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6英寸低缺陷掺硫磷化铟晶体制备与性质研究
1
作者 李晓岚 高渊 +4 位作者 闫小兵 徐成彦 史艳磊 王书杰 孙聂枫 《半导体技术》 北大核心 2025年第7期684-690,共7页
低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾... 低缺陷掺硫磷化铟晶片是光电器件的主要衬底材料,制备6英寸(1英寸=2.54 cm)大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一。通过分析6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶生长过程的杂质效应机理、热应力和热场温度分布,并对掺硫磷化铟晶体头、中、尾切片进行电学性能、位错密度及应力测试,得到载流子浓度与掺杂量、迁移率及位错(腐蚀坑)密度之间的关系,以及掺硫磷化铟晶体易开裂的原因。优化了适合生长6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的半封闭可调热场系统,通过增加热屏罩,提高了炉体上部空间的气氛温度,降低了晶体内部的温度梯度,从而有效降低了晶体内的残余应力。确定了InP中In2S3的掺杂质量分数最大限度(≤300×10^(-6)),得到了低位错密度(<3000 cm^(-2))的磷化铟晶体,并有效地降低了晶体开裂的概率,实现了6英寸低缺陷掺硫磷化铟单晶的重复生长。 展开更多
关键词 掺硫磷化铟 晶体生长 杂质效应 位错(腐蚀坑)密度 晶体开裂
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富磷半绝缘磷化铟晶体生长的行波磁场调控
2
作者 邵会民 史睿菁 +4 位作者 李早阳 孙聂枫 姜剑 毛旭瑞 宋瑞良 《半导体技术》 北大核心 2025年第9期901-907,共7页
针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的... 针对高压垂直梯度凝固(HP-VGF)法生长InP晶体,建立了行波磁场作用下的晶体生长流动传热数值模型,并结合晶体生长实验研究了磁场对富磷半绝缘InP晶体中缺陷生成与掺杂分布的调控作用。研究结果表明,行波磁场可以在InP熔体中产生足够大的洛伦兹力,使得熔体流动增强且温度分布发生变化;磁场调控使孪晶形核概率降低了15%,促进富磷熔体中气泡的逃逸,获得少气孔甚至无气孔的InP晶体,并能够减少晶体中心位错和提高Fe掺杂及轴向电学参数的均匀性。本研究可为生长大尺寸高品质InP晶体提供参考。 展开更多
关键词 磷化铟 单晶 孪晶 半绝缘 磁场 位错
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面向10 kV以上碳化硅器件耐压区厚外延技术研究
3
作者 房玉龙 李帅 +3 位作者 芦伟立 王健 李建涛 王波 《微纳电子技术》 2025年第6期20-26,共7页
随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术... 随着10 kV及以上超高压碳化硅(SiC)功率器件在柔性输电等领域的需求增长,开发低位错、低缺陷密度、长少子寿命的厚外延材料成为关键挑战,是当前SiC材料研究的核心问题。基于单片水平式SiC外延设备,通过引入双界面调制缓冲层外延生长技术,成功实现了对缓冲层与衬底及漂移层之间界面应力的调控,显著降低了外延片基平面位错密度,结合漂移层生长速率、缓冲层工艺以及C/Si比的协同优化,显著提升了4H-SiC厚外延材料的性能。实验结果表明:优化后的缓冲层工艺通过渐变掺杂设计有效调控界面应力,将基平面位错密度从1.5 cm^(-2)降至0.07 cm^(-2);同时,通过将生长速率提升至70μm/h并优化C/Si比至0.85,成功制备了厚度100μm、掺杂浓度2.5×10^(14)cm^(-3)的高质量外延层,原生少子寿命均值达1.76μs,材料均匀性及表面缺陷密度均满足10 kV以上超高压器件耐压区需求。 展开更多
关键词 超高压 基平面位错 C/Si比 双界面调制缓冲层 少子寿命
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基于QST衬底的厚GaN外延材料生长研究
4
作者 韩颖 高爽 +3 位作者 房玉龙 王波 高楠 张志荣 《微纳电子技术》 2025年第4期108-113,共6页
在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件... 在QST复合衬底上生长出厚度超过12μm的GaN外延层。测试结果表明外延片表面平整、无裂纹;原子力显微镜(AFM)分析表明样品表面为良好的台阶流形貌,样品表面中心的均方根表面粗糙度为0.224 nm;外延片的弯曲度仅为6.086μm,这对于维持器件应用中的结构完整性至关重要;GaN的(002)和(102)晶面半高全宽(FWHM)分别为131和272 arcsec,表明材料具有较高程度的结晶取向和晶格有序性;外延片的方块电阻为276.5Ω/□,二维电子气(2DEG)密度为1.05×10^(13)cm^(-2),载流子迁移率为2150 cm^(2)/(V·s),表明材料具有良好的电学性能。本研究在QST衬底上成功制备了低弯曲度、厚GaN外延片,为在更大直径QST衬底上生长更厚的GaN外延层提供了参考,对未来高压GaN在电力电子领域的应用具有指导意义。 展开更多
关键词 QST衬底 热膨胀系数(CTE) 厚外延 二维电子气(2DEG) 异质外延
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关于提高SiC外延设备生产效率的研究
5
作者 邱孟逊 王翼 +2 位作者 孔龙 殷履文 李赟 《电子制作》 2025年第18期114-116,共3页
本文研究了提高水平式碳化硅化学气相沉积外延设备生长效率的方法,针对尾气处理系统的关键局部进行了改进,通过调试尾气处理系统中蝶阀的使用方法、改良蝶阀垫片的材质、优化单向阀的开启阀值等措施,切实降低了设备的故障率,增加了有效... 本文研究了提高水平式碳化硅化学气相沉积外延设备生长效率的方法,针对尾气处理系统的关键局部进行了改进,通过调试尾气处理系统中蝶阀的使用方法、改良蝶阀垫片的材质、优化单向阀的开启阀值等措施,切实降低了设备的故障率,增加了有效生产机时,增加了外延片的实际产量,降低了生产成本。在24小时连续生产模式下,经过六个月的长周期验证,未发现任何与此相关的不良影响。 展开更多
关键词 碳化硅 化学气相沉积 尾气处理系统 故障率 生产效率
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基于WOA优化FNN-PID的单晶硅加热炉炉温控制
6
作者 周佳凯 张洪 《半导体技术》 CAS 北大核心 2025年第1期86-94,共9页
针对单晶硅加热炉炉温控制的大惯性、强耦合、长调节时间等问题,提出了基于鲸鱼优化算法(WOA)的优化模糊神经网络(FNN)比例-积分-微分(PID)算法。通过测试实验装置的温度推算出模型表达式,采用WOA进行选代寻优,得到合适的PID参数,利用FN... 针对单晶硅加热炉炉温控制的大惯性、强耦合、长调节时间等问题,提出了基于鲸鱼优化算法(WOA)的优化模糊神经网络(FNN)比例-积分-微分(PID)算法。通过测试实验装置的温度推算出模型表达式,采用WOA进行选代寻优,得到合适的PID参数,利用FNN对PID参数进行实时调整,以实现动态解耦。通过仿真软件进行仿真验证,并在搭建的模型上分别进行阶跃响应实验和信号跟随实验。仿真结果表明,相较于传统的PID算法和FNN-PID算法,基于WOA的优化FNN-PID算法有效提升了系统的升温速度且无超调。对加热炉进行升温实验,结果表明温度超调量最高为0.9℃,恒温区温控精度保持在±0.3℃,表明该方法可有效提升系统升温速度和稳定性。 展开更多
关键词 多温区温度控制 鲸鱼优化算法(WOA) 模糊神经网络(FNN) 比例-积分-微分(PID) 单晶硅加热炉
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脉冲激光沉积α相氧化镓薄膜及其日盲光电探测器 被引量：1
7
作者 丁子舰 颜世琪 +1 位作者 徐希凡 辛倩 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第2期329-336,共8页
本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的... 本文采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在m面蓝宝石衬底上外延生长了高质量亚稳态α相氧化镓(α-Ga_(2)O_(3))薄膜,结合X射线衍射和扫描电子显微镜等表征手段,研究了不同生长温度和不同氧分压对薄膜形貌及结晶性的影响。基于优化条件下生长的异质外延α-Ga_(2)O_(3)薄膜,制备了金属-半导体-金属(MSM)结构的日盲紫外光电探测器。由于薄膜较好的结晶质量和较少的缺陷,该探测器在254 nm日盲紫外光照射下表现出良好的光电响应,5 V偏压下具有10^(-6)A的光电流及10^(-10)A的暗电流,光暗电流比可达104,最大响应度达到36.7 A/W,最大外量子效率为1.79×10^(4)%,最大探测率为2.45×10^(14)Jones。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 α相氧化镓 生长温度 氧分压 金属-半导体-金属 日盲光电探测器
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聚苯胺/二氧化钛复合薄膜的制备及其气敏性能 被引量：13
8
作者 太惠玲 蒋亚东 +2 位作者 谢光忠 杜晓松 陈璇 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第6期883-888,共6页
室温条件下,运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征.采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传... 室温条件下,运用静电力自组装和原位化学氧化聚合相结合的方法制备了聚苯胺/纳米二氧化钛(PANI/TiO2)复合薄膜和聚苯胺(PANI)薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜进行了分析表征.采用平面叉指电极式器件制备了PANI/TiO2复合薄膜和PANI薄膜气体传感器,研究了其在常温下对有毒气体NH3和CO的敏感性能.结果表明,PANI/TiO2复合薄膜较PANI薄膜具有更优的灵敏度和响应恢复特性. 展开更多
关键词 PANI/TiO2 复合薄膜 气体传感器 NH3 CO
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现代MOCVD技术的发展与展望 被引量：22
9
作者 文尚胜 廖常俊 +3 位作者 范广涵 刘颂豪 邓云龙 张国东 《华南师范大学学报（自然科学版）》 CAS 1999年第3期99-107,共9页
ＭＯＣＶＤ是一门制造化合物半导体器件的关键技术－ 本文综合分析了现代ＭＯＣＶＤ 技术的基本原理、特点及实现这种技术的设备的现状及其发展－ 重点讨论了能实现衬底温度、衬底表面反应源流均匀性的立式高速涡轮转盘ＭＯＣＶＤ技术－
关键词 MOCVD技术 有机金属化合物 气相外延 衬底
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共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质 被引量：12
10
作者 敖建平 孙云 +5 位作者 王晓玲 李凤岩 何青 孙国忠 周志强 李长健 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1406-1411,共6页
采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但... 采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同,主要有(112)和(220)/(204)两种;其结晶形貌也有很大的不同,晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高,虽然从Cu/(In+Ga)<1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构,但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型. 展开更多
关键词 共蒸发 Cu(In Ga)Se2(CIGS) 三步法工艺 薄膜太阳电池
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大尺寸6H-SiC半导体单晶材料的生长 被引量：7
11
作者 陈之战 肖兵 +2 位作者 施尔畏 庄击勇 刘先才 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期685-690,共6页
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道... 报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合理的工艺条件,生长出φ45mmSiC单晶.X射线衍射表明,生长的单晶为6H多型结构,通过腐蚀法得到晶体中微管道密度约为103cm-2,位错密度约为104～105cm-2.测试了SiC单晶的半导体特性,结果表明:晶体为n型,电阻率约300Ω·cm,迁移率90cm2V-1S-1,载流子浓度在1014cm-3量级. 展开更多
关键词 6H-SIC 半导体 碳化硅单晶 晶体生长 PVT法 微管道
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固着磨料加工碳化硅反射镜的实验 被引量：9
12
作者 王旭 张学军 +2 位作者 徐领娣 裴舒 刘建卓 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期771-777,共7页
考虑固着磨料加工工艺其固着磨料与工件相对运动关系固定,有利于精确加工,提出了采用该工艺加工碳化硅反射镜的方法,利用大颗粒金刚石磨料快速加工出了较好的镜面质量。在工艺实验中,分别测得了W7,W5,W3.5,W1.5固着磨料丸片在特定转速... 考虑固着磨料加工工艺其固着磨料与工件相对运动关系固定,有利于精确加工,提出了采用该工艺加工碳化硅反射镜的方法,利用大颗粒金刚石磨料快速加工出了较好的镜面质量。在工艺实验中,分别测得了W7,W5,W3.5,W1.5固着磨料丸片在特定转速和压力下对碳化硅材料的去除特性。对多组去除量曲线的分析表明,此工艺不仅有着较高的去除率,而且稳定性良好。对表面粗糙度测量的结果表明,使用W7丸片即可获得粗糙度为42.758 nm rms的镜面。减小所用丸片的粒度,工件表面粗糙度随之减小,使用W1.5丸片抛光后,最终获得了粗糙度为1.591 nm rms的光滑镜面。实验结果表明,固着磨料加工碳化硅反射镜工艺在粗研、精研、粗抛等加工阶段内可以取代传统的散粒磨料加工工艺。 展开更多
关键词 碳化硅反射镜 固着磨料 丸片 去除率 表面粗糙度
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化学气相传输法生长ZnO单晶 被引量：8
13
作者 赵有文 董志远 +2 位作者 魏学成 段满龙 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期336-339,共4页
利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的Zn... 利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析. 展开更多
关键词 氧化锌 化学气相传输 单晶生长 ZNO
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对柱状多晶硅薄膜的制备研究 被引量：10
14
作者 张丽伟 赵新蕖 +3 位作者 卢景霄 郜小勇 陈永生 靳瑞敏 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1159-1162,共4页
在多晶硅薄膜(Poly-S i)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜。借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进... 在多晶硅薄膜(Poly-S i)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜。借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析。结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大。本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的。再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关。 展开更多
关键词 SEM RTP 柱晶 多晶硅薄膜
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金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究 被引量：8
15
作者 刘传珍 杨柏梁 +6 位作者 袁剑峰 李牧菊 吴渊 寥燕平 张玉 王大海 黄锡珉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期61-65,共5页
利用金属诱导晶化 ( Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/ Ni的低温晶化 ,MIC晶化温度能降低到 44 0℃ .采用 XRD、Raman、SEM、XPS等分析手段研究了 Ni- MIC多晶硅薄膜的特性 ,对薄膜结构和组成进行了分析 。
关键词 金属诱导晶化 多晶硅 薄膜 NI-MIC
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共沉淀法制备Er^(3+):Y_2O_3上转换发光纳米粉 被引量：13
16
作者 罗军明 李永绣 +1 位作者 邓莉萍 袁永瑞 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1436-1439,共4页
以Y2O3为基质材料,掺杂不同含量的Er3+,采用共沉淀法制备出性能良好的Er3+:Y2O3上转换发光纳米粉。对不同温度下煅烧后的粉体进行了X射线衍射、能谱测试、透射电镜和比表面积分析。结果表明:Er3+完全固溶于Y2O3的立方晶格中,Er3+:Y2O3... 以Y2O3为基质材料,掺杂不同含量的Er3+,采用共沉淀法制备出性能良好的Er3+:Y2O3上转换发光纳米粉。对不同温度下煅烧后的粉体进行了X射线衍射、能谱测试、透射电镜和比表面积分析。结果表明:Er3+完全固溶于Y2O3的立方晶格中,Er3+:Y2O3粉体粒度均匀,近似球形,且随着煅烧温度的升高,其颗粒逐渐变大;1000℃煅烧2h的粉末尺寸为40～60nm。 展开更多
关键词 共沉淀法 Er^3+:Y2O3 上转换发光
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升华法生长AlN体单晶初探 被引量：9
17
作者 赵有文 董志远 +2 位作者 魏学成 段满龙 李晋闽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1241-1245,共5页
研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm... 研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象. 展开更多
关键词 氮化铝 晶体 升华法
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Cd_(1-x)Zn_xTe多晶薄膜的制备、性能与光伏应用 被引量：7
18
作者 邵烨 郑家贵 +6 位作者 蔡道林 张静全 蔡伟 武莉莉 蔡亚平 李卫 冯良桓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期183-188,共6页
用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd ... 用共蒸发法制备了 Cd1 - x Znx Te多晶薄膜 ,薄膜结构属立方晶系空间群 F4 3m.通过透射光谱的测量 ,计算光能隙 ,得到室温时薄膜的光能隙随组分 x值的变化满足二次方关系 .作为对异质结界面的修饰 ,提出了有 Cd1 - x-Znx Te过渡层的 Cd S/ Cd Te/ Cd1 - x Znx Te/ Zn Te∶ Cu电池 .并在相同工艺下制备了 Cd S/ Cd Te/ Cd0 .4 Zn0 .6 Te/ Zn Te∶ Cu与 Cd S/ Cd Te/ Zn Te∶ Cu太阳电池 ,发现前者比后者效率平均增加了 35 .0 % . 展开更多
关键词 Cd1-xZnxTe薄膜 共蒸发法 CDTE太阳电池 光能隙
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周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构 被引量：7
19
作者 徐传明 许小亮 +4 位作者 闵海军 徐军 杨晓杰 黄文浩 刘洪图 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1057-1062,共6页
采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1... 采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 .通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0 7Ga0 3 Se2 薄膜 ,对四元化合物Cu(In ,Ga)Se2 的Raman谱进行了讨论 ,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响 ,同时发现薄膜倾向于沿 (112 )晶面生长 ,薄膜贫Cu会加剧 (2 2 0 ) / (2 0 4)表面自发分解成 { 112 }小晶面 .研究表明 ,薄膜具有良好的电学特性和结构特性 . 展开更多
关键词 CIGS 有序缺陷化合物 择优生长 表面自发分解
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ZnS的不同制备方法及性能的对比 被引量：15
20
作者 郑修麟 刘正堂 憨勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 1995年第4期35-38,共4页
综述了多晶ZnS块材料的两种制备方法——热压法和化学气相沉积法的优劣,对两种方法所获材料的光学性能、热学性能、力学性能、热冲击抗力、雨蚀抗力、固体颗粒冲击抗力及化学性能进行了比较。
关键词 热压法 化学气相沉积法 制备 性能 硫化锌
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