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[111]晶向硅衬底厚外延边缘斜坡问题研究
1
作者 刘宪成 喻洋 张晶 《微纳电子技术》 2026年第1期81-86,共6页
[111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(... [111]晶向硅片晶面横向的原子密度和纵向的原子密度之差非常大,导致了横向和纵向生长中严重的各向异性,横向生长的速度约为纵向生长速度的10~4倍。同时硅晶体的(111)面排布为密堆积,虽然纵向排布为ABCABC形式,但每层均为密堆积。在某一(111)面上,由于每个方向上的原子线密度的不同,每个方向上的生长速度也呈现各向异性。横向与纵向、横向不同方向的生长速度差异叠加边缘倒角晶向影响,导致在硅厚外延生长中在特定位置出现斜坡现象,斜坡的出现会导致减薄硅片时在固定位置发生裂片。本研究从理论出发分析了[111]晶向硅片厚外延斜坡产生的机理,进而在此基础上提出了改善方法,实际证明该方法有助于解决因斜坡导致的减薄裂片问题,80μm厚外延减薄裂片率减少约5%。 展开更多
关键词 晶向 晶面 外延 倒角 斜坡
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多晶硅切割废料中硅粉回收与提纯技术研究
2
作者 陈鹏飞 《化工设计通讯》 2026年第2期13-15,共3页
多晶硅切割废料中富含高价值硅粉,直接排放会带来资源浪费与环境负担。研究围绕回收与提纯目标,建立了沉降—酸洗—热处理的处理工艺体系,开展了回收效率优化、酸洗参数控制及热处理结构调控实验。结果显示硅粉回收率可达91.2%,SiO_(2)... 多晶硅切割废料中富含高价值硅粉,直接排放会带来资源浪费与环境负担。研究围绕回收与提纯目标,建立了沉降—酸洗—热处理的处理工艺体系,开展了回收效率优化、酸洗参数控制及热处理结构调控实验。结果显示硅粉回收率可达91.2%,SiO_(2)纯度提升至99.1%,结构完整性与杂质去除效果显著改善,该技术路径为切割废浆中硅粉的高效再生提供了实验依据和工艺支撑。 展开更多
关键词 多晶硅废浆 硅粉回收 酸洗提纯 热处理结构分析
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针尖半径对四探针法电阻率测量的定量影响
3
作者 薛栋 饶张飞 +1 位作者 秦凯亮 金红霞 《半导体技术》 北大核心 2026年第1期94-101,共8页
四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对... 四探针法广泛应用于半导体材料电阻率的测量。为研究探针头针尖半径对单晶硅片电阻率测量结果的定量影响,通过实验与COMSOL仿真相结合的方式,选用A型(针尖半径40.64μm)、B型(针尖半径101.6μm)和D型(针尖半径508μm)3种规格的探针,对电阻率为0.001~1 000Ω·cm的10种标准单晶硅片进行测量。测量结果表明,A型适用于低电阻率(<1Ω·cm)单晶硅片的测量,测量相对误差δ小于1%;D型适用于高电阻率(≥180Ω·cm)单晶硅片的测量,δ小于1%;中等电阻率(1~180Ω·cm)单晶硅片的测量中,3种探针头δ较为接近,均值约为4%。仿真分析进一步证实,针尖半径的改变会使电场分布和接触电阻发生显著变化,从而影响电阻率的测量精度。 展开更多
关键词 四探针法 单晶硅 电阻率 针尖半径 COMSOL 接触电阻
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大尺寸光伏单晶硅制备技术研究进展 被引量：1
4
作者 康家铭 黄振玲 +3 位作者 李太 赵亮 周翔 吕国强 《太阳能学报》 北大核心 2025年第3期310-319,共10页
针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来... 针对现有大尺寸光伏级单晶硅多次装料拉晶技术(RCZ)、炉外加料技术(OCZ)、连续装料拉晶技术(CCZ)等制备技术的研究现状及特点进行归纳总结,对比分析几种光伏单晶硅制备技术在大尺寸、高品质、低成本方面的优势和难点,并结合未来硅料来源分析对光伏单晶硅生长技术的发展做出展望。 展开更多
关键词 单晶硅 硅片 坩埚 太阳电池 直拉法
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n^(+)/n^(-)型硅衬底扩散片X_(jn+)理论分析与测试方法优化
5
作者 张现磊 李立谦 +1 位作者 周涛 张志林 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期39-45,共7页
n型衬底扩散片扩散深度(X_(jn+))是n^(+)/n^(-)型硅衬底扩散片最重要的参数之一,X_(jn+)的理论计算对磷扩散生产和X_(jn+)测试具有重要的指导意义。但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大,需更精准的计算方法。通过实验对X_(jn+)的... n型衬底扩散片扩散深度(X_(jn+))是n^(+)/n^(-)型硅衬底扩散片最重要的参数之一,X_(jn+)的理论计算对磷扩散生产和X_(jn+)测试具有重要的指导意义。但现有扩散理论计算结果与实验数据差异较大,需更精准的计算方法。通过实验对X_(jn+)的测试与理论计算结果进行对比分析,引入了修正系数k_(n)与k_(p),得到理论计算与测试结果吻合的X_(jn+)计算方法。并根据修正后的计算方法对染色法测试X_(jn+)进行了优化。新的X_(jn+)计算方法得到的结果与测试结果差异小于2%,可用于指导生产,且优化后的X_(jn+)测试方法更加便捷。 展开更多
关键词 衬底扩散片 扩散系数修正 协同扩散 n型衬底扩散片扩散深度(X_(jn+))计算 X_(jn+)测试方法优化
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硅半导体太阳能电池进展 被引量：43
6
作者 李怀辉 王小平 +5 位作者 王丽军 刘欣欣 梅翠玉 刘仁杰 江振兴 赵凯麟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第19期49-53,共5页
太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的装置,也是有效利用太阳能最佳途径之一。作为一种绿色能源,尤其是在核电安全问题面临挑战的今天,太阳能电池被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的最佳选择。目前,许多国家正在制订中... 太阳能电池是将太阳能直接转化为电能的装置,也是有效利用太阳能最佳途径之一。作为一种绿色能源,尤其是在核电安全问题面临挑战的今天,太阳能电池被认为是解决能源衰竭和环境污染等一系列重大问题的最佳选择。目前,许多国家正在制订中长期太阳能开发计划,准备在21世纪大规模开发太阳能。当前研究最多同时在生产应用的最广泛的当数硅太阳能电池(如单晶硅、多晶硅、非晶硅等)。通过对各类硅太阳能电池的性能、工艺、转化效率以及制备方法等方面作比较并讨论了它们各自性能的优劣,最后结合当前国内外工业化生产状况,对硅太阳能电池研究现状和各自的最新进展作了比较详细的综述,并简要讨论了硅太阳能电池研究和生产上的前景及趋势。 展开更多
关键词 太阳能电池 硅太阳能电池 单晶硅 多晶硅 非晶硅
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金纳米粒子在平整硅基表面上的组装 被引量：27
7
作者 胡瑞省 刘善堂 +2 位作者 朱梓华 朱涛 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第3期202-206,共5页
采用水相硅烷化方法 ,将3 氨基丙基 三甲氧基硅烷(APS)组装在湿化学法处理的单晶硅表面上.接触角、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)表征结果显示得到了平整均匀的具有氨基表面的自组装膜.SEM观察表明 ,16nm的金纳米粒子可以... 采用水相硅烷化方法 ,将3 氨基丙基 三甲氧基硅烷(APS)组装在湿化学法处理的单晶硅表面上.接触角、原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)表征结果显示得到了平整均匀的具有氨基表面的自组装膜.SEM观察表明 ,16nm的金纳米粒子可以在上述氨基表面上形成均匀的亚单层排布 ,得到具有Au纳米粒子/APS/Si形式的纳米复合结构 ,进一步的处理可以使金纳米粒子在表面上的排列由随机趋于有序化. 展开更多
关键词 金纳米粒子 硅烷化 组装 氨基自组装膜
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单晶硅片的低温抛光技术 被引量：14
8
作者 韩荣久 孙恒德 +2 位作者 徐德全 张云 王立江 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 1998年第5期104-109,共6页
介绍了一种光学材料抛光新技术——低温抛光技术。首先把抛光液冷冻成低温抛光模层，并对单晶硅片做抛光实验，实验结果表明这是一种很好的光学材料抛光方法。
关键词 低温抛光 抛光模层 抛光液 单晶 硅片
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用丝网印刷技术制备薄膜微电极的方法研究 被引量：12
9
作者 张君 郭伟 袁倬斌 《分析化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第7期1045-1048,共4页
对丝网印刷术在微电极制备方面的应用作了系统和详尽的描述,对绷网、制阳图底板、涂布感光胶、晒网、显影、坚膜、印刷等印制各步骤中所需注意事项和技巧作了总结。考察了标记方式、曝光时间、显影时间等的影响,并在优化条件下制成了微... 对丝网印刷术在微电极制备方面的应用作了系统和详尽的描述,对绷网、制阳图底板、涂布感光胶、晒网、显影、坚膜、印刷等印制各步骤中所需注意事项和技巧作了总结。考察了标记方式、曝光时间、显影时间等的影响,并在优化条件下制成了微电极。用1mmol/L铁氰化钾在微电极上进行循环伏安扫描实验。结果表明,所制得的微电极条具有良好的电化学性能。用此方法可大批量制得廉价的适用于电化学研究和应用的微电极条。 展开更多
关键词 丝网印刷技术 薄膜微电极 电化学性能 研究和应用 电极制备 标记方式 曝光时间 显影时间 优化条件 扫描实验 循环伏安 铁氰化钾 印刷术 感光胶 大批量 绷网 阳图 涂布 印制 制成
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氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜稳定性的研究进展 被引量：12
10
作者 廖乃镘 李伟 +3 位作者 蒋亚东 匡跃军 李世彬 吴志明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期21-24,共4页
氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,... 氢化非晶硅(a-Si∶H)是一种重要的光敏感薄膜材料,其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si∶H薄膜稳定性的研究进展,论述了a-Si∶H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关系,分析了光致衰退效应(S-W效应)产生的几种机理,提出了在薄膜制备和后处理过程中消除或减少Si-Si弱键以提高a-Si∶H薄膜稳定性的方法。 展开更多
关键词 氢化非晶硅 稳定性 光致衰退效应 物理模型 稳定化处理
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制备参数和退火对激光诱导化学汽相沉积合成纳米硅的粒径和红外光谱的影响 被引量：10
11
作者 梁礼正 张海燕 +3 位作者 何艳阳 陈可心 王卫乡 刘颂豪 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期382-386,共5页
用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的... 用激光诱导化学汽相沉积 (LICVD)法制备纳米硅 ,发现 :激光强度存在低限阈值 ,SiH4的流速存在着高限阈值 ,二者正相关 ,以维持SiH4 裂解所需的高温。为了使纳米硅粒小而均匀 ,应加大激光强度 ,并相应加快SiH4 的流速 ,以提高纳米硅粒的成核率 ,减少每一个纳米硅核所吸收的硅原子数 ,并缩短每一个纳米硅核的生长期。纳米硅制取后退火脱H ,纳米硅的红外吸收光谱发生变化 :4条特征吸收带的位置、强度和形状各有改变。这是因为纳米硅的表面积很大 ,表面氧化使组态改变。为了减轻这样的氧化 ,纳米硅应在Ar气氛中而不是在空气中退火 ,并且开始退火的温度低于 30 0℃。 展开更多
关键词 激光诱导 化学汽相沉积 纳米硅粉 红外光谱 粒径 退火
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直接键合硅片的亲水处理及其表征 被引量：16
12
作者 何进 陈星弼 +1 位作者 杨传仁 王新 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期23-25,29,共4页
硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，
关键词 硅片直接键合 亲水处理 接触角 SDB技术 硅
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热氧化法钝化硅片的少数载流子寿命 被引量：7
13
作者 崔灿 杨德仁 +3 位作者 余学功 马向阳 李立本 阙端麟 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期54-57,共4页
用高频光电导衰减法 (PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响 .在 70 0～ 110 0℃范围热氧化不同时间 (0 .5～ 4 h)对直拉硅片表面进行钝化 ,实验结果表明 ,在 10 0 0℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好 ;而且发现热氧化 1.5 h... 用高频光电导衰减法 (PCD)研究了热氧化钝化对直拉硅少子寿命的影响 .在 70 0～ 110 0℃范围热氧化不同时间 (0 .5～ 4 h)对直拉硅片表面进行钝化 ,实验结果表明 ,在 10 0 0℃下热氧化对硅片表面钝化的效果最好 ;而且发现热氧化 1.5 h后硅片的少子寿命值达到最大值 ,接近于其真实值 ,而随着热氧化时间的延长 (>1.5 h)少子寿命将会降低 ,这是由于直拉硅中过饱和的氧会沉淀下来形成氧沉淀 ,成为新的少子复合中心 . 展开更多
关键词 热氧化法 钝化 硅片 载流子 寿命 直拉硅 氧沉淀
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硅单晶片研磨液的研究 被引量：11
14
作者 刘玉岭 檀柏梅 +1 位作者 孙光英 蒋建国 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期431-433,共3页
论述了研磨液在硅单晶片加工中所起的重要作用以及当今国内外研磨液的发展状况 ,通过实验研究有效地解决了目前研磨液存在的悬浮、金属离子的去除及表面颗粒吸附问题 ,并对研磨液的污染及其净化处理进行了分析。
关键词 研磨液 悬浮 金属离子 颗粒吸附 表面活性剂 单晶硅
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脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光 被引量：5
15
作者 于威 何杰 +2 位作者 孙运涛 韩理 傅广生 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期506-508,共3页
采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0～6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附... 采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0～6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加,而4 70nm附近发光峰相对减小。根据nc SiC薄膜的结构特性变化,认为这两个发光峰分别来源于6H -SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。 展开更多
关键词 光致发光 纳米碳化硅 激光退火 SIC薄膜 准分子脉冲激光 激光能量密度 6H-SiC 碳化硅薄膜 发光峰 退火技术 XECL 相对强度 特性变化 复合发光 发光过程 光谱带 缺陷态
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300mm硅片双面抛光过程数学模拟及分析 被引量：9
16
作者 库黎明 闫志瑞 +2 位作者 索思卓 常青 周旗钢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期373-376,共4页
建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘... 建立了双面抛光过程中硅片表面上的一点相对于抛光布的运动模型;利用数学软件,模拟出不同速度下的运动轨迹。轨迹和实验结果表明,在其他双面抛光工艺不变的情况下,改变抛光机四个部分的转速,对硅片表面的平整度有很大的影响,特别是边缘部分的局部平整度。优化四个转速,可以显著改善300mm硅片表面的平整度和局部平整度。 展开更多
关键词 300 mm硅片 双面抛光 数学模拟 轨迹 平整度
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直拉硅单晶生长过程建模与控制研究综述 被引量：20
17
作者 刘丁 赵小国 赵跃 《控制理论与应用》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期1-12,共12页
硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论... 硅单晶是最重要的半导体材料,90%的半导体器件和集成电路芯片都制作在硅单晶上.随着集成电路技术的快速发展,对硅单晶的品质要求也不断提高.直拉法是生产硅单晶的主要方法,其科学原理与方法、生长技术与工艺、控制策略与手段一直是理论界和产业界高度关注和不断研究的热点.本文针对直拉法电子级硅单晶生长过程,以晶体生长基本原理为基础,从生长建模、变量检测、控制方法等方面进行了全面的阐述,特别针对当今大尺寸、高品质硅单晶生长的要求,总结了目前所取得的主要研究成果与面临的问题,并提出了相应的研究思路和方法. 展开更多
关键词 直拉硅单晶 过程建模 变量检测 过程控制 控制策略
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硅材料湿法提纯理论分析及工艺优化 被引量：20
18
作者 王宇 尹盛 +2 位作者 肖成章 何笑明 王敬义 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期174-180,共7页
介绍了中等规模太阳级硅粉的湿法提纯工艺，就硅粉回收率、硅粒尺寸及酸洗液浓度等重要工艺参数对杂质含量及提纯成本的影响进行了分析。讨论了高浓度酸萃取时“钝化现象”的机理并修正了理论模型。根据理论分析与实验数据进行工艺优化... 介绍了中等规模太阳级硅粉的湿法提纯工艺，就硅粉回收率、硅粒尺寸及酸洗液浓度等重要工艺参数对杂质含量及提纯成本的影响进行了分析。讨论了高浓度酸萃取时“钝化现象”的机理并修正了理论模型。根据理论分析与实验数据进行工艺优化，为大规模湿法提纯太阳级硅材料提供了重要依据。 展开更多
关键词 太阳能 硅 湿法 提纯
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硅各向异性腐蚀＜110＞条补偿图形腐蚀前沿控制 被引量：11
19
作者 鲍敏杭 沈绍群 +5 位作者 胡澄宇 马青华 Chr.Burrer J.Esteve J.Bausells S.Marco 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期768-773,共6页
本文报道了一种由＜１１０＞条组成的，用于（１００）硅ＫＯＨ各向异性腐蚀的凸角补偿图形．该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小．文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和... 本文报道了一种由＜１１０＞条组成的，用于（１００）硅ＫＯＨ各向异性腐蚀的凸角补偿图形．该图形的设计特点是利用不对称的分枝和端点弯头对条上腐蚀前沿实现控制使补偿后凸角的削角大大减小．文中给出常用补偿图形的有效补偿长度和临界补偿时的削角比．该方法已应用于微机械硅加速度传感器的掩模设计． 展开更多
关键词 硅 各向异性 腐蚀 补偿图形 前沿控制
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传热过程对多晶硅真空定向凝固过程的凝固界面及热应力的影响 被引量：8
20
作者 吕国强 杨玺 +3 位作者 刘成 马文会 陈道通 蒋鹏仪 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第5期230-236,共7页
以实验室10 t/a VODS型多晶炉为原型,对其凝固过程的热场、固液界面和热应力进行了瞬态模拟与实验验证。结果表明:在坩埚底部有水冷热交换块的真空定向凝固系统中硅料凝固会产生较大的热应力,增加环形保温结构使热区封闭后可改变炉内换... 以实验室10 t/a VODS型多晶炉为原型,对其凝固过程的热场、固液界面和热应力进行了瞬态模拟与实验验证。结果表明:在坩埚底部有水冷热交换块的真空定向凝固系统中硅料凝固会产生较大的热应力,增加环形保温结构使热区封闭后可改变炉内换热过程,从而改变硅料凝固情况;硅料在坩埚底部为石墨热交换块的系统中凝固时产生的热应力相对较小,但固液界面的形状会发生较大的改变,影响晶粒的生长。炉膛内径适当变宽有利于炉内热区温度分布更合理,使得硅料凝固时的固液界面更加理想。通过实验验证了多晶硅在坩埚底部无需进行水冷换热情况下进行真空定向凝固能达到冶金法生产太阳能级多晶硅的要求,这为提高冶金法制备太阳能级多晶硅质量、降低系统能耗具有一定的指导意义。 展开更多
关键词 多晶硅 真空定向凝固 数值模拟 固液界面 少子寿命
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