PVDF压电薄膜在结构监测中的应用初探 被引量：15

1

作者 万建国 石立华 +1 位作者 朱纪军 陶宝琪 《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第1期18-24,共7页

本研究对采用PVDF压电薄膜监测结构的基本特性进行了较为系统的研究.分别做了PVDF压电薄膜监测结构的静态和动态响应实验,实验结果表明:PVDF压电薄膜监测结构应变的灵敏度很高,其静态响应的线性度也很好,而其动态响应则有非线性和迟滞现... 本研究对采用PVDF压电薄膜监测结构的基本特性进行了较为系统的研究.分别做了PVDF压电薄膜监测结构的静态和动态响应实验,实验结果表明:PVDF压电薄膜监测结构应变的灵敏度很高,其静态响应的线性度也很好,而其动态响应则有非线性和迟滞现象.对于用PVDF压电薄膜监测结构的冲击载荷也进行了初步的研究,实验结果表明采用PVDF压电薄膜可以实时监测结构所受的冲击载荷,并能及时反应出结构所受到的冲击损伤. 展开更多

关键词 PVDF 压电薄膜 结构监测 压电陶瓷

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PZT非线性特性的研究 被引量：11

2

作者 唐凤 黄尚廉 刘光聪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期180-183,191,共5页

对ＰＺＴ的非线性特性进行了理论和实验研究，给出了施加不同电压时ＰＺＴ机电耦合特性的实验曲线，详细讨论了施加电压过程与所产生的机械变形之间的关系。最后根据实验结果给出了ＰＺＴ用作执行元件时的线性工作区。

关键词 PZT 非线性 执行器 锆钛酸铅 压电陶瓷

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xPb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_(3-y)PbTiO_(3-z)PbZrO_3压电陶瓷的研究 被引量：5

3

作者 董火民 王矜奉 +4 位作者 王勇军 刘宏 陈洪存 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期329-331,336,共4页

对ｘ Ｐｂ（ Ｙ１／２ Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ｙ Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ｚ Ｐｂ Ｚｒ Ｏ３ 三元系陶瓷材料进行了研究，对其压电与介电性能进行了测量，发现该三元系材料在 ｘ＝ ０．２～０．５，ｙ＝ ０．４３～０．４６，ｚ＝ ０．５５～０... 对ｘ Ｐｂ（ Ｙ１／２ Ｎｂ１／２ ） Ｏ３ｙ Ｐｂ Ｔｉ Ｏ３ｚ Ｐｂ Ｚｒ Ｏ３ 三元系陶瓷材料进行了研究，对其压电与介电性能进行了测量，发现该三元系材料在 ｘ＝ ０．２～０．５，ｙ＝ ０．４３～０．４６，ｚ＝ ０．５５～０．５８ 具有优异的压电性能，在该范围内，陶瓷材料的居里点在 ４００ ° Ｃ以上。实验表明该材料是一种具有良好应用前景的压电材料。 展开更多

关键词 三元系陶瓷 压电陶瓷 介电 准同型相界

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压电复合材料薄壳结构振动主动控制 被引量：4

4

作者 陈勇 陶宝祺 +2 位作者 刘果 金江 万建国 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期228-232,共5页

对表面粘贴压电元件的复合材料薄壳结构的应变驱动原理、振动控制方程进行了分析。建立了自适应控制系统，对粘贴了压电材料的玻纤／环氧圆柱壳的振动进行了主动控制实验。结果表明，压电自适应壳结构能对薄壳的振动进行有效抑制，同时... 对表面粘贴压电元件的复合材料薄壳结构的应变驱动原理、振动控制方程进行了分析。建立了自适应控制系统，对粘贴了压电材料的玻纤／环氧圆柱壳的振动进行了主动控制实验。结果表明，压电自适应壳结构能对薄壳的振动进行有效抑制，同时使壳体噪声辐射得到显著衰减。 展开更多

关键词 复合材料 压电陶瓷 振动主动控制

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分割电极片状压电致动器——(一)端部位移和电场诱导应力的理论研究 被引量：2

5

作者 王志宏 王三红 +1 位作者 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期308-312,共5页

研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。沿厚度方向极化的ＰＺＴ压电陶瓷薄长片，一端固定、一端自由构成悬臂梁。其上下两表面的电极均沿长度方向分割成对称的两部分。施加电场使其中一半在ｄ３１模式作用下伸长，而与其对... 研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。沿厚度方向极化的ＰＺＴ压电陶瓷薄长片，一端固定、一端自由构成悬臂梁。其上下两表面的电极均沿长度方向分割成对称的两部分。施加电场使其中一半在ｄ３１模式作用下伸长，而与其对称的另一半缩短，则压电片沿宽度方向产生弯曲，自由端便可产生致动位移。理论分析结果表明，在适当的驱动电场（不低于１００Ｖ／ｍｍ）作用下，毫米尺寸的致动器可产生微米量级的端部致动位移。电场诱导应力远小于材料的抗张强度。该分割电极压电致动器可用于精密定位，尤其适合在高密度硬磁盘驱动器的磁头定位两级伺服系统中作第二级致动器。 展开更多

关键词 致动器 压电陶瓷 分割电极 端部致动位移

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模糊控制在压电陶瓷控制中的应用 被引量：5

6

作者 傅星 胡小唐 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期200-202,共3页

压电陶瓷已在各种精密仪器控制中广泛应用。但是由于压电陶瓷的非线性使控制复杂，而且控制精度受到影响。本文作者在扫描隧道显微镜探针高度调节中，将模糊控制用于压电陶瓷的控制，取得了较通常采用的控制方法更为理想的效果。

关键词 压电陶瓷 模糊控制 扫描隧道显微镜 应用

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PBSZT弛豫铁电陶瓷偏压压电效应的研究 被引量：1

7

作者 伍建新 庄志强 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期415-419,共5页

研究了镧和铋掺杂的锆钛酸铅钡锶（ＰＢＳＺＴ）弛豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε３３、平面机电耦合系数ｋｐ 和等效横向压电常数ｄ３１。实验表明，ＰＢＳＺＴ弛豫铁电陶瓷的ｄ３１值可由直流偏压控制且温度系数远小... 研究了镧和铋掺杂的锆钛酸铅钡锶（ＰＢＳＺＴ）弛豫铁电陶瓷在不同直流偏压及温度下的介电常数ε３３、平面机电耦合系数ｋｐ 和等效横向压电常数ｄ３１。实验表明，ＰＢＳＺＴ弛豫铁电陶瓷的ｄ３１值可由直流偏压控制且温度系数远小于ＰＭＮ－ＰＴ系陶瓷。室温下镧和铋掺杂的ＰＢＳＺＴ陶瓷在１０ ｋＶ／ｃｍ 的偏压下｜ｄ３１｜分别为２１０ ｐＣ／Ｎ和２２０ ｐＣ／Ｎ。 展开更多

关键词 偏压压电效应 锆钛酸铅钡锶 弛豫铁电陶瓷

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PNN/PZT系梯度功能压电材料的离子互扩散

8

作者 朱信华 徐捷 孟中岩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期181-187,共7页

本文研究了PNN／PZT系梯度功能压电材料中，不同离子（Nb5+、Ni2+、Zr4+、Ti4+）的互扩散反应随扩散温度和扩散时间的变化规律．利用电子探计（EPMA）测量了离子的组份分布，确定了离子互扩散层的厚度．采用“薄板扩散叠加”模型，对Ni2... 本文研究了PNN／PZT系梯度功能压电材料中，不同离子（Nb5+、Ni2+、Zr4+、Ti4+）的互扩散反应随扩散温度和扩散时间的变化规律．利用电子探计（EPMA）测量了离子的组份分布，确定了离子互扩散层的厚度．采用“薄板扩散叠加”模型，对Ni2+、Nb5+、Ti4+和Zr4+离子的组份分布进行了计算机数值模拟，结果与EPMA实验相吻合．估算了离子的扩散系数与表观激活能，并对此进行了讨论． 展开更多

关键词 离子互扩散 PNN PZT 压电材料 压电陶瓷

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计算压电材料Ⅲ型裂纹的能量释放率及其强度因子K_Ⅲ和K_ⅣⅡ．刚度微分法

9

作者 杨晓翔 匡震邦 范家齐 《大庆石油学院学报》 北大核心 1996年第1期119-124,共6页

利用压电材料面外剪切问题的有限元数值解作为真实场，用压电材料Ⅲ型裂纹的裂端渐近解作为辅助场，把刚度微分法推广到压电材料Ⅲ型裂纹问题的计算中，并且给出了能量释放率Ｇ和应力强度因子ＫⅢ及电位移强度因子ＫⅣ的计算公式。利用... 利用压电材料面外剪切问题的有限元数值解作为真实场，用压电材料Ⅲ型裂纹的裂端渐近解作为辅助场，把刚度微分法推广到压电材料Ⅲ型裂纹问题的计算中，并且给出了能量释放率Ｇ和应力强度因子ＫⅢ及电位移强度因子ＫⅣ的计算公式。利用此公式计算了含裂纹长２α的无限压电板面外剪切问题，计算结果的相对误差均小于１．５％。这一方法可广泛应用于压电材料面外剪切情况下的强度因子分析。 展开更多

关键词 压电材料 强度因子 有限元法 能量释放率 陶瓷

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用于45nm及以下集成电路工艺的高介电常数绝缘栅材料

10

作者 季振国 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期676-676,共1页

金属-氧化物-半导体结构（MOS）是目前电子器件中最重要的器件之一，现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展，MOS技术到达了一个关键的转折点．由于器件尺寸不断缩小，导致MOS中氧化层厚度相应减小，电... 金属-氧化物-半导体结构（MOS）是目前电子器件中最重要的器件之一，现代电子技术可以说是建立在MOS器件之上的。随着集成电路技术的不断发展，MOS技术到达了一个关键的转折点．由于器件尺寸不断缩小，导致MOS中氧化层厚度相应减小，电子的隧道穿透效应逐渐显现出来，引起的棚极-沟道漏电流急剧增大，导致器件发热量增加、性能下降甚至失效，因此限制了MOS器件尺寸的进一步缩小． 展开更多

关键词 集成电路工艺 高介电常数 栅材料 MOS器件 现代电子技术 电子器件 绝缘 集成电路技术

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扫描声学显微镜对压电复合材料结构的研究

11

作者 张谦琳 库兹,阿 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期30-31,34,共3页

对以聚氯乙烯为基体、压电陶瓷粉为增强颗粒的压电复合材料的颗粒分布用扫描声学显微镜进行了显微成像研究。结果表明，在垂直注入增强颗粒的情况下，由于重力的作用，恳浮颗粒的浓度沿垂直方向进行再分布，Ｎ＿ｍａｘ与颗粒大小和聚合... 对以聚氯乙烯为基体、压电陶瓷粉为增强颗粒的压电复合材料的颗粒分布用扫描声学显微镜进行了显微成像研究。结果表明，在垂直注入增强颗粒的情况下，由于重力的作用，恳浮颗粒的浓度沿垂直方向进行再分布，Ｎ＿ｍａｘ与颗粒大小和聚合基体的力学性能有关。 展开更多

关键词 压电复合材料 扫描声学显微镜 增强颗粒分布

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改善PZT微位移器线性的一种方法 被引量：1

12

作者 刘晖 朱日宏 陈进榜 《光电工程》 CAS CSCD 1998年第5期66-69,共4页

根据锆钛酸铅压电陶瓷堆（ＰＺＴ）的逆压电效应，。设计了以８０３１单片机为核心的压电陶瓷堆微位移器，提高了ＰＺＴ的线性，从而满足了在天文自适应系统中所要求的精确微位移的应用。

关键词 锆钛酸铅 压电陶瓷 微位移驱动器 天文仪器

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高介电常数压电陶瓷材料研究 被引量：5

13

作者 蔡晓峰 邱海波 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1999年第3期15-17,共3页

本文对ＰＺＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ四元系统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等元素对部分Ｐｂ的置换以及用Ｌｉ２ＣＯ３、Ｓｂ２Ｏ３等适当地掺杂改性，可获得介电常数ε３３／ε０～７０００、ｄ３３～８００ｐ... 本文对ＰＺＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ四元系统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等元素对部分Ｐｂ的置换以及用Ｌｉ２ＣＯ３、Ｓｂ２Ｏ３等适当地掺杂改性，可获得介电常数ε３３／ε０～７０００、ｄ３３～８００ｐｃ／Ｎ、Ｋｐ～０．６５的一系列高性能压电陶瓷。 展开更多

关键词 压电陶瓷 高介电常数 陶瓷

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切向极化同轴压电陶瓷圆片堆的扭转振动研究 被引量：1

14

作者 林书玉 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1994年第6期47-51,共5页

利用压电陶瓷的压电及运动方程。研究了切向极化压电陶瓷细棒及同轴压电陶瓷堆的扭转振动。推出了单一压电陶瓷细棒扭转振动的机电等效图及其输入电阻抗。并得出了其频率方程。在此基础上，利用四端网络理论，研究了切向极化同轴压电陶... 利用压电陶瓷的压电及运动方程。研究了切向极化压电陶瓷细棒及同轴压电陶瓷堆的扭转振动。推出了单一压电陶瓷细棒扭转振动的机电等效图及其输入电阻抗。并得出了其频率方程。在此基础上，利用四端网络理论，研究了切向极化同轴压电陶瓷圆片堆的扭转振动特性，并得出了其网络方程及机电等效图。文中还给出了截面扭转系数以及压电陶瓷细棒扭转振动的机电耦合系数等概念。 展开更多

关键词 切向极化 压电陶瓷 扭转振动 研究

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PZN-PNN-PZT体系压电陶瓷 被引量：8

15

作者 蔡晓峰 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期242-244,262,共4页

对ＰＺＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ四元系统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等元素对部分Ｐｂ的置换以及用Ｌｉ２ＣＯ３、Ｓｂ２Ｏ３等适当地掺杂改性，可获得相对介电常数ε３３／ε０约７０００，压电应变常数ｄ３... 对ＰＺＮ－ＰＮＮ－ＰＺＴ四元系统压电陶瓷组成与性能的关系进行了研究。通过Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等元素对部分Ｐｂ的置换以及用Ｌｉ２ＣＯ３、Ｓｂ２Ｏ３等适当地掺杂改性，可获得相对介电常数ε３３／ε０约７０００，压电应变常数ｄ３３约８００ｐＣ／Ｎ，机电耦合系数ｋｐ约０．６５的一系列高性能压电陶瓷，是用于制作压电超声马达及各类高档压电电声器件的良好材料。 展开更多

关键词 压电陶瓷 PZN-PNN-PZT 高介电常数

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高介电常数覆铜箔金属基复合微波介质基板的研制 被引量：4

16

作者 刘军 《覆铜板资讯》 2008年第2期17-20,共4页

本研究采用PPO树脂体系,同时采用介电常数调节剂——复合陶瓷粉材料,研制开发出了介电常数为6～10、介质损耗因数为小于0.005的金属基高频电路用覆铜板。

关键词 PPO 金属基 覆铜板 高频 介电常数调节剂 陶瓷粉

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大功率发射型压电材料的研制

17

作者 陈贤明 杨德清 汪跃群 《声学与电子工程》 1998年第2期20-22,共3页

通过配方和工艺研究,制成了一种适合大功率发射用的压电材料。经装配成换能器后实际使用,效果良好。

关键词 发射型 压电材料 材料配方 研制工艺

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