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烧结气氛对反铁电陶瓷储能性能的影响
1
作者 孙宏辰 徐卓 +4 位作者 冯玉军 魏晓勇 徐然 王晓智 赵焓 《硅酸盐学报》 北大核心 2025年第2期249-256,共8页
贱金属内电极多层陶瓷电容器由于低成本优势受到广泛关注,为了防止贱金属内电极(Ni或Cu)在高温下氧化,需在低氧或还原气氛下烧结。本工作研究了低氧气氛烧结环境对Pb_(0.95)La_(0.02)Sr_(0.02)(Zr_(0.50)Sn_(0.40)Ti_(0.10))O_(3)(PLSZ... 贱金属内电极多层陶瓷电容器由于低成本优势受到广泛关注,为了防止贱金属内电极(Ni或Cu)在高温下氧化,需在低氧或还原气氛下烧结。本工作研究了低氧气氛烧结环境对Pb_(0.95)La_(0.02)Sr_(0.02)(Zr_(0.50)Sn_(0.40)Ti_(0.10))O_(3)(PLSZST)反铁电陶瓷电学性能的影响。氧含量降低,反铁电陶瓷的绝缘特性和储能特性有所降低,在5.3×10^(-10)atm(1 atm=101324.997 Pa)氧含量下,陶瓷体可恢复储能密度为2.76 J·cm^(-3),低于空气烧结样品的可恢复储能密度(3.56 J·cm^(-3)),放电储能密度为2.21 J·cm^(-3),放电电流为28.6 A。该工作为PLSZST反铁电陶瓷抗还原特性研究提供帮助,进一步推动贱金属内电极PLSZST反铁电多层陶瓷电容器研发及生产。 展开更多
关键词 反铁电陶瓷 贱金属内电极 低氧烧结气氛 多层陶瓷电容器 储能
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宽带隙BT/HTO/Cr_(2)O_(3)/PVDF复合薄膜制备及其储能性能
2
作者 代妮娜 荆飞 +1 位作者 王佳璐 胡登卫 《宝鸡文理学院学报(自然科学版)》 2025年第4期60-68,93,共10页
目的 制备宽带隙钛酸钡/钛酸/三氧化二铬/聚偏氟乙烯(BaTiO_(3)/H1.07Ti1.73O4·nH_(2)O/Cr_(2)O_(3)/PVDF,BT/HTO/Cr_(2)O_(3)/PVDF)复合薄膜,揭示BT/HTO/Cr_(2)O_(3)复合体形成机制及其与储能性能的关联性。方法 采用溶剂热法制备... 目的 制备宽带隙钛酸钡/钛酸/三氧化二铬/聚偏氟乙烯(BaTiO_(3)/H1.07Ti1.73O4·nH_(2)O/Cr_(2)O_(3)/PVDF,BT/HTO/Cr_(2)O_(3)/PVDF)复合薄膜,揭示BT/HTO/Cr_(2)O_(3)复合体形成机制及其与储能性能的关联性。方法 采用溶剂热法制备BT/HTO/Cr_(2)O_(3)复合体,随后采用旋涂法制备BT/HTO/Cr_(2)O_(3)/PVDF复合薄膜;使用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X-射线粉末衍射仪、拉曼光谱及红外光谱研究其形貌结构,利用铁电测试系统探究其储能性能。结果 通过调控原料物质的量之比可制备出BT/HTO/Cr_(2)O_(3)复合体,发现BT/HTO/Cr_(2)O_(3)复合材料存在宽带隙异质结构,将该复合体作为填料可制备出击穿场强高、储能密度大的BT/HTO/Cr_(2)O_(3)/PVDF复合薄膜。结论 HTO以其独特的层状结构和宽带隙,能够有效抑制载流子跃迁,减少泄漏电流,与BT、Cr_(2)O_(3)复合能有效提升BT/HTO/Cr_(2)O_(3)的电击穿场强,进而增加复合薄膜的储能密度与充放电效率。宽带隙BT/HTO/Cr_(2)O_(3)/PVDF复合薄膜中电子从导带到价带跃迁需要更高的能量,因此1 wt%的复合薄膜在电场作用下具有630 MV/m的高击穿场强,从而表现出5.3 J/cm^(3)的储能密度以及93.5%的高充放电效率。 展开更多
关键词 钛酸钡 聚偏氟乙烯 复合薄膜 储能性能
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MLCC的发展趋势及在军用电子设备中的应用 被引量：35
3
作者 邓湘云 李建保 +1 位作者 王晓慧 李龙土 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期1-6,共6页
对多层陶瓷电容器在大容量、小型化、集成化和电极贱金属化等方面的最新技术动态、发展趋势进行了综述;推导出了功率随电容和电压变化的计算公式;分析了国内外多层陶瓷电容器的市场现状及其在高技术军用电子设备中的应用。
关键词 电子技术 多层陶瓷电容器 综述 发展趋势 市场应用 军用电子设备
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多层陶瓷电容器技术现状及未来发展趋势 被引量：39
4
作者 杨邦朝 冯哲圣 卢云 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期17-19,共3页
介绍了MLCC在容量提高、产品小型化和集成化、电极贱金属化等方面最新的技术动态和发展趋势,指出了未来MLCC的关键技术在于微细粉体的处理,超薄(≤1 mm)生坯的制备,精密切割技术及贱金属电极的研制开发。
关键词 多层陶瓷电容器 现状 发展趋势 MLCC 小型化 集成化
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中低温烧结的温度稳定型Ba_(1-x)Cd_xTiO_3介电材料 被引量：9
5
作者 齐建全 李雯 +2 位作者 王永力 桂治轮 李龙土 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1199-1202,共4页
温度稳定型钛酸钡基介电材料具有良好的性能,然而做为MLCs瓷料时,烧结温度偏高.用固溶体Ba1-xCdxTiO3替代BaTiO3做为基料,可以有效地降低烧结温度,制备符合X7R标准的MLCs瓷料,获得较高的室温介电常数.
关键词 中低湿烧结 温度稳定型Ba1-xCdxTiO3介电材料 钛酸钡基陶瓷材料 陶瓷电容器 介电陶瓷
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多层片式陶瓷电容器MLC研发进展 被引量：29
6
作者 蒋渝 陈家钊 +1 位作者 刘颖 涂铭旌 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期100-104,共5页
介绍多层陶瓷电容器MLC产品的国内外生产与研发状况,尤其是国外先进厂家的湿法印刷技术与Soufill陶瓷介质膜制造工艺,讨论当前常压MLC的发展趋势和高压MLC的技术水平,指出我国MLC行业存在的问题和发展方向。
关键词 多层陶瓷电容器 MLC 进展
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多层陶瓷电容器中的Ag─Pd系内电极浆料 被引量：8
7
作者 俞守耕 张林震 +2 位作者 任金玉 刘婀娜 韦群燕 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期23-27,共5页
从银钯化合物混合溶液中共沉淀中间体，再还原得到Ａｇ─Ｐｄ合金粉。其粒度随Ｐｄ量增加而降低。预氧化处理合金粉，得到表面为氧化钯和银而中心为Ａｇ─Ｐｄ合金的内电极粉。所配制的浆料可用于制备性能达到规定标准的多层陶瓷电容器。
关键词 银 钯 陶瓷电容器 浆料 电容器 内电极
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BaTiO_3陶瓷的晶粒壳-芯结构与畴 被引量：8
8
作者 宋祥云 陈大任 +4 位作者 马利泰 温树林 殷之文 李小江 朱源泰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期256-261,共6页
用分析电镜和高分辨电镜观测了BaTiO_3电容器陶瓷的晶粒壳-芯结构与铁电畴。首次发现本实验的BaTiO_3陶瓷的晶粒壳-芯结构由Nb原子的不均匀分布而形成。晶粒芯为贫Nb的铁电相区,而晶粒壳处由富Nb的顺电相组成。并且,壳-芯晶粒含量和壳-... 用分析电镜和高分辨电镜观测了BaTiO_3电容器陶瓷的晶粒壳-芯结构与铁电畴。首次发现本实验的BaTiO_3陶瓷的晶粒壳-芯结构由Nb原子的不均匀分布而形成。晶粒芯为贫Nb的铁电相区,而晶粒壳处由富Nb的顺电相组成。并且,壳-芯晶粒含量和壳-芯区域的大小与BaTiO_3陶瓷的性能可能存在一定关系。研究结果表明,壳-芯边界不同于通常晶粒边界结构,而在铁电畴的畴界处,存在一维方向几埃到数十埃的原子紊乱过渡区。 展开更多
关键词 铁电陶瓷 钛酸钡 铁电畴 晶格象
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MLCC内电极用超细镍粉的制备进展 被引量：7
9
作者 白柳杨 袁方利 +2 位作者 阎世凯 胡鹏 李晋林 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第10期6-9,共4页
介绍了超细镍粉在MLCC中的应用进展,针对MLCC内电极用镍粉的性能要求,详细地综述了相关超细镍粉的几种制备方法,包括液相还原法、喷雾热解法、等离子法、气相法和固相分解法等。最后,对MLCC内电极用超细镍粉的发展方向作了展望。
关键词 电子技术 超细镍粉 综述 MLCC 制备 应用
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低温烧结SrTiO_3陶瓷晶界层电容器材料的研究 被引量：13
10
作者 徐保民 王鸿 殷之文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期354-360,共7页
研究了施主杂质Nb_2O_5,碱金属氧化物添加物Li_2O和烧成温度对低温一次烧成SrTiO_3陶瓷晶界层电容器介电性能和显微结构的影响。结果表明。Li_2O的加入量对液相烧结的进行和晶粒的生长有很大影响。具有一定特性的液相还能作为氧在晶界... 研究了施主杂质Nb_2O_5,碱金属氧化物添加物Li_2O和烧成温度对低温一次烧成SrTiO_3陶瓷晶界层电容器介电性能和显微结构的影响。结果表明。Li_2O的加入量对液相烧结的进行和晶粒的生长有很大影响。具有一定特性的液相还能作为氧在晶界上迁移的通道,而有利于氧的挥发,促进晶粒的半导化,Nb_2O_5含量为0.1mol％左右时就能具有良好的效果。在液相特性不能满足晶粒生长要求的情况下,Nb_2O_5含量显著影响着晶粒的半导化程度。添加过多的Nb_2O_5会阻碍晶粒的生长。烧结温度对晶粒生长和材料的介电常数也有明显的影响,适当提高烧结温度能提高材料的介电常数。 展开更多
关键词 钛酸锶 陶瓷 晶界层 电容器 氧化锂
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高储能密度陶瓷电容器电气性能研究 被引量：5
11
作者 戴玲 林福昌 +1 位作者 朱志芳 李劲 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第10期49-51,共3页
陶瓷因介电常数高、无老化等优点而适用于高储能密度电容器。用第 2类瓷介研制了不同规格的高压高储能密度的多层陶瓷电容器 (MLC)样品 ,试验表明充放电 10 7次后其电容量和介损基本不变或稍有上升 (改变≯5 % )。不计热量积累时 1～ 10... 陶瓷因介电常数高、无老化等优点而适用于高储能密度电容器。用第 2类瓷介研制了不同规格的高压高储能密度的多层陶瓷电容器 (MLC)样品 ,试验表明充放电 10 7次后其电容量和介损基本不变或稍有上升 (改变≯5 % )。不计热量积累时 1～ 10 0 0Hz的充放电频率不影响电容器性能。阐述了BaTiO3 的铁电特性引起的MLC放电波形的特殊性后初步研究了电容器样品的损坏机理和关键因素。符合X7R温度特性的MLC的稳定电气性能表明了它很适于制作高压。 展开更多
关键词 高储能密度 多层陶瓷电容器 电气性能 充放电 介损 电容量 MLC 电波 温度特性 介电常数
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掺杂Y^(3+),Dy^(3+)的BaTi_(0.91)Sn_(0.09)O_3陶瓷系统介电性能研究 被引量：9
12
作者 卢艳 梁辉 +1 位作者 黄欣 徐廷献 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2002年第5期8-11,共4页
研究了BaTiO3 BaSnO3 系陶瓷电容器瓷料中掺杂稀土氧化物Y2 O3 和Dy2 O3 及不同掺杂方式对材料介电性能的影响。初步制得有高介电常数、低温度变化率的高压陶瓷电容器瓷料 ,应用X 射线衍射对样品进行微观结构分析 。
关键词 掺杂 Y^3+ DY^3+ BaTi0.91Sn0.09O3 陶瓷电容器 钛酸钡 介电性能 稀土氧化物
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贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)研究进展 被引量：12
13
作者 李艳霞 姚熹 张良莹 《材料导报》 EI CAS CSCD 2003年第10期41-43,共3页
贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)经过40年的发展,目前已成为多层陶瓷电容器的主流。钛酸钡的缺陷化学是发展BME-MLCCs的理论基础,利用该理论研发抗还原的钛酸钡基介质陶瓷组成,使钛酸钡基介质陶瓷与镍内电极能够在还原性气氛中... 贱金属内电极多层陶瓷电容器(BME-MLCCs)经过40年的发展,目前已成为多层陶瓷电容器的主流。钛酸钡的缺陷化学是发展BME-MLCCs的理论基础,利用该理论研发抗还原的钛酸钡基介质陶瓷组成,使钛酸钡基介质陶瓷与镍内电极能够在还原性气氛中共烧。BME-MLCCs工业化的一个关键问题是降低由带电荷的氧空位移动所造成的老化。 展开更多
关键词 贱金属内电极多层陶瓷电容器 BME-MLCCs 钛酸钡 镍 缺陷化学
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多层陶瓷电容器研究现状和发展展望 被引量：13
14
作者 陈祥冲 黄新友 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第9期12-14,共3页
片式多层陶瓷电容器是新型片式元器件门类的主要品种之一。介绍了多层陶瓷电容器国内外研究现状和发展状况,重点介绍了镍内电极多层陶瓷电容器、高容量多层陶瓷电容器和高压多层陶瓷电容器,同时指出我国多层陶瓷电容器行业存在的问题和... 片式多层陶瓷电容器是新型片式元器件门类的主要品种之一。介绍了多层陶瓷电容器国内外研究现状和发展状况,重点介绍了镍内电极多层陶瓷电容器、高容量多层陶瓷电容器和高压多层陶瓷电容器,同时指出我国多层陶瓷电容器行业存在的问题和发展方向。 展开更多
关键词 片式多层陶瓷电容器 镍内电极 高压 高容量 发展展望 行业 国内外 发展状况 中国 问题
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工业化(Ba,Sr,Ca)(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷的研究 被引量：14
15
作者 黄新友 高春华 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期45-48,56,共5页
采用正交设计试验法研究了配方对 (Ba,Sr,Ca) (Ti,Zr) O3 (BSCTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响 BSCTZ基陶瓷介电性能的主次因素、各因素水平影响其性能的趋势。同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方。在实验过... 采用正交设计试验法研究了配方对 (Ba,Sr,Ca) (Ti,Zr) O3 (BSCTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响 BSCTZ基陶瓷介电性能的主次因素、各因素水平影响其性能的趋势。同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方。在实验过程中主晶相料均是工业纯 ,这样极大降低电容器陶瓷制造成本。通过正交设计实验得到综合性能佳的 BSCTZ基陶瓷。利用 SEM研究了BSCTZ陶瓷的显微结构 ,探讨了各组分对 BSCTZ基陶瓷介电性能影响机理 ,为研制高介、低损耗、高耐压电容器陶瓷提供了依据。 展开更多
关键词 陶瓷电容器 铁电 正交设计 BATIO3 SRTIO3 CAZRO3
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MLCC电极用铜粉的制备与表面改性研究进展 被引量：5
16
作者 胡敏艺 周康根 +1 位作者 王崇国 徐锐 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期12-15,共4页
多层陶瓷电容器(MLCC)的重要发展方向之一是电极贱金属化,铜粉是一种较为理想的电极制作材料。介绍了MLCC电极铜粉制备和铜粉改性的研究现状,指出今后应加强对铜粉粒径控制技术和抗氧化性的研究。
关键词 多层陶瓷电容器 铜粉 粒径 抗氧化
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多层片式陶瓷电容器容量命中率的研究 被引量：8
17
作者 张启龙 杨辉 +1 位作者 王家邦 魏文霖 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2003年第1期72-75,共4页
多层片式陶瓷电容器 (MLCC)容量命中率低是生产中普遍存在的问题。本文通过微观结构、金属层和介质层厚度、以及工序因素分析 ,探讨了引起MLCC容量分散的主要原因 ,提出了工序中应控制的因素 ,为MLCC生产过程控制、提高容量命中率提供... 多层片式陶瓷电容器 (MLCC)容量命中率低是生产中普遍存在的问题。本文通过微观结构、金属层和介质层厚度、以及工序因素分析 ,探讨了引起MLCC容量分散的主要原因 ,提出了工序中应控制的因素 ,为MLCC生产过程控制、提高容量命中率提供了依据。 展开更多
关键词 多层片式陶瓷电容器 容量 微观结构 命中率 MLCC
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BaTiO_3基无铅高压陶瓷电容器材料性能的研究 被引量：6
18
作者 张其土 张校平 李斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2005年第12期38-41,共4页
采用BaTiO3基料,加入SrTiO3、CaCO3、Bi2O3·3TiO2等添加剂制备无铅高压陶瓷电容器材料,研究了添加剂对材料性能的影响,得到了介电常数可调、综合性能较佳的材料。结果表明,在BaTiO3中加入30%SrTiO3、10%CaCO3,并外加3%Bi2O3·3... 采用BaTiO3基料,加入SrTiO3、CaCO3、Bi2O3·3TiO2等添加剂制备无铅高压陶瓷电容器材料,研究了添加剂对材料性能的影响,得到了介电常数可调、综合性能较佳的材料。结果表明,在BaTiO3中加入30%SrTiO3、10%CaCO3,并外加3%Bi2O3·3TiO2时(均为摩尔数分数),其εr为3802、tgδ为4.2×10-3、Eb为9.2MV/m;而当在BaTiO3中加入40%SrTiO3、15%CaCO3,并外加4%Bi2O3·3TiO2时,其εr为2089、tgδ为6×10-4、Eb为16.9MV/m。 展开更多
关键词 电子技术 高压陶瓷电容器材料 无铅 介电性能 钛酸钡
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环氧包封层对高压陶瓷电容器耐电压水平的影响研究 被引量：4
19
作者 王德生 杨士勇 +2 位作者 刘斌 陈维 陈寿田 《电工电能新技术》 CSCD 2002年第4期26-28,共3页
随着高压陶瓷电容器应用范围的不断扩大 ,环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压陶瓷电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一 ,其与电机械力的联合作用造成陶瓷 -环氧界面的劣化。本文就... 随着高压陶瓷电容器应用范围的不断扩大 ,环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压陶瓷电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一 ,其与电机械力的联合作用造成陶瓷 -环氧界面的劣化。本文就减少残余应力 ,改善高压陶瓷电容器耐电压水平的不同方法进行了深入研究 ,提出了退火、静置和提高填料量以及对包封层增韧等技术手段。 展开更多
关键词 环氧包封层 高压陶瓷电容器 耐电压水平 电致应变
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成型工艺对高介单层微波陶瓷电容器性能的影响 被引量：6
20
作者 吕贤亮 钟朝位 张树人 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2010年第5期8-10,共3页
分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可... 分别采用轧膜与流延两种成型工艺制备了SrTiO3高介单层微波陶瓷电容器材料,对比研究了两种成型工艺对其结构与性能的影响。研究表明:对于轧膜工艺而言,电容器陶瓷材料的εr和密度随着轧膜次数增加呈单峰效应,瓷料脱辊后轧膜70次左右可获得表面平整、结构致密、介电性能良好的电容器陶瓷材料。和流延工艺相比,轧膜工艺制备的电容器陶瓷材料εr较大,电容量温度变化率较小。 展开更多
关键词 钛酸锶 高介单层微波电容器 轧膜工艺 流延工艺
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