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高能电子辐照硅阻尼二极管t_(rr)的稳定性研究 被引量:5

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摘要 本文研究结果表明:电子辐照硅阻尼二极管trr的稳定性取决于辐照电子能量和热处理条件。
作者 杭德生
机构地区 南京大学物理系
出处 《半导体杂志》 1994年第2期5-8,共4页
  • 相关文献

参考文献1

  • 1杭德生.12MeV电子辐照技术在功率开关二极管制造工艺中的应用[J]电子工艺技术,1986(10).

同被引文献17

引证文献5

二级引证文献8

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