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短波红外技术应用研究进展
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作者 陈晟迪 杨丽 +3 位作者 张艳 唐利斌 田品 杨丽清 《红外技术》 北大核心 2025年第10期1197-1214,共18页
短波红外技术(short-wave infrared,SWIR)能够在室温下获取大气窗口0.9~2.5μm波段透过的信息,有效弥补了可见光和热成像的不足,因而拥有航天遥感、军事与安防、农矿业、医疗与生物等广泛的应用场景。本文首先对短波红外技术作了简单介... 短波红外技术(short-wave infrared,SWIR)能够在室温下获取大气窗口0.9~2.5μm波段透过的信息,有效弥补了可见光和热成像的不足,因而拥有航天遥感、军事与安防、农矿业、医疗与生物等广泛的应用场景。本文首先对短波红外技术作了简单介绍,分析了该技术的特点和优势,并详细分层次阐述了该技术的发展现状,主要包括热门红外探测材料及其工艺的相关研究,通过光学结构增强器件光电探测能力的设计方法,以及红外成像系统设计的要点,其次详细归纳了其在十个重要应用场景(航天、军事、安防、农业、矿业、环境、医疗、机器视觉、工业检测、考古)的相关进展,显示了短波红外技术从航天与军用等高端领域逐渐走向民用市场的发展趋势,因此展现了新兴的胶体量子点等红外材料作为未来走向高性能、低成本与高硅基兼容性大方向的生力军的潜力,将成为短波红外技术降低成本并向广阔民用需求转型的关键一环,为短波红外技术的产业化推广与未来发展方向提供有力参考。 展开更多
关键词 短波红外 光电探测技术 短波红外成像应用
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银硫族化合物胶体量子点的合成及其光电探测器研究进展
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作者 洪佳威 唐利斌 +5 位作者 曾嘉杰 杨丽 陈晟迪 王涛 田品 张艳 《红外技术》 北大核心 2025年第9期1077-1092,共16页
银硫族化合物(Ag_(2)X,X=S,Se,Te)胶体量子点(Colloidal Quantum Dots,CQDs)是一类具有优异光电性能的纳米材料,因其绿色环保、尺寸可调、带隙可控等特点,广泛应用于光电和生物成像等多领域,尤其在光电探测器中表现出高探测率、快速响... 银硫族化合物(Ag_(2)X,X=S,Se,Te)胶体量子点(Colloidal Quantum Dots,CQDs)是一类具有优异光电性能的纳米材料,因其绿色环保、尺寸可调、带隙可控等特点,广泛应用于光电和生物成像等多领域,尤其在光电探测器中表现出高探测率、快速响应和宽光谱探测能力。尽管银硫族化合物CQDs具有诸多优势,但其研究仍处于发展阶段,在实际应用中面临合成稳定性差、配体交换方案开发不足、功能层材料选择较为单一等挑战。因此本文综述了银硫族化合物CQDs在合成、配体交换以及探测器应用中的最新进展。首先,系统总结了银硫族3种CQDs的合成方法,探讨了不同反应条件(反应时间、温度、配体种类等)对量子点尺寸、形貌及光学性能的影响。其次,详细分析了配体交换策略在调控量子点表面化学性质、稳定性及电荷传输性能中的作用,介绍了不同配体体系对量子点光电性能的优化效果。最后,综述了银硫族化合物CQDs在光电探测器领域的应用,探讨了其在探测率、响应速度及器件结构设计方面的优势与挑战,为今后无毒量子点的进一步发展提供参考。 展开更多
关键词 银硫族化合物胶体量子点 配体交换 光电探测器
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阳离子交换法制备量子点及其光电应用研究进展
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作者 张艳 唐利斌 +3 位作者 陈晟迪 杨丽 才玉华 王涛 《红外技术》 北大核心 2025年第9期1063-1076,共14页
胶体量子点(Colloidal quantum dots,CQDs)因其尺寸可调带隙、优异的光电性能及溶液可加工性,在光电器件领域具有广泛应用潜力。然而,传统CQDs制备方法存在工艺复杂、晶格缺陷、单分散性差等问题。阳离子交换法作为一种高效、灵活的合... 胶体量子点(Colloidal quantum dots,CQDs)因其尺寸可调带隙、优异的光电性能及溶液可加工性,在光电器件领域具有广泛应用潜力。然而,传统CQDs制备方法存在工艺复杂、晶格缺陷、单分散性差等问题。阳离子交换法作为一种高效、灵活的合成策略,为CQDs的可控制备提供了新途径。本文系统研究了阳离子交换法在CQDs制备中的机理及其应用:首先深入探讨了阳离子交换法在保持原始CQDs尺寸和形貌方面的关键条件,发现当原始CQDs尺寸大于阈值或合成温度低于临界值时,能保持其尺寸和形貌;否则,会引发溶解再结晶,导致反应机制变化。接下来总结了完全阳离子交换法制备单一组分CQDs的研究进展,并探讨了部分阳离子交换法制备异质结纳米晶体(Nanocrystals,NCs)的方法及其独特性能。进一步地,通过比较阳离子交换和热注入法制备的材料,发现前者在所制备光电器件的性能上具有显著优势。本文最后展望了阳离子交换法在CQDs材料开发、绿色合成工艺优化以及多功能光电器件等方面的未来发展方向,为CQDs的研究与应用提供了新的思路。 展开更多
关键词 胶体量子点 阳离子交换法 光电器件
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LPBF增材制造WE43镁合金三周期极小曲面结构性能研究
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作者 宋春禄 国凯 +3 位作者 石浩 黄晓明 杨斌 孙杰 《激光杂志》 北大核心 2025年第2期17-28,共12页
镁合金良好的生物相容性、可降解特性以及与人体骨骼相近的密度与弹性模量等特性使其在生物医学领域具有广阔的应用前景;增材制造技术为生产复杂形状的镁合金多孔结构植入物提供了有效的途径。然而,镁合金低熔点、易气化等特性为增材制... 镁合金良好的生物相容性、可降解特性以及与人体骨骼相近的密度与弹性模量等特性使其在生物医学领域具有广阔的应用前景;增材制造技术为生产复杂形状的镁合金多孔结构植入物提供了有效的途径。然而,镁合金低熔点、易气化等特性为增材制造带来巨大困难。因此,从设计方法和工艺两个方面对激光粉末床熔融(LPBF)增材制造WE43镁合金三周期极小曲面结构(TPMS)的成形质量开展研究,分析了不同TPMS结构和LPBF工艺参数对孔隙率、成形精度等的影响,进一步进行了TPMS结构压缩力学性能测试,并进行了TPMS多孔结构的体外降解性能研究。获得了TPMS结构类型与成形质量、压缩力学性能间的关系,分析了TPMS结构类型对体外降解速率的影响。研究表明:网络状TPMS结构相比于具有相同设计孔隙率的片状TPMS结构具有更好的成形质量和压缩力学性能,片状TPMS结构比网络状TPMS结构承受大变形的能力更强;TPMS结构的降解速率均呈现出先增大后减小的现象,且降解速率与实际孔隙率存在正相关的关系,在第12 h时片状TPMS结构已失去结构完整性。 展开更多
关键词 WE43镁合金 激光粉末床熔融 三周期极小曲面 孔隙率
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光学材料的激光损伤形态研究 被引量:21
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作者 郭少锋 陆启生 +2 位作者 程湘爱 江厚满 曾学文 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期238-242,共5页
提出了破坏形态因子的概念并以高功率连续激光作用下的光学材料的热力学响应为例 ,通过积分变换的方法给出激光作用期间温度场和应力场的解析形式 ,继而得到破坏形态因子的表达式及其简化形式 ,研究破坏形态因子与材料性质、激光参数的... 提出了破坏形态因子的概念并以高功率连续激光作用下的光学材料的热力学响应为例 ,通过积分变换的方法给出激光作用期间温度场和应力场的解析形式 ,继而得到破坏形态因子的表达式及其简化形式 ,研究破坏形态因子与材料性质、激光参数的关系 。 展开更多
关键词 破坏机理 形态因子 温度场 应力场 功率密度阈值 激光损伤 光学材料 损伤形态
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多晶硅薄膜应力特性研究 被引量:25
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作者 张国炳 郝一龙 +3 位作者 田大宇 刘诗美 王铁松 武国英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期463-467,共5页
本文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果,用XRD、RED等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成.结果表明,LPCVD制备的多晶硅薄膜具有本征... 本文报道了低压化学气相淀积(LPCVD)制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验研究结果,用XRD、RED等技术测量分析了多晶硅膜的微结构组成.结果表明,LPCVD制备的多晶硅薄膜具有本征压应力,其内应力受淀积条件、微结构组成等因素的影响.采用快速退火(RTA)可以使其压应力松弛,减小其内应力,并可使其转变成为本征张应力,以满足在微机电系统(MEMS)制备中的要求. 展开更多
关键词 多晶硅薄膜 VLSI LPCVD 制备 应力特性
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电化学制备Ba_(1-x)Sr_xWO_4薄膜的工艺研究及分析表征 被引量:12
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作者 毕剑 肖定全 +5 位作者 高道江 余萍 朱建国 陈连平 杨祖念 张文 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期225-227,230,共4页
 采用恒电流技术直接在金属钨片上制备了白钨矿结构的Ba1-xSrxWO4晶态薄膜;讨论了电流密度、酸度、温度、电解液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响。采用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶相;扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌;X射线光电子...  采用恒电流技术直接在金属钨片上制备了白钨矿结构的Ba1-xSrxWO4晶态薄膜;讨论了电流密度、酸度、温度、电解液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响。采用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的晶相;扫描电镜(SEM)研究了薄膜的表面形貌;X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的成分与价态。研究结果表明,通过控制上述工艺条件可以控制沉积薄膜的质量;在室温附近、较低的电流密度、pH值在12~13范围内时,能够制备出结晶良好、表面均匀的Ba1-xSrxWO4固溶体薄膜。 展开更多
关键词 Ba1-xSrxWO4薄膜 电化学 制备 恒电流技术 XRD SEM XPS 光电功能材料
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金红石(TiO_2)单晶体的生长研究 被引量:18
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作者 毕孝国 修稚萌 +1 位作者 马伟民 孙旭东 《东北大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期977-979,共3页
通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果,研究了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件·结果表明:炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素,在合适的气氛条件下,晶体易于生长,生长速度范围较宽,可以长成较大尺寸的单晶体,否则,依赖调... 通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果,研究了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件·结果表明:炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素,在合适的气氛条件下,晶体易于生长,生长速度范围较宽,可以长成较大尺寸的单晶体,否则,依赖调整(增加或降低)生长速度,不能形成完整的晶体·炉膛气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件;晶体在退火过程中消除热应力,但更重要的是氧化反应,消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间,并能获得呈透明状,微有浅黄色(金红石本色)的金红石单晶体· 展开更多
关键词 金红石 TIO2 晶体生长 焰熔法 vemuil 摇摆曲线
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Ce^(3+)掺杂氧化物玻璃的发光特征 被引量:17
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作者 姜淳 曾庆济 +2 位作者 刘华 张俊洲 干福熹 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期198-199,202,共3页
制备了掺铈硼酸盐、硅酸盐、磷酸盐和锗酸盐等玻璃样品,测试了激发光谱和发射光谱,结果表明,随着玻璃光碱度的增大,即从磷酸盐到锗酸盐,M3+的激发峰值波长从 290nm到380nm,发射峰值波长从349nm到480nm,... 制备了掺铈硼酸盐、硅酸盐、磷酸盐和锗酸盐等玻璃样品,测试了激发光谱和发射光谱,结果表明,随着玻璃光碱度的增大,即从磷酸盐到锗酸盐,M3+的激发峰值波长从 290nm到380nm,发射峰值波长从349nm到480nm,表现出强烈的Nephelauxetic 效应,StokeS位移从50nm到100nm。较长的激发波长和发射波长有利于闪烁光在玻璃中的透过。较大的Stokes位移可以减少发射光的自吸收。作为玻璃闪烁体的基质,建议硼硅酸盐、硅酸盐和锗酸盐玻璃是比较合适的,本文为研制高密度玻璃闪烁体打下基础。 展开更多
关键词 发光特下 掺杂 重金属氧化物玻璃
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Tm(0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃陶瓷的直接上转换敏化发光 被引量:8
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作者 陈晓波 周实武 +6 位作者 N.Sawanobori 李美仙 冯衍 毕诗章 张光寅 孙寅官 杨展如 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期655-658,共4页
本文首次研究了掺杂Tm (0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃陶瓷在966 nm 半导体激光激发下的直接上转换敏化发光现象。测量发现存在很强的1G4 →3H6 的477 nm 三光子和3F4 →3H6 的799.5 nm 双光... 本文首次研究了掺杂Tm (0.1)Yb(10.9)氟氧化物玻璃陶瓷在966 nm 半导体激光激发下的直接上转换敏化发光现象。测量发现存在很强的1G4 →3H6 的477 nm 三光子和3F4 →3H6 的799.5 nm 双光子上转换荧光以及较弱的1D2 →3H6 的361 nm ,1D2→3H4 的449.5 nm ,1G4→3F4 的647.0 nm 和3F3→3H6 的(679.5 nm ,698.5 nm )的多个上转换发光。 展开更多
关键词 光致发光 上转换 敏化 氟氧化物 玻璃陶瓷
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1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响 被引量:8
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作者 乔辉 贾嘉 +2 位作者 陈新禹 李向阳 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期172-175,共4页
研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15... 研究了 1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响 .通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数 ,结果发现经过电子辐照 ,器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动 .在辐照剂量大于 10 15/cm2 时 ,器件的室温电阻和响应率明显下降 . 展开更多
关键词 碲镉汞 光导型探测器 电子辐照 辐照效应 电流响应率 响应光谱
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太阳模拟器中椭球面聚光镜参数的确定 被引量:10
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作者 吕涛 张景旭 +2 位作者 付东辉 陈小云 刘杰 《应用光学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期43-47,共5页
椭球面聚光镜是太阳模拟器设备的重要组成部分,其能量收集的效率决定着太阳模拟系统的能量传递效率,而太阳模拟器光学系统中的椭球面聚光镜参数一直没有理论上的设计依据,结合氙灯的发光特性并通过对MATLAB中建立的椭球面聚光镜聚光过... 椭球面聚光镜是太阳模拟器设备的重要组成部分,其能量收集的效率决定着太阳模拟系统的能量传递效率,而太阳模拟器光学系统中的椭球面聚光镜参数一直没有理论上的设计依据,结合氙灯的发光特性并通过对MATLAB中建立的椭球面聚光镜聚光过程数值分析模型给出了椭球面聚光镜包括第一焦距、最大成像放大倍率、包容角范围及前后开口直径的确定依据,并通过在Lighttools中建立的4种仿真模型验证了理论分析的正确性.第一焦距由光源光中心高确定,最大成像放大倍率由光学积分器相对孔径及椭球镜包容角范围共同确定,椭球镜包容角范围不小于30&#176;~120&#176;,前开直径口由椭球镜的最大孔径角确定,后开口直径由最小孔径角和光源的径向调节量共同确定.该结论给椭球面聚光镜的设计提供了理论支撑,有利于设计完成高能量收集效率的椭球面聚光镜. 展开更多
关键词 太阳模拟器 聚光镜 非球面 椭球面 参数
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溶胶-凝胶法稀土光学材料研究进展 被引量:18
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作者 符连社 张洪杰 +1 位作者 邵华 倪嘉缵 《稀土》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期49-53,共5页
本文介绍了溶胶—凝胶法光学材料的制备方法及其基质特性,对稀土离子及其配合物掺杂于溶胶—凝胶基质进行了评述,并对将来的发展趋势进行了预测。
关键词 稀土光学材料 光学材料 发光材料 光电材料
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偶氮系列分子二阶非线性光学性质的理论研究 被引量:18
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作者 封继康 王海船 +1 位作者 肖长永 孙家锺 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期596-600,共5页
在AM1和ZINDO方法基础上,按完全态求和公式编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk的程序,并对偶氮系列分子的二阶非线性光学性质进行系统的理论研究,即在的基础上,在苯环左端引入不同的推电子基团,在其右端引入不同的... 在AM1和ZINDO方法基础上,按完全态求和公式编制了计算分子二阶非线性光学系数βijk的程序,并对偶氮系列分子的二阶非线性光学性质进行系统的理论研究,即在的基础上,在苯环左端引入不同的推电子基团,在其右端引入不同的吸电子基团,研究取代基变化时β变化的规律性,并在微观上给予解释。最后设计出非线性光学系数较大的分子。 展开更多
关键词 偶氮染料 非线性光学性质 分子设计 AM1法
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长余辉蓄光玻璃的制备及其性能研究 被引量:14
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作者 陈清明 林元华 +1 位作者 张中太 唐子龙 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期208-209,共2页
利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光粉体,该磷光体主发射波长位于520nm,余辉时间长达8h以上。并以硼硅酸盐低熔点玻璃为底材,掺杂该发光粉体,在一定温度下烧成,结果制得长余辉蓄光玻璃。研究... 利用传统陶瓷制备方法合成了SrAl2O4:Eu,Dy长余辉发光粉体,该磷光体主发射波长位于520nm,余辉时间长达8h以上。并以硼硅酸盐低熔点玻璃为底材,掺杂该发光粉体,在一定温度下烧成,结果制得长余辉蓄光玻璃。研究还表明,烧成温度对该玻璃的发光性能影响较大,随着温度的升高,发光强度及余辉时间明显下降。 展开更多
关键词 长余辉 蓄光玻璃 烧成温度 发光性能 制备
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掺杂稀土配合物的无机/高分子纳米杂化薄膜的制备与发光性能 被引量:7
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作者 李斌 姬相玲 +2 位作者 张洪杰 姜炳政 倪嘉缵 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1998年第11期1123-1127,共5页
通过在溶胶-凝胶过程中引入高分子组分,并将稀土配合物掺杂其中的方法得到了具有良好发光性能的无机/高分子杂化薄膜,它们有很好的韧性和透明性,测定了薄膜的荧光光谱和荧光寿命,发现它们均发射出稀土离子的特征荧光且寿命比本体配合物... 通过在溶胶-凝胶过程中引入高分子组分,并将稀土配合物掺杂其中的方法得到了具有良好发光性能的无机/高分子杂化薄膜,它们有很好的韧性和透明性,测定了薄膜的荧光光谱和荧光寿命,发现它们均发射出稀土离子的特征荧光且寿命比本体配合物增长.透射电镜的观察表明配合物在SiO_2/高分子互穿网络中分布较均匀,分散尺度在20~30nm之间. 展开更多
关键词 高分子 杂化 稀土 PVB 荧光材料 纳米杂化薄膜
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同位素稀释电感耦合等离子体质谱法测定高纯石英中痕量硼 被引量:12
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作者 姚海云 谭靖 +4 位作者 郭冬发 崔建勇 罗明标 武朝晖 张彦辉 《质谱学报》 EI CAS CSCD 2004年第2期77-83,共7页
应用同位素稀释电感耦合等离子体质谱法 ( ID-ICP-MS)测定地质标样 ( GSD-4和 GSD-8)和高纯石英中的痕量硼。样品处理采用低温密封焖罐酸溶样技术 ,将样品与稀释剂充分混匀 ,硼损失较小。硼元素在碱性条件下主要以 B( OH) 4 -形式存在... 应用同位素稀释电感耦合等离子体质谱法 ( ID-ICP-MS)测定地质标样 ( GSD-4和 GSD-8)和高纯石英中的痕量硼。样品处理采用低温密封焖罐酸溶样技术 ,将样品与稀释剂充分混匀 ,硼损失较小。硼元素在碱性条件下主要以 B( OH) 4 -形式存在于溶液中 ,可被硼特效离子交换树脂所交换吸附 ,故能很好地与大部分基体元素分离 ,从而减少基体效应。测定结果表明 :该方法测定痕量硼具有较高的准确度和精密度 ,且方法的检出限低 ,可达 5 1 .7ng/g。 展开更多
关键词 高纯石英 痕量分析 同位素稀释电感耦合等离子体质谱法
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新型钨青铜结构晶体SCNN 被引量:9
18
作者 韩兆忠 孙大亮 +3 位作者 杨兆荷 陈焕矗 张沛霖 王玉国 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期376-379,共4页
合成了新型光折变晶体Sr_(1.95)Ca_(0.05)NaNb_5O_(15),并根据其结晶特性设计了生长温场,用提拉法得到了大的单晶。利用X射线衍射方法测定其晶胞参数,确定其为正交相。
关键词 钨青铜 结构 提拉法 晶体 光折变
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双金属复合氧化物的结构与紫外阻隔性能 被引量:18
19
作者 许国志 李蕾 +2 位作者 张春英 EvansD.G. 段雪 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期106-108,共3页
The XRD patterns of different calcined layered double hydroxides(CLDH) and their ultraviolet absorbing and screening properties have been investigated. It has been found that a calcined layered double hydroxide(CLDH) ... The XRD patterns of different calcined layered double hydroxides(CLDH) and their ultraviolet absorbing and screening properties have been investigated. It has been found that a calcined layered double hydroxide(CLDH) containing zinc is very effective in absorbing and screening ultraviolet radiation. The crystal structure of a CLDH containing zinc is similar to that of ZnO and is not related to the crystal structure of Al 2O 3. It is not a simple combination of zinc oxide and aluminium oxide but a calcined layered double hydroxide in which part of the Zn 2+ cations is replaced by Al 3+ cations. 展开更多
关键词 紫外阻隔材料 双金属 复合氧化物 结构 CLDH
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利用p型(100)硅片制备二维光子晶体的工艺 被引量:5
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作者 张晚云 季家榕 +2 位作者 袁晓东 叶卫民 朱志宏 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期941-946,共6页
采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术,在p型(100)硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体,其二维周期性结构的晶格常数为3.8μm,孔隙直径约3.0μm,孔隙深度超过80μm.在光刻、反应离子刻蚀及碱性... 采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术,在p型(100)硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体,其二维周期性结构的晶格常数为3.8μm,孔隙直径约3.0μm,孔隙深度超过80μm.在光刻、反应离子刻蚀及碱性腐蚀所刻印的V形尖坑阵列的基础上,采用优化的电化学腐蚀参数能制备出周期性好、深宽比大、表/侧面光滑的高品质光子晶体结构,并从理论上利用数值模拟的方法证明了该样品结构在归一化频率位于0.162~0.205ωα/(2πc)范围内存在光子带隙. 展开更多
关键词 大孔硅 光子晶体 光子禁带 制备 碱性腐蚀 电化学腐蚀
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