掺镁钛酸锶(SrTiO_3)陶瓷的导电机理研究 被引量：9

1

作者 周晓华 SφrensenO.Toft +1 位作者 曹全喜 徐毓龙 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期927-932,共6页

本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所... 本文着重讨论了掺镁SrTiO3陶瓷的电导与温度和环境氧分压之间的关系．在SrTiO3中镁的含量分别选为10、20、30、40和50mol％，所有样品均在20～900℃的温度区间和3．8×10－4～2．6×10－1atm的氧分压范围被测试．结果表明，所有样品均呈现p型半导体的导电特征，样品在不同温度下的关系中的m与镁的含量和温度有关．根据X光衍射图和缺陷化学理论，实验结果得到适当的解释． 展开更多

关键词 钛酸锶陶瓷 缺陷 电导率 陶瓷 掺镁

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Y（NO_3）_3掺杂BaTiO_3半导体材料特性研究 被引量：4

2

作者 龚树萍 吕文中 +1 位作者 黎步银 周东祥 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期109-112,共4页

本文研究了以Ｙ（ＮＯ３）３作为施主掺杂元素制备的ＰＴＣＲ材料的显微结构和宏观性能．指出施主以水溶性化合物形式引入制备的ＰＴＣＲ材料，其性能明显优于常规的施主以氧化物形式引入而得到的材料的性能．

关键词 电阻率 耐电压 半导体陶瓷材料 掺杂 钛酸钡

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Nb_2O_5掺杂对MnCoNi系NTC热敏电阻材料的影响 被引量：4

3

作者 姜斌 王海玲 王恩信 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期496-499,共4页

采用Ｘ射线衍射分析、ＳＥＭ、阻值测量等手段，通过实验研究了Ｎｂ２Ｏ５掺杂对ＭｎＣｏＮｉ系ＮＴＣ热敏电阻材料的影响。以ＭｎＣｏＮｉ系为基，掺入适量的Ｎｂ２Ｏ５后，其阻温特性变化规律与传统Ｍｎ－ＣｏＮｉ系材料一致，同时室... 采用Ｘ射线衍射分析、ＳＥＭ、阻值测量等手段，通过实验研究了Ｎｂ２Ｏ５掺杂对ＭｎＣｏＮｉ系ＮＴＣ热敏电阻材料的影响。以ＭｎＣｏＮｉ系为基，掺入适量的Ｎｂ２Ｏ５后，其阻温特性变化规律与传统Ｍｎ－ＣｏＮｉ系材料一致，同时室温阻值、Ｂ值略有增加，电学稳定性提高了两倍以上。 展开更多

关键词 氧化铌 热敏电阻器 阻温特性 电学稳定性 NTC

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微波介质陶瓷粉末的湿化学合成 被引量：10

4

作者 徐业彬 陈湘明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期323-328,共6页

采用溶胶凝胶法、共沉淀法及水热法等湿化学合成方法可合成具有纯度高，组分均匀，粒度细且分布范围窄等特点的微波介质陶瓷粉末。文章综述了湿化学法合成微波介质陶瓷粉末的研究进展，分析讨论了其存在的问题与发展。

关键词 微波介质陶瓷 溶胶-凝胶法 共沉淀法 水热法

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Cu注入 PTC BaTiO_3 陶瓷的复阻抗谱研究 被引量：2

5

作者 杜慧玲 王国梅 雷家珩 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期495-499,共5页

对传统工艺法制备的ＢａＴｉＯ３陶瓷进行了Ｃｕ元素的离子注入。在较宽的频率范围内和不同温度下对样品进行了阻抗测量，确定了样品的等效电路。根据阻抗谱分析了Ｃｕ注入ＢａＴｉＯ３多晶陶瓷的晶粒、晶界电阻与温度的关系。结果表明... 对传统工艺法制备的ＢａＴｉＯ３陶瓷进行了Ｃｕ元素的离子注入。在较宽的频率范围内和不同温度下对样品进行了阻抗测量，确定了样品的等效电路。根据阻抗谱分析了Ｃｕ注入ＢａＴｉＯ３多晶陶瓷的晶粒、晶界电阻与温度的关系。结果表明，选择合适的注入剂量的样品，其ＰＴＣ性能优于非注入样品。 展开更多

关键词 半导体陶瓷 PTC 离子注入 钛酸钡 阻抗谱

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高能低压氧化锌压敏陶瓷材料机理的研究 被引量：4

6

作者 杜海清 高纪明 杜安安 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1991年第4期39-43,共5页

研究了氧化锌压敏陶瓷材料元件高能低压和优非线性化的机制;分析了元件热处理对其能量容量等性能的影响;研究了Al_2O_3添加剂对元件电性能的效应,并研制出了一种具有较好电性能的低压氧化锌压敏电阻元件。

关键词 氧化锌 压敏陶瓷材料 电性能 阀片

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SrTiO_3压敏电阻耐浪涌电流特性的研究 被引量：3

7

作者 季会明 徐廷献 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第12期95-99,共5页

本文研究了用一次烧成法制备的Ｍｎ２＋和Ｃｕ＋为受主掺杂的ＳｒＴｉＯ３低压压敏电阻，在浪涌电流冲击后，其压敏和介电特性的变化规律及影响因此。证Ｃｕ＋掺杂的试样具有较高的耐浪涌电流能力。

关键词 压敏电阻 耐浪涌电流 半导体陶瓷材料

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低温烧结高居里点PTC陶瓷的研究 被引量：3

8

作者 唐小锋 周志刚 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第5期354-359,共6页

综述了近年来高居里点ＰＴＣ陶瓷研究和ＰＴＣ低温烧结研究的进展。着重讨论了（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３ 系高居里点ＰＴＣ陶瓷中Ｐｂ 的影响以及改善其性能的研究，并对ＰＴＣ低温烧结作用机制及其途径进行了论述。

关键词 PTC陶瓷 高居里温度 低温烧结

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掺杂弛豫铁电陶瓷材料的电阻──温度特性 被引量：1

9

作者 王恩信 邓宏 姜斌 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期136-140,共5页

在比较铁电体材料与弛豫铁电体材料的异同之处的基础上，采用一般陶瓷工艺制备的U型电阻-温度特性热敏电阻电阻材料钛酸钡锶和钛酸铅锶等固溶体是一种掺杂弛豫铁电体。根据能带理论，用Heywang模型较好地解释了钛酸钡锶等材料中出现的U... 在比较铁电体材料与弛豫铁电体材料的异同之处的基础上，采用一般陶瓷工艺制备的U型电阻-温度特性热敏电阻电阻材料钛酸钡锶和钛酸铅锶等固溶体是一种掺杂弛豫铁电体。根据能带理论，用Heywang模型较好地解释了钛酸钡锶等材料中出现的U型电阻-温度特性。 展开更多

关键词 铁电陶瓷材料 驰豫铁电体 半导体陶瓷 电阻-温度

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半导陶瓷的红外吸收谱和喇曼散射谱 被引量：1

10

作者 胡绪洲 杨爱明 胡晓春 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第7期503-509,共7页

ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷是由ＺｒＯ２、ＳｉＯ２和Ｈ３ＰＯ４用高温固相反应制成．它的傅里叶红外吸收谱是由ＺｒＯ２和ＳｉＯ２的标准谱叠加而成．根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量．这... ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷是由ＺｒＯ２、ＳｉＯ２和Ｈ３ＰＯ４用高温固相反应制成．它的傅里叶红外吸收谱是由ＺｒＯ２和ＳｉＯ２的标准谱叠加而成．根据标准峰的位置分别计算出两种氧化物的四个基本声子能量．这些声子按照不同组合方式形成ＺｒＯ２·ＳｉＯ２·Ｐ２Ｏ５半导陶瓷的全部傅里叶红外吸收峰．半导陶瓷的喇曼背向散射峰也是由这些基本声子组合而成．对比四角和单斜ＺｒＯ２的喇曼特征谱线看出，在未掺杂和用Ｙ２Ｏ３或Ｎｂ２Ｏ５掺杂的半导陶瓷样品中，ＺｒＯ２的晶粒微结构分别属于单斜和四角对称晶系． 展开更多

关键词 半导体陶瓷 红外吸收谱 喇曼散射

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弛豫铁电陶瓷PST中反相畴结构的HREM研究 被引量：1

11

作者 蔡丽英 张孝文 王新荣 《电子显微学报》 CAS CSCD 1995年第5期354-360,共7页

本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Ｐｂ（Ｓｃ＿（０．５）Ｔａ＿（０．５）Ｏ＿３（ＰＳＴ）中的有序－无序结构，直接观察到有序－无序结构畴界及反相畴界（ＡＰＢｓ），对反相畴界的结构进行了分析，指出在ＰＳＴ中的... 本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Ｐｂ（Ｓｃ＿（０．５）Ｔａ＿（０．５）Ｏ＿３（ＰＳＴ）中的有序－无序结构，直接观察到有序－无序结构畴界及反相畴界（ＡＰＢｓ），对反相畴界的结构进行了分析，指出在ＰＳＴ中的反相畴往往是｛１１１｝面的层错，晶格位移在｛１１１｝方向上，位移量是｛１１１｝。提出了在ＰＳＴ中ＡＰＢｓ形成的机制。 展开更多

关键词 弛豫铁电陶瓷 反相畴结构 电子显微学

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Nb掺杂浓度对BaTiO_3陶瓷半导化的影响 被引量：1

12

作者 刘宏 赵超 《山东轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 1991年第2期23-29,共7页

本文就Nb掺杂BaTiO_3陶瓷中电阻率分布不均匀现象进行了实验研究,结果表明在掺杂量处在半导化组分附近的样品中电阻率分布存在有规律的分层现象,在此基础上对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的室温电阻率随掺杂量的变化规律作出了新解释,并对分层... 本文就Nb掺杂BaTiO_3陶瓷中电阻率分布不均匀现象进行了实验研究,结果表明在掺杂量处在半导化组分附近的样品中电阻率分布存在有规律的分层现象,在此基础上对施主掺杂BaTiO_3陶瓷的室温电阻率随掺杂量的变化规律作出了新解释,并对分层现象形成的原因作了初步探讨。 展开更多

关键词 BATIO3陶瓷 半导体 施主掺杂 NB

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ZnO-SnO_2—Cr_2O_3系半导体陶瓷高温湿敏特性研究

13

作者 潘晓光 汤清华 叶龙 《传感技术学报》 CAS CSCD 1996年第3期8-12,共5页

研究了ZnO-SnO_2-Cr_2O_3,系半导体陶瓷在高温下的湿敏特性.根据实验结果,对其敏感机理进行了探讨.

关键词 半导体陶瓷 表面吸附 湿敏特性 高温

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施主掺杂钛酸钡陶瓷最大势垒高度计算

14

作者 赵双群 《兰州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期34-38,共5页

在不同的施主杂质Nb2O5含量下,对BaTiO3半导陶瓷样品测量了电流—电压关系,发现结果不遵循经典的海旺(Heywang)模型,而与从修正的势垒模型出发得到的结果符合较好.根据修正的势垒模型。

关键词 钛酸钡 半导陶瓷 施主 势垒模型

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空气中烧成锌电极浆料的研究 被引量：3

15

作者 罗小巧 邓传益 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第5期332-334,353,共4页

半导瓷用锌电极浆料可在空气中烧成。材料配方的选择和工艺的优化是实验的关键。实验中以硼硅铅玻璃和金属有机化合物作为锌电极浆料的粘结剂和抗氧化剂，取得了良好的效果。

关键词 锌电极 欧姆接触 PTCR 半导体陶瓷

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半导瓷材料湿敏特性及机理的研究 被引量：1

16

作者 王毅 王连星 《西北轻工业学院学报》 1991年第2期39-42,共4页

关键词 半导体陶瓷 湿敏特性 湿敏元件

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原材料中的结晶水对多孔性PTC陶瓷性能的影响

17

作者 梁瑞林 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期67-73,共7页

针对原材料有机酸金属盐草酸氧钛钡中结晶水含量的不同,文中研究了对多孔性PTC陶瓷的性能的影响;同时,通过分析以结晶水含量不同的两种同类盐为主原料制备的多孔性PTC陶瓷的性能,提出了多孔性PTC陶瓷的不同特性分别取决于陶瓷中的大晶... 针对原材料有机酸金属盐草酸氧钛钡中结晶水含量的不同,文中研究了对多孔性PTC陶瓷的性能的影响;同时,通过分析以结晶水含量不同的两种同类盐为主原料制备的多孔性PTC陶瓷的性能,提出了多孔性PTC陶瓷的不同特性分别取决于陶瓷中的大晶粒和小晶粒的新观点。 展开更多

关键词 结晶水 有机酸金属盐 多孔性陶瓷

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BaTiO_3半导瓷在电功率作用下的PTC特性

18

作者 李标荣 朱小荣 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1997年第2期5-9,共5页

ＢａＴｉＯ３半导瓷在电功率作用下的ＰＴＣ特性最好用电阻率－电场强度（ρ－Ｅ）特性曲线表示。ρ－Ｅ特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ－Ｅ特性也不同，ρ－Ｅ特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能... ＢａＴｉＯ３半导瓷在电功率作用下的ＰＴＣ特性最好用电阻率－电场强度（ρ－Ｅ）特性曲线表示。ρ－Ｅ特性能很好地反映电功率作用下电阻突跃变化程度。不同散热条件的ρ－Ｅ特性也不同，ρ－Ｅ特性同时还能表示该元件的抗电场击穿能力。散热条件良好，可产生更大的电热功率。 展开更多

关键词 正温度系数 钛酸钡半导瓷 功率击穿

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高温BaTiO_3PTCR材料的研究

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作者 宿元斌 《山东电子》 1999年第1期38-39,共2页

本文提出了一种新型的高温ＢａＴｉＯ３ＰＴＣＲ材料的制备方法。研究了它的导电机理，给出了材料的组分，工艺条件及主要参数，提出了改进性能的途径。

关键词 PTCR 半导化 半导体陶瓷材料

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