在PN2 PAr2 分压比分别为 0 %、2 .5 %、5 %、10 %的溅射气氛中制备了不同氮含量的Cr Si Ni N薄膜 ,并研究了薄膜在热处理过程中的晶化、氧化行为以及电性能变化。结果表明 ,非晶Cr Si Ni N薄膜在加热过程中 ,将析出晶化相CrSi2 ;随薄...在PN2 PAr2 分压比分别为 0 %、2 .5 %、5 %、10 %的溅射气氛中制备了不同氮含量的Cr Si Ni N薄膜 ,并研究了薄膜在热处理过程中的晶化、氧化行为以及电性能变化。结果表明 ,非晶Cr Si Ni N薄膜在加热过程中 ,将析出晶化相CrSi2 ;随薄膜中氮含量增加 ,晶化相的形核与长大减缓 ,然而 ,薄膜的抗氧化能力得到提高。与低氮含量Cr Si Ni N薄膜相比 ,高氮含量Cr Si Ni N薄膜的电阻值在热处理过程中变化较小、欲获得较小电阻温度系数 (TCR)需要更高的退火温度。展开更多
文摘在PN2 PAr2 分压比分别为 0 %、2 .5 %、5 %、10 %的溅射气氛中制备了不同氮含量的Cr Si Ni N薄膜 ,并研究了薄膜在热处理过程中的晶化、氧化行为以及电性能变化。结果表明 ,非晶Cr Si Ni N薄膜在加热过程中 ,将析出晶化相CrSi2 ;随薄膜中氮含量增加 ,晶化相的形核与长大减缓 ,然而 ,薄膜的抗氧化能力得到提高。与低氮含量Cr Si Ni N薄膜相比 ,高氮含量Cr Si Ni N薄膜的电阻值在热处理过程中变化较小、欲获得较小电阻温度系数 (TCR)需要更高的退火温度。
