯片进行了流水试验，并获得满意的使用效果。 展开更多

关键词 VDMOS 大功率晶体管 设计

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高压功率晶体管的纵向结构设计

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作者 孔德平 张本袁 《上海微电子技术和应用》 1995年第2期34-36,共3页

本文给出高压功率晶体管的纵向结构设计，可以为器件的工艺设计提供依据，以及选择实施的工艺方案。

关键词 功率晶体管 结构 设计

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P波段100W（CW）硅大功率平衡晶体管的设计

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作者 牛晓青 张海平 《半导体情报》 1994年第4期17-21,共5页

本文介绍了采用网状发射极图形结构、浓硼扩散发射极镇流电阻以及用输入端内部网络匹配和平衡结构器件组装形式研制出的硅大功率器件，该器件在２２５～４００ＭＨｚ频率下输出功率１００Ｗ，增益７．５ｄＢ，效率５５％。

关键词 平衡晶体管 硅 大功率晶体管

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VVMOS FET功率管的设计和关键工艺

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作者 陈秀娟 《电子与仪表》 1989年第1期31-33,共3页

关键词 功率管 VVMOS-FET 晶体管

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