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低温共烧陶瓷叠层精度控制研究
1
作者 淦作腾 慕鑫 +1 位作者 王杰 魏紫轩 《微纳电子技术》 2025年第7期131-136,共6页
随着微波类陶瓷封装外壳向高集成化和小型化方向发展,低温共烧陶瓷(LTCC)的生产对叠层精度控制的要求变得更高,尤其是直径50μm微孔陶瓷外壳的批产。为解决此类问题,对低温共烧陶瓷外壳加工过程中的叠层工艺进行优化,系统研究了销钉板... 随着微波类陶瓷封装外壳向高集成化和小型化方向发展,低温共烧陶瓷(LTCC)的生产对叠层精度控制的要求变得更高,尤其是直径50μm微孔陶瓷外壳的批产。为解决此类问题,对低温共烧陶瓷外壳加工过程中的叠层工艺进行优化,系统研究了销钉板相关参数(销钉数量、销钉布局及销钉形状)对叠层精度的影响。结果表明:通过调整销钉数量和优化销钉布局能够显著提高50μm微孔的叠层精度,采用8孔销钉板可将传统销钉板的Ⅰ类叠层精度(错位距离<25μm)的成品占比由35.25%提升至72.38%;使用尖头形状的销钉,Ⅰ类叠层精度的成品占比进一步提升至92.54%,且互连孔之间无断开现象。该研究对多层陶瓷在高密度布线产品中的应用有指导意义。 展开更多
关键词 低温共烧陶瓷(LTCC) 叠层精度 工艺优化 销钉板 错位距离
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非晶态碲化汞薄膜的光电特性研究 被引量：5
2
作者 余连杰 史衍丽 +3 位作者 邓功荣 李雄军 杨丽丽 何雯瑾 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第4期190-194,共5页
利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞(HgTe)薄膜材料,以He-Ne激光器(hv=1.96 eV,λ=632.8 nm)作为激励光源,在80～300 K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电导σp以及光敏性σp/σd的特性,分析了载... 利用射频磁控溅射方法在宝石衬底上制备了非晶态碲化汞(HgTe)薄膜材料,以He-Ne激光器(hv=1.96 eV,λ=632.8 nm)作为激励光源,在80～300 K温度范围内,研究了非晶态HgTe薄膜的暗电导σd、稳态光电导σp以及光敏性σp/σd的特性,分析了载流子的导电和复合机制。实验发现,在80～300 K温度范围内,非晶态HgTe薄膜的暗电导和稳定态光电导均具有热激活特性。暗电导存在2个温区:在低温区(80 K≤T≤180 K),激活能约15 meV;在高温区(180 K<T≤300 K),激活能约400 meV。稳定态光电导则存在明显的3个温区:(1)当80 K≤T≤180 K时,光电导具有弱的热激活特性(激活能约20 meV);(2)当180 K<T≤280 K时,光电导具有强烈的热激活特性(激活能约120 meV);(3)当T>280 K时,光电导出现"热淬灭"效应。在温度约280 K时,光电导具有最大值,而光敏性则在约180 K时具有最大值。非晶态HgTe薄膜中存在两种导电机制:定域态电导和扩展态电导,180 K两种导电机制的温度分界点。研究结果表明,非晶态HgTe薄膜很适合制备高工作温度(约180 K)红外探测器。 展开更多
关键词 非晶态碲化汞 光电导 暗电导 热激活 热淬灭
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快速光热退火制备多晶硅薄膜 被引量：5
3
作者 张宇翔 卢景霄 +5 位作者 杨仕娥 王海燕 陈永生 冯团辉 李瑞 郭敏 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期128-130,154,共4页
用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短。用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量。对部分样品的照射光做了滤波... 用等离子体增强型化学气相沉积先得到非晶硅薄膜,再用卤钨灯照射的方法对其进行快速光热退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统退火相比,退火时间大大缩短。用XRD衍射谱、暗电导率和拉曼光谱等手段对其进行了测量。对部分样品的照射光做了滤波,滤掉了波长600 nm以下的光,发现这对晶化及晶粒尺寸都有一定的影响。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 快速光热退火 固相晶化
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ITO:Mo透明导电薄膜的制备 被引量：4
4
作者 张春伟 王书昶 +2 位作者 刘振华 刘拥军 何军辉 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第1期111-114,共4页
利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及... 利用通过固相烧结法得到的自制靶材,采用脉冲激光沉积法(PLD)在不同的衬底温度下沉积得到薄膜。通过XRD对它们的晶体结构进行分析,对薄膜断面进行扫描,测量其薄膜厚度。利用四探针法和霍尔效率测试仪,分别对薄膜的电阻率和载流子浓度及迁移率进行测量和分析。最后,用分光光度计对薄膜的透光率进行测量和分析,并计算了薄膜的禁带宽度。结果表明,在500℃下沉积的薄膜综合性能最好,电阻率可达2.611×10-4Ω.cm,透光率在90%以上,禁带宽度为4.29eV。 展开更多
关键词 ITO∶Mo 透明导电薄膜 PLD TCO
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氢化非晶硅的红外光谱及氢释放的研究 被引量：3
5
作者 李牧菊 杨柏梁 +4 位作者 朱永福 袁剑峰 刘传珍 廖燕平 吴渊 《液晶与显示》 CAS CSCD 1999年第3期193-198,共6页
用等离子体增强化学气相淀积（ Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ Ｓｉ∶ Ｈ）并进行了退火实验， 利用红外吸收光谱（ Ｉ Ｒ）和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象， 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ｔ... 用等离子体增强化学气相淀积（ Ｐ Ｅ Ｃ Ｖ Ｄ）制备了氢化非晶硅薄膜（ａ Ｓｉ∶ Ｈ）并进行了退火实验， 利用红外吸收光谱（ Ｉ Ｒ）和金相显微镜研究薄膜中的氢含量及退火前后的脱氢现象， 得出材料组成及热稳定性对衬底温度 Ｔｓ 和射频功率 Ｐｒｆ 的依赖关系。 展开更多
关键词 非晶硅 化学气相淀积 红外光谱 氢释放
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高温共烧陶瓷层间对位精度提升研究 被引量：2
6
作者 王杰 淦作腾 +4 位作者 马栋栋 程换丽 刘曼曼 刘洋 段强 《微纳电子技术》 2025年第4期160-164,共5页
当前微孔互连工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺技术,高密度陶瓷封装外壳的埋层孔径已达50μm。为实现50μm孔径层间对位精度提升,系统研究了销钉数量和销钉间距对对位精度的影响。研究结果表明,销钉数量越多,微孔互连... 当前微孔互连工艺已成为高温共烧陶瓷(HTCC)生瓷生产中的关键工艺技术,高密度陶瓷封装外壳的埋层孔径已达50μm。为实现50μm孔径层间对位精度提升,系统研究了销钉数量和销钉间距对对位精度的影响。研究结果表明,销钉数量越多,微孔互连精度越高;销钉间距越小,微孔互连精度越高;通过选用销钉间距100 mm和销钉数量15的方案,可实现孔径50μm微孔对位精度<25μm下合格率90%,为高密度HTCC封装外壳的微孔互连工艺提供了技术支撑。 展开更多
关键词 高密度陶瓷封装外壳 微孔互连 销钉 层间对位精度 高温共烧陶瓷(HTCC)
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PECVD法低温制备微晶硅薄膜的晶化控制 被引量：9
7
作者 李瑞 卢景霄 +6 位作者 陈永生 杨仕娥 郜小勇 靳锐敏 王海燕 张宇翔 张丽伟 《科学技术与工程》 2005年第13期876-878,883,共4页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上低温制备了微晶硅(μc-Si:H)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了H2稀释、衬底温度、射频功率等对薄膜晶化的影响。研究结果表明,当H2稀释比从95%升高到99%、衬底温度从200℃逐渐升高到400℃、硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向微晶转变,射频功率对薄膜晶化的影响有一最优值。 展开更多
关键词 微晶硅薄膜 等离子增强化学气相沉积(PECVD) 晶化率
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反应溅射生长的a-Si:H/a-Ge:H超晶格光学性质研究 被引量：2
8
作者 王印月 许怀哲 +1 位作者 张仿清 陈光华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第12期755-758,共4页
本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引... 本文报道了反应溅射法制备的a-Si:H/a-Ge:H超晶格结构特性.小角度X射线衍射测量和透射电子显微镜观察表明:超晶格层厚均匀、层间平行、界面处组分突变、周期性良好;喇曼散射、光吸收和红外透射表明:在超晶格中并不存在由于超晶格结构引起的界面结构无序,界面无H富集现象. 展开更多
关键词 非晶态半导体 反应溅射 超晶格
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μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质 被引量：1
9
作者 郑家贵 冯良桓 +4 位作者 蔡伟 黄天荃 蔡亚平 罗昭和 周心明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期54-61,共8页
我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯... 我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论. 展开更多
关键词 非晶硅 半导体 多层膜 制造 A-SI:H
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长期高温使用后2.25Cr-1Mo钢焊接接头热影响区的蠕变损伤 被引量：3
10
作者 于涛 施惠基 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期1-3,31,共4页
对火力发电厂中在571℃使用约26万h后的2.25Cr-1Mo钢管焊接接头不同区域的显微组织进行了观察,重点对热影响区的蠕变损伤程度进行了分析。结果表明:该钢弯管焊接接头腹侧的热影响区主要为细晶组织,接近设计寿命时细晶区内蠕变孔洞面积... 对火力发电厂中在571℃使用约26万h后的2.25Cr-1Mo钢管焊接接头不同区域的显微组织进行了观察,重点对热影响区的蠕变损伤程度进行了分析。结果表明:该钢弯管焊接接头腹侧的热影响区主要为细晶组织,接近设计寿命时细晶区内蠕变孔洞面积占比约为0.8%,这可作为同种材料管道焊接接头蠕变失效的判据;细晶区内部还存在大量的MnS夹杂物,其附近多伴有孔洞和微裂纹,是影响焊接接头蠕变寿命的一个因素。 展开更多
关键词 蠕变 孔洞 焊接接头 热影响区 2.25CR-1MO钢
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Raman散射和AFM对多晶硅薄结晶状况的研究 被引量：4
11
作者 李瑞 卢景霄 +5 位作者 陈永生 杨仕娥 靳锐敏 王海燕 张宇翔 郜小勇 《光散射学报》 2005年第2期142-147,共6页
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在普通玻璃衬底上制备了多晶硅(p-si)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了衬底温度、射频功率和SiH4浓度对薄膜晶化的影响,并对其结果进行分析讨论。研究结果表明,当衬底温度从... 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在普通玻璃衬底上制备了多晶硅(p-si)薄膜。利用拉曼(Raman)散射谱、原子力显微镜(AFM)研究了衬底温度、射频功率和SiH4浓度对薄膜晶化的影响,并对其结果进行分析讨论。研究结果表明,当衬底温度从200℃逐渐提高到400℃、SiH4浓度从5%降到1%,硅膜的晶化率逐渐提高,结构逐渐由非晶向多晶转变,射频功率对薄膜的晶化状况也有很大影响。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 等离子增强化学气相沉积(PECVD) RAMAN散射 原子力显微镜(AFM)
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CoMnNiO非晶薄膜的热激电导 被引量：1
12
作者 陶明德 谭辉 韩英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第11期871-876,共6页
本文主要讨论CoMnNiO非晶薄膜的热激电导机制。
关键词 非晶薄膜 热激电导 CoMnNiO 温度
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非晶态半导体多层膜结构的低角度X射线衍射研究 被引量：1
13
作者 徐骏 姜建功 +1 位作者 蒋树声 陈坤基 《南京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1992年第2期224-229,共6页
本文报道了用低角度x射线衍射(LXD)技术研究由a-Si:H与a-SiCx:H构成的组分调制多层膜的周期性,厚度、界而平整度及微结构.结果表明,大多数样品结构具有原子尺度的平整度及陡峭的界而。由衍射峰的位置与强度定出的调制厚度与由生长速率... 本文报道了用低角度x射线衍射(LXD)技术研究由a-Si:H与a-SiCx:H构成的组分调制多层膜的周期性,厚度、界而平整度及微结构.结果表明,大多数样品结构具有原子尺度的平整度及陡峭的界而。由衍射峰的位置与强度定出的调制厚度与由生长速率估计的结果符合得较好。对由辉光放电法制备的样品,由于气流影响而引起的周期结构的涨落作了观测和讨论。 展开更多
关键词 非晶态半导体 多层膜 X射线 衍射
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非晶态硒化镉薄膜光电特性的研究 被引量：1
14
作者 叶天水 郭亨群 曾锦川 《华侨大学学报（自然科学版）》 CAS 1990年第2期135-141,共7页
本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光... 本文报道用真空热蒸发淀积非晶态硒化镉薄膜,研究淀积基底温度及退火处理对薄膜光电特性的影响。光谱实验表明吸收边有随基底温度降低而向长波方向移动的现象,发现淀积基底温度为150℃的样品其光电导与暗电导的比率最高。用超短序列光脉冲对薄膜的瞬态光电导特性进行研究,表明非晶态硒化镉薄膜对ps级超短光脉冲具有良好的瞬态响应,可用作快速光电探测器的光敏材料薄膜。 展开更多
关键词 非晶态 半导体 硒化镉 薄膜 控测器
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不同介质环境对溶剂热合成掺锰硫化锌量子点磷光性能的影响 被引量：1
15
作者 赵长春 刘晓君 王颇 《分析试验室》 CAS CSCD 北大核心 2016年第10期1131-1134,共4页
采用六次甲基四铵作为新型缓冲修饰剂合成掺锰硫化锌量子点,并对其进行透射电镜,X射线衍射以及磷光表征。探讨了不同溶剂,不同缓冲体系以及β-环糊精添加剂合成条件下对量子点磷光性能的影响。发现利用合成的掺锰硫化锌量子点的磷光性... 采用六次甲基四铵作为新型缓冲修饰剂合成掺锰硫化锌量子点,并对其进行透射电镜,X射线衍射以及磷光表征。探讨了不同溶剂,不同缓冲体系以及β-环糊精添加剂合成条件下对量子点磷光性能的影响。发现利用合成的掺锰硫化锌量子点的磷光性质可实现对Cu^(2+)选择性检测,检测限为0.2%mol/L。 展开更多
关键词 磷光 六次甲基四铵 掺锰硫化锌量子点 Β-环糊精
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表面光电压法测量a-Si:H少子扩散长度的进一步研究 被引量：2
16
作者 张治国 宿昌厚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期348-356,共9页
建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析... 建立用SPV法测量a-Si∶H薄膜少子扩散长度L_p的新的数学模型,推导出可供具有任意输入端口(电流输入或电压输入)的锁相放大器所使用的测量L_p的数学表达式,为改进测试过程和提高准确度创造了条件。对合理选择偏置光强度做了较细致的分析,并从实验技术上提出确定偏置光强度的选择准则,给出了测试结果;也分析了不同强度偏置光和不同金属与a-Si∶H肖特基结对测量结果的影响。 展开更多
关键词 表面光电压法 测量 非晶硅
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热电制冷HgCdTe中波红外探测器的研制 被引量：1
17
作者 苏玉辉 冯江敏 +4 位作者 赵维艳 龚晓霞 马启 邓功荣 余连杰 《红外技术》 CSCD 北大核心 2017年第8期700-703,共4页
利用碲镉汞(HgCdTe)体晶材料,采用HgCdTe材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术,设计并研制出了热电制冷型13元HgCdTe中波红外光导探测器。在-50℃时,峰值电压响应率可达2.7×104 V/W,峰值探测率达... 利用碲镉汞(HgCdTe)体晶材料,采用HgCdTe材料拼接技术、磨抛技术等成熟的探测器芯片制备工艺以及三级热电制冷技术,设计并研制出了热电制冷型13元HgCdTe中波红外光导探测器。在-50℃时,峰值电压响应率可达2.7×104 V/W,峰值探测率达到2.3×1010 cm·Hz1/2·W-1,响应波段在3.0~4.6mm之间,峰值响应波长为4.2mm。 展开更多
关键词 红外探测器 碲镉汞 热电制冷
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非晶薄膜晶化的频谱研究 被引量：1
18
作者 谭辉 陶明德 李彬彬 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期754-758,共5页
选择一定的退火温度和退火时间，ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜可以晶化为晶粒尺寸几个至几十个纳米的微晶薄膜．复阻抗频谱和电导频谱研究表明，这种微晶薄膜的粒间效应增强，在一定频率范围内微晶薄膜的电导低于非晶薄膜的电导．认为这种微... 选择一定的退火温度和退火时间，ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜可以晶化为晶粒尺寸几个至几十个纳米的微晶薄膜．复阻抗频谱和电导频谱研究表明，这种微晶薄膜的粒间效应增强，在一定频率范围内微晶薄膜的电导低于非晶薄膜的电导．认为这种微晶薄膜的粒间组成是许多个原子尺度大小的无规网络，微晶薄膜的结构为纳米晶粒和非晶网络组成的两相结构，电导符合多渠道导电模型． 展开更多
关键词 非晶半导体 非晶薄膜 晶化 频谱
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氢化非晶硅光吸收系数的计量模式对少子扩散长度测量的影响 被引量：1
19
作者 张治国 宿昌厚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期363-366,共4页
报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际情况较符合的吸收系数α的计量模型。实验证明这个新模型对a-Si:H/snO_2/Glass样品的实际测量结果与理论... 报道了a—Si:H的光吸收系数计量模式对少子扩散长度SPV法测量结果的影响。得出了a-Si:H表面存在氧化层的结论,并导出了一个与实际情况较符合的吸收系数α的计量模型。实验证明这个新模型对a-Si:H/snO_2/Glass样品的实际测量结果与理论符合得很好。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 吸收系数 扩散长度
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射频等离子体沉积类金刚石膜微结构的表征 被引量：2
20
作者 杨伟毅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第1期6-12,共7页
利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子能量轰击和低CH_4压强下所形成的DLC膜内以sp^3C-C键为主,并且sp^3碳成分随V/Pa^(1/2) 增加而增加,与退火温度从200℃ 到800℃... 利用傅里叶变换红外光谱仪和X射线激发的CKLL俄歇谱的一次微分表征了类金刚石(DLC)膜的微结构。指出在高离子能量轰击和低CH_4压强下所形成的DLC膜内以sp^3C-C键为主,并且sp^3碳成分随V/Pa^(1/2) 增加而增加,与退火温度从200℃ 到800℃无关,DLC膜具有好的热稳定性。DLC膜密度研究指出:膜密度与沉积参量和基底材料有关。 展开更多
关键词 类金刚石膜 α-C:H膜 等离子体沉积
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