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高能电子辐照硅阻尼二极管t_(rr)的稳定性研究
被引量:
5
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摘要
本文研究结果表明:电子辐照硅阻尼二极管trr的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。
作者
杭德生
机构地区
南京大学物理系
出处
《半导体杂志》
1994年第2期5-8,共4页
关键词
电子辐照
二极管
稳定性
分类号
TN315.2 [电子电信—物理电子学]
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半导体杂志
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