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磷吸杂工艺条件的确定

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摘要本文通过试验，确定了晶体管芯片制造过程中的磷吸杂工艺，方块电阻要求为６～８Ω／□（欧姆／方块）的工艺条件，并对有关的影响因素进行了分析，提出了解决的途径。

作者唐穗生

机构地区汕头华汕电子器件公司

出处《汕头科技》 1999年第3期55-56,共2页 Shantou Sci-Tech

关键词磷吸杂工艺晶体管芯片制造过程晶体管

分类号 TN320.5 [电子电信—物理电子学]

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汕头科技

1999年第3期

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