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氮化镓(多晶硅)异质结势垒肖特基二极管的载流子传输机制研究
1
作者 薛文文 丁继洪 +2 位作者 张彦文 黄伟 张卫 《电子与封装》 2025年第9期81-87,共7页
P型多晶硅(Poly-Si)与GaN形成的异质结势垒肖特基二极管能够改善传统宽禁带半导体功率二极管正向导通与反向阻断特性难以兼顾的问题。为研究器件在不同工作状态下的物理机制,通过实验与机理分析,探究了该器件在-80~+80℃的正反向特性与... P型多晶硅(Poly-Si)与GaN形成的异质结势垒肖特基二极管能够改善传统宽禁带半导体功率二极管正向导通与反向阻断特性难以兼顾的问题。为研究器件在不同工作状态下的物理机制,通过实验与机理分析,探究了该器件在-80~+80℃的正反向特性与载流子输运机制。研究结果表明,其载流子输运机制与GaN/Poly-Si界面缺陷状态有关。正向偏压低于0.5 V时,高温区(-20~80℃)以多隧道捕获-发射为主导,低温区(-80~-40℃)则以热电子发射为主;在0.5~0.9 V时F-N隧穿为主要机制。反向偏压下,低于50 V时势垒降低效应占主导,高于50 V时则以陷阱辅助的空间电荷受限机制为主。 展开更多
关键词 异质结势垒肖特基二极管 氮化镓 多晶硅 陷阱辅助
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多孔硅与聚乙烯咔唑复合光电性能研究 被引量:4
2
作者 赵毅 杨德仁 +1 位作者 周成瑶 阙端麟 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期507-509,共3页
用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑 (PVK)的复合 ,研究了多孔硅 PVK复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现 ,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰。此外 ,在 4 85nm的位置出现了一个新峰 ,讨论了这个峰的来源。Ⅰ Ⅴ特性测... 用旋涂法实现了多孔硅与聚乙烯咔唑 (PVK)的复合 ,研究了多孔硅 PVK复合体系的光学性能和电学性能。PL谱的测试发现 ,复合体系的PL同时具有多孔硅和PVK的峰。此外 ,在 4 85nm的位置出现了一个新峰 ,讨论了这个峰的来源。Ⅰ Ⅴ特性测试表明 ,多孔硅 PVK异质结与多孔硅相比 ,Ⅰ Ⅴ曲线呈现更好的整流特性 。 展开更多
关键词 多孔硅 聚乙烯咔唑 PVK 光电性能 PL谱 光电子领城 整流特性 旋涂法 发光二极管
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小面积PN结的光电特性 被引量:3
3
作者 尹长松 黄黎蓉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第9期674-676,共3页
用P型硅材料制作了小面积NP结光电二极管,测试了二极管的光电特性.若按杂质扩散区的受光面积计算,在同样的光照下,小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的100倍以上.究其原因,在于杂质扩散区周边一... 用P型硅材料制作了小面积NP结光电二极管,测试了二极管的光电特性.若按杂质扩散区的受光面积计算,在同样的光照下,小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的100倍以上.究其原因,在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内,光生载流子对光电流的贡献.因此,当杂质扩散区为一个点时,光敏感区的面积趋于恒定值πL,有效光吸收区体积趋于(ZπL)/3. 展开更多
关键词 PN结 光电特性 硅光电二极管 二极管
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超低压ESD保护器件设计与工艺研究 被引量:3
4
作者 淮永进 韩郑生 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期445-448,共4页
介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低... 介绍了一种新颖的超低压保护器件的工作原理、结构特点,并进行了器件结构模拟。结合理论分析与模拟仿真得到超低压1.8~5 V的ESD保护器件系列模型。经过设计与工艺验证,制作出了非常吻合模拟结果的超低压器件,该系列器件具有工作电压低、电容小、漏电小的特点。由于采用新型复合型穿通结构及单片低温减压外延工艺,器件的电参数一致性非常理想,在高速数据线的保护电路中成功地得到应用。 展开更多
关键词 超低压保护器件 静电放电 模拟 复合型穿通结构 瞬态电压抑制器
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高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照性能的研究 被引量:4
5
作者 杭德生 《南京大学学报(自然科学版)》 CSCD 1995年第1期45-50,共6页
对高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照试验结果进行了对比分析研究.实验研究结果表明:掺金器件有最佳的VF~TRR折衷曲线,但高温特性却最差;掺铂器件有最佳的高温特性,但VF~TRR折衷曲线却最差;全面衡量器件各参... 对高频二极管掺金、掺铂和12MeV电子辐照试验结果进行了对比分析研究.实验研究结果表明:掺金器件有最佳的VF~TRR折衷曲线,但高温特性却最差;掺铂器件有最佳的高温特性,但VF~TRR折衷曲线却最差;全面衡量器件各参数,12MeV电子辐照最有利于器件参数的最佳化.据此,提出了不同类型的高频二极管少子寿命控制技术的优选方案. 展开更多
关键词 电子辐照 高频二极管 少子寿命 掺金 掺铂
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低温传感器DT-470应用研究 被引量:2
6
作者 冯欣宇 《国外电子测量技术》 2014年第1期69-73,共5页
Lake Shore公司生产的低温传感器以其高精度、高可靠性、高准确度的优良性能,广泛应用于核物理、空间设备、低温制冷、科学研究等领域。介绍了性价比较高的DT-470低温传感器,从其测温原理、曲线拟合、封装、校准、测量电路及安装等方面... Lake Shore公司生产的低温传感器以其高精度、高可靠性、高准确度的优良性能,广泛应用于核物理、空间设备、低温制冷、科学研究等领域。介绍了性价比较高的DT-470低温传感器,从其测温原理、曲线拟合、封装、校准、测量电路及安装等方面进行了说明。提出了一种20K以下温度的高精度测量方法,弥补了Pt1000在低温区测量不准的缺陷。将DT470应用于低温泵产品,测量双级G-M制冷机冷头温度,得到了制冷机二级冷头稳定工作时的温度数据,为低温泵再生操作提供了准确的温度标准。 展开更多
关键词 低温传感器 DT-470 应用研究 低温泵
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非晶硅碳薄膜发光二极管的研究现状及趋势 被引量:1
7
作者 周亚训 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期214-220,共7页
扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管(α-SiCx:HTFLED)及其研究现状,简单地阐述了当前存在的问题,详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗,并预期着其... 扼要地介绍了非晶硅碳薄膜可见光发光二极管(α-SiCx:HTFLED)及其研究现状,简单地阐述了当前存在的问题,详细地评述了非晶硅碳薄膜发光二极管的发展方向──提高发光亮度、实现彩色显示、大面积化和低热耗,并预期着其有潜在的应用前景。 展开更多
关键词 非晶硅碳 发光二极管 发光亮度
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YAG激光诱导硅光二极管产生等离子体的研究
8
作者 倪晓武 陆建 贺安之 《应用科学学报》 CAS CSCD 1995年第2期159-162,共4页
作者就调Q-YAG激光诱导硅PIN结构二极管产生等离子体的理论和实验进行了研究,首次得到了激光诱导硅光二极管产生等离子体的M-Z干涉图及有关的计算结果。
关键词 硅光二极管 PIN结 等离子体 干涉测量 激光诱导
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M-PS-S结构的V-I特性及其优化
9
作者 刘刚 谢基凡 +1 位作者 于军 介晓瑞 《华中理工大学学报》 CSCD 北大核心 1998年第1期85-87,共3页
选用n-,p-和p+三种半导体硅材料作为衬底,通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜;在PS/S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线,形成了M-PS-S二极管结构;在外加直流偏置电压下分别测量它们的V-I特性,得出了不同的V-I... 选用n-,p-和p+三种半导体硅材料作为衬底,通过电化学腐蚀方法分别形成PS薄膜;在PS/S膜上再淀积一层具有一定图形的铝金属膜并焊接引线,形成了M-PS-S二极管结构;在外加直流偏置电压下分别测量它们的V-I特性,得出了不同的V-I特性曲线;V-I特性都具有整流效应.根据对所得特性的理论分析.论述了材料、工艺和结构等因素对M-PS-S特性的影响.并提出了优化设计的方法,以改善M-PS-S结构的特性,实现其在发光、敏感等方面的应用。 展开更多
关键词 伏安特性 优化 M-PS-S结构 硅二极管
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金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构的电子辐照效应
10
作者 张建新 刘俊星 李洪武 《红外技术》 CSCD 北大核心 2008年第4期234-237,共4页
金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013~1×1014 cm-2的电子束作为辐照源。实验... 金属-二氧化硅-半导体(MOS)结构对于SiO2-Si界面非常敏感,能够方便地反映出氧化层电荷、界面态密度等参数。为了研究MOS结构的电子辐照效应,采取了能量为0.8 MeV,辐照剂量范围为2×1013~1×1014 cm-2的电子束作为辐照源。实验发现,MOS结构经电子辐照后,在SiO2-Si界面处引入界面态,并且在二氧化硅内部积累正电荷。通过对MOS结构在电子辐照前后高、低频C-V曲线的测试,测试出辐照在氧化层引入的界面态密度达到了1014 cm-2eV-1,而积累的正电荷面密度达到了1012 cm-2。同时得到了界面态密度和积累电荷密度与辐照剂量的关系。 展开更多
关键词 MOS结构 电子辐照 界面态密度 氧化层电荷
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高能电子辐照硅阻尼二极管t_(rr)的稳定性研究 被引量:5
11
作者 杭德生 《半导体杂志》 1994年第2期5-8,共4页
本文研究结果表明:电子辐照硅阻尼二极管trr的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。
关键词 电子辐照 二极管 稳定性
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温度对La_(0.8)Ca_(0.2)MnO_3/Si异质结的整流特性的影响
12
作者 王磊 杨渭 +1 位作者 贾兴涛 王世红 《青岛大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期57-60,共4页
采用磁控溅射制备了LCMO/Si异质结,研究了异质结在不同温度以及低磁场下的电学特性。分析表明该p-n结在80-300K温度范围内具有很好的整流特性,并且随着温度升高,内建电势随之降低,整流效果有所提高。结电阻对低磁场敏感,0.3T的... 采用磁控溅射制备了LCMO/Si异质结,研究了异质结在不同温度以及低磁场下的电学特性。分析表明该p-n结在80-300K温度范围内具有很好的整流特性,并且随着温度升高,内建电势随之降低,整流效果有所提高。结电阻对低磁场敏感,0.3T的磁场下,磁电阻可达到42%。通过改变电压可以对磁电阻进行调节。 展开更多
关键词 P-N结 镧钙锰氧 磁电阻
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1N4626型齐纳二极管的低噪声关键技术研究
13
作者 刘兴辉 刘通 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期478-481,共4页
分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(... 分析了二极管的噪声机理和降低噪声的措施,探索了低噪声齐纳二极管的特殊制作工艺,包括Si平面结加保护环、掺氯缓慢升降温氧化、CVD表面钝化、凸点电镀等。用此组合降噪工艺研制的1N4626型齐纳二极管噪声谱密度典型值达到0.11μV/(Hz)^(1/2)(2kHz频率点),比设计指标4.0μV/(Hz)^(1/2)低一个数量级。 展开更多
关键词 齐纳二极管 噪声 表面钝化 凸点电镀 保护环
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硅二极管I-V特性及二次击穿计算
14
作者 余稳 蔡新华 《常德师范学院学报(自然科学版)》 2000年第3期31-33,共3页
利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反... 利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。 展开更多
关键词 硅二极管 I-V特性 二次击穿 时域有限差分
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纳米硅二极管的电输运特性 被引量:4
15
作者 刘明 余明斌 +1 位作者 何宇亮 江兴流 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期72-74,共3页
用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10-3~10-1Ω-1cm-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定... 用PECVD法在Si衬底上沉积了纳米硅(nc-Si:H)薄膜,其室温暗电导可达10-3~10-1Ω-1cm-1,高于本征单晶硅的电导,将其制成遂道二极管,其I-V曲线在77K呈现出量子台阶,对这一新颖物理现象进行了定性解释. 展开更多
关键词 量子点 共振隧穿 量子台阶 纳米 硅二极管
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用现代MOS场效应管开关与碳化硅二极管构成的小型功率模块可获得高频、紧凑的三相正弦输入整流器
16
作者 袁海斌(译) 刘鹿生(校) 《电力电子》 2007年第6期32-36,共5页
本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功... 本文阐述以小型、低电感的功率模块,获得紧凑的电源系统的优点。为了提高工作频率和达到最高效率,本功率器件集成了现代工艺的超结MOSFET器件和最新SiC(碳化硅)二极管。作为示范,苏黎世ETH电力电子系统实验室开发了一个10KW输出功率,功率密度高达8.5kW/l(85W/cm3),高效率和嵌入功率模块中的一个6-开关维也纳整流器。 展开更多
关键词 功率模块 硅二极管 MOS场效应管 整流器 碳化硅 开关 紧凑 MOSFET器件
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硅光电二极管飞秒激光损伤的实验研究 被引量:5
17
作者 罗福 辛建婷 +1 位作者 李玉同 李英骏 《应用激光》 CSCD 北大核心 2003年第6期345-347,共3页
对 6 0飞秒 80 0nm激光辐照下硅PIN光电二极管的信号饱和、损伤及失效进行了实验测量。实验得到硅PIN光电二极管的失效阈值为 1.2J/cm2 ,损伤阈值比失效阈值低一个量级。飞秒脉冲辐照后 ,存在 10 -4s量级的饱和时间 ,辐照后对信号光的... 对 6 0飞秒 80 0nm激光辐照下硅PIN光电二极管的信号饱和、损伤及失效进行了实验测量。实验得到硅PIN光电二极管的失效阈值为 1.2J/cm2 ,损伤阈值比失效阈值低一个量级。飞秒脉冲辐照后 ,存在 10 -4s量级的饱和时间 ,辐照后对信号光的响应在短时间内出现不规则变化 ,在长时间内随脉冲能量密度增大而降低。 展开更多
关键词 激光辐照 硅光电二极管 信号饱和 损伤 失效阈值 飞秒激光
原文传递
硅二极管对高功率微波的非线性响应计算 被引量:3
18
作者 余稳 蔡新华 +1 位作者 周传明 方中华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期324-326,共3页
考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素 ,利用自行研制的半导体器件模拟程序 m PND1 D,对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算 ,结果显示出硅二极管对微波信号响应的非线性。
关键词 非线性响应 高功率微波 硅二极管
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硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究 被引量:3
19
作者 张建新 陈永平 梁平治 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第1期83-85,共3页
为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能... 为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果。辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600nm^800nm)基本不衰减。另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍。实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著。结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关。 展开更多
关键词 光电子学 钝化膜 电子辐照 抗辐射
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静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析 被引量:3
20
作者 吴东岩 谭志良 +1 位作者 谢鹏浩 马立云 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第30期8916-8920,8927,共6页
为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从分析器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程... 为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从分析器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结;另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同。对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。 展开更多
关键词 晶体管 静电放电 MEDICI 仿真 损伤
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