关于提高SiC外延设备生产效率的研究

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摘要本文研究了提高水平式碳化硅化学气相沉积外延设备生长效率的方法,针对尾气处理系统的关键局部进行了改进,通过调试尾气处理系统中蝶阀的使用方法、改良蝶阀垫片的材质、优化单向阀的开启阀值等措施,切实降低了设备的故障率,增加了有效生产机时,增加了外延片的实际产量,降低了生产成本。在24小时连续生产模式下,经过六个月的长周期验证,未发现任何与此相关的不良影响。

作者邱孟逊王翼孔龙殷履文李赟

机构地区南京电子器件研究所

出处《电子制作》 2025年第18期114-116,共3页 Practical Electronics

关键词碳化硅化学气相沉积尾气处理系统故障率生产效率

分类号 TN304.05 [电子电信—物理电子学]

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