一种高速高压NPN管的研制 被引量：1

1

作者 张正元 龙绍周 +1 位作者 刘建华 张庆中 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第5期350-353,共4页

把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝... 把Ｎｉｎｇ－Ｔａｎｇ测试发射极电阻的方法进行扩展，用来测试多晶发射极界面氧化层电阻，作发射极界面氧化层电阻与多晶硅发射极晶体管退火的优化实验，获得退火的优化工艺条件，并由此成功地研制出ＢＶＣＥＯ≥３０Ｖ，ＢＶＣＢＯ＝７５Ｖ，ｆＴ＝２ＧＨｚ，β＝１８０的多晶硅发射极晶体管。用扩展电阻ＳＳＭ１５０型测多晶硅发射极晶体管的纵向杂质分布，得出多晶硅发射极晶体管的单晶发射区结深为５０ｎｍ，基区结深为２００ｎｍ。 展开更多

关键词 半导体器件 半导体工艺 多晶硅发射极 NPN晶体管

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制造工艺对三极管特性的影响分析与工艺控制实践研究

2

作者 倪振文 刘昆山 欧青立 《湘潭矿业学院学报》 1999年第4期27-31,共5页

三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性－ 通过产品统计分析与实验研究，找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、ＣＥ 反向击穿电压、ＣＢ 反向击穿电压漂移等特性参数不确定甚至失效的原因，并提出了工艺控制改善措... 三极管生产工艺过程直接影响三极管的质量和特性－ 通过产品统计分析与实验研究，找出三极管漏电流异常变化、放大倍数、饱和电压、ＣＥ 反向击穿电压、ＣＢ 反向击穿电压漂移等特性参数不确定甚至失效的原因，并提出了工艺控制改善措施，进而提高了产品的可靠性和稳定性－图２ ，表１ ，参５－ 展开更多

关键词 三极管特性 漏电流Iceo 工艺控制 制造工艺

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检测氧化硅厚度的简易方法

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作者 陈福元 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期44-45,共2页

介绍一种应用光的干涉原理测量二氧化硅及有关介质厚度的简易实用方法,具有方便、直观和简化设备的特点。

关键词 晶体管 工艺 氧化硅 厚度 测量

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WSi栅耗尽型高电子迁移率晶体管制作

4

作者 陈定钦 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期47-49,共3页

用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０... 用国产ＭＢＥ调制掺杂材料研制了具有难熔金属硅化物（ＷＳｉ）栅的耗尽型高电子迁移率晶体管器件。这种低噪声器件的栅长和栅宽分别为１．２～１．５μｍ和２×１６０μｍ。制作该器件的材料的电子迁移率，在３００Ｋ温度下为６０８０ｃｍ２·Ｖ－１ｓ－１，７７Ｋ时为６８０００ｃｍ２·Ｖ－１·ｓ－１。二维电子密度（ｎｓ）为９×１０１１ｃｍ－２。源与漏的触点使用ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕ通过蒸发技术制作，为减小触点电阻，在５２０℃的温度下放在氢气环境中合金３ｍｉｎ。ＷＳｉ栅器件的室温跨导为１１０～１３０ｍＡ／Ｖ。可用于通信卫星的３．８３ＧＨｚ及雷达接收机的１．５ＧＨｚ频道。它的噪声系数约为２－３ｄＢ。 展开更多

关键词 半导体器件 WSi栅 制造工艺

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等平面和金属剥离工艺在低电容高可靠晶体管生产中的应用 被引量：1

5

作者 邢素贤 程足捷 王中文 《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1997年第2期46-50,共5页

本文描述了一种等平面工艺和金属剥离技术在低电容、高可靠晶体管生产中的实际应用．通过采用这两种工艺，不仅使得晶体管输出电容减小１４％，也使可靠性明显提高．

关键词 等平面工艺 金属剥离 晶体管 电容 制备

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单电子晶体管及其SPM加工方法

6

作者 郑丽芬 刘庆纲 胡小唐 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期9-12,共4页

在电子技术领域,高度集成化是人们不断追求的目标,纳米电子器件迎合了人们的这种需要,将逐步取代微电子器件成为芯片的主要单元。单电子器件以其高效、高功能、高速、低耗(可在常温下工作)、高集成化及经济可靠等优点受到了人们的广泛... 在电子技术领域,高度集成化是人们不断追求的目标,纳米电子器件迎合了人们的这种需要,将逐步取代微电子器件成为芯片的主要单元。单电子器件以其高效、高功能、高速、低耗(可在常温下工作)、高集成化及经济可靠等优点受到了人们的广泛重视。纳米电子器件具有纳米量级,因而许多科研人员都致力于寻求一种良好的加工方法。SPM电场诱导氧化方法以其简单性和低成本越来越受到人们的广泛重视。主要介绍了单电子晶体管(SET)的结构及基本原理,着重介绍了大气状态下用SPM电场诱导氧化加工的制作原理。 展开更多

关键词 单电子晶体管 SPM 加工方法 场诱导氧化

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湿氮退火改善晶体管表面特性——提高小电流下β

7

作者 梁永林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期35-38,共4页

本文对湿氮退火改善晶体管表面特性,特别是提高小电流下β进行了论述,并对工艺作了较详细的探讨.

关键词 晶体管 表面特性 湿氮 退火

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三极管管座成形工艺及模具设计

8

作者 孙耀彤 《模具工业》 1991年第12期8-12,共5页

对于三极管A3-02-Z_1(即原B3-D)类管座的成形工艺,虽然国内各管壳生产厂的工艺大同小异,但因成形工艺和模具结构不同,所以质量差异也十分明显。如何在提高管座质量前提下,选择最佳的成形工艺及模具是各厂共同关心的问题。

关键词 三极管 管座 成形 模具 工艺 设计

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基于门阵的宏单元自动生成技术及其应用

9

作者 王以锋 洪先龙 +1 位作者 蔡懿慈 薛宏熙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第7期430-437,共8页

基于门阵列的宏单元(Gate-Array-Based Macrocell)库是门阵自动设计系统不可分割的一部分,并对其设计效率和设计成功率有着重要影响.Gmacro是清华大学计算机系设计开发的门阵自动设计系统(MALS)中的一个工具,用以实现一层半、双层金属C... 基于门阵列的宏单元(Gate-Array-Based Macrocell)库是门阵自动设计系统不可分割的一部分,并对其设计效率和设计成功率有着重要影响.Gmacro是清华大学计算机系设计开发的门阵自动设计系统(MALS)中的一个工具,用以实现一层半、双层金属CMOS门阵宏单元从门级结构描述到版图的自动综合.本文将针对Gmacro的构造及其中采用的技术,尤其是版图综合中的算法等做一较详细的介绍. 展开更多

关键词 晶体管 门阵 自动化 设计 版图

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电子束预辐射筛选抗辐射晶体管工艺的初步研究

10

作者 林茂清 林锡刚 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第10期625-630,共6页

介绍了用电子束预辐射损伤法研究晶体管抗β射线损伤能力的工作。研究经预辐射损伤的晶体管在不同电子束能量、束流密度及不同时间下进行退火处理后性能的恢复能力，为“预辐射损伤－辐射退火”筛选抗辐射晶体管工艺提供了一定的理论和... 介绍了用电子束预辐射损伤法研究晶体管抗β射线损伤能力的工作。研究经预辐射损伤的晶体管在不同电子束能量、束流密度及不同时间下进行退火处理后性能的恢复能力，为“预辐射损伤－辐射退火”筛选抗辐射晶体管工艺提供了一定的理论和实验依据。 展开更多

关键词 晶体管 电子束 辐射损伤 退火 抗辐射工艺

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TO—220芯片钎焊设备和工艺

11

作者 吴晨 杨润生 《红讯半导体》 1991年第1期14-21,共8页

关键词 钎焊 钎焊设备 工艺 晶体管 芯片

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晶闸管阴极面光刻版图的CAD

12

作者 徐爱萍 徐静平 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1997年第A02期78-80,共3页

论述晶闸管阴极面光刻版图的计算机辅助设计问题，以短路点的弧状排列为例，讨论了绘制版图的基本思想和方法，提出了优化图形排列、例版图面积最动态方法和“穿针引线”法，在讨论三管芯图形的基础上，成功地推广到多管芯版图设计与绘制。

关键词 晶闸管 CAD 光刻版图 阴极面

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磷吸杂工艺条件的确定

13

作者 唐穗生 《汕头科技》 1999年第3期55-56,共2页

本文通过试验，确定了晶体管芯片制造过程中的磷吸杂工艺，方块电阻要求为６～８Ω／□（欧姆／方块）的工艺条件，并对有关的影响因素进行了分析，提出了解决的途径。

关键词 磷吸杂工艺 晶体管芯片 制造过程 晶体管

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Au—Ga组分与烧结质量相关性研究

14

作者 谢嘉慧 王继春 《山东半导体技术》 1993年第1期1-2,共2页

关键词 烧结 相关性 Au-Ga合金 质量

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BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

15

作者 鲍荣生 《半导体情报》 2001年第2期31-36,共6页

采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻... 采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其 β值。最后建议采用广义的 SPC使 展开更多

关键词 纵向晶体管 广义SPC BICMOS工艺

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烧结条件对晶体管电热参数的控制作用 被引量：1

16

作者 王华 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第2期39-41,共3页

本文通过对烧结过程的分析,着重论述了烧结条件对晶体管热阻的控制作用,并由实验得到了使大功率晶体管DU33热阻最小的最佳烧结条件;同时也简要论述了烧结条件对晶体管抗热疲劳性能及饱和压降的控制作用.

关键词 晶体管 焊接 烧结 电热参数 控制

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晶体三极管外引线断裂原因分析 被引量：1

17

作者 周振凯 赵兰君 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期38-41,共4页

晶体管外引线材料一般是4J29,即Ni29、Co18可伐合金。管座可伐丝规格为φ0.45mm或φ0.5mm,通常管座先镀一层镍再镀一层金作为保护层。即使如此,三极管外引线还经常出现锈蚀、裂纹、甚至断裂。近年来,我厂镀金三极管外引线出现这种情况... 晶体管外引线材料一般是4J29,即Ni29、Co18可伐合金。管座可伐丝规格为φ0.45mm或φ0.5mm,通常管座先镀一层镍再镀一层金作为保护层。即使如此,三极管外引线还经常出现锈蚀、裂纹、甚至断裂。近年来,我厂镀金三极管外引线出现这种情况有所增加,为了探讨三极管外引线断裂原因,以便采取措施,减少和杜绝这种现象,我们曾进行了系统地分析研究,从宏观到微观、从表面到内部,对锈蚀、裂纹部位进行了比较仔细地分析检验。综合分析认为外引线断裂主要来自材质以及电镀不良所致。 展开更多

关键词 晶体管 引线 断裂 分析

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脉冲无氰电镀凸点银电报 被引量：4

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作者 黄明珠 李澄 《电子工艺简讯》 1989年第11期2-4,共3页

关键词 无氰电镀 脉冲电镀 银电报

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φ300mm/0.18μm的光刻工艺及设备 被引量：2

19

作者 翁寿松 《电子工业专用设备》 1999年第1期1-5,共5页

综述了３００ｍｍ／０１８μｍＣＤ对光刻工艺的要求以及光刻设备的发展。

关键词 圆片 CD 光刻工艺 设备 芯片 晶体管

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用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管 被引量：2

20

作者 王军 杨晓智 《半导体情报》 2001年第2期40-42,共3页

论述了 SIPOS钝化的原理、生产 SIPOS晶体管的工艺步骤 。

关键词 SIPOS 掺氧多晶硅 平面高压技术 高压晶体管

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