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压电陶瓷的极化反转过程 被引量:3
1
作者 凌志远 熊茂仁 陈楷 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期530-533,共4页
利用阻抗分析仪和重复迭代法,对Pb(Mg1/3Nb2/3)0.125Ti0.42Zr0.455O3压电陶瓷的极化反转过程进行了研究。实验数据显示出了铁电畴随电场变化的整个开关过程,发现极化反转前后压电性有着明显的不对称性,这一异常现象是和场诱应... 利用阻抗分析仪和重复迭代法,对Pb(Mg1/3Nb2/3)0.125Ti0.42Zr0.455O3压电陶瓷的极化反转过程进行了研究。实验数据显示出了铁电畴随电场变化的整个开关过程,发现极化反转前后压电性有着明显的不对称性,这一异常现象是和场诱应变、电滞回线数据相互对应的。经比较研究后认为,影响极化反转前后压电对称性的机理是空间电荷在晶粒表面积聚形成内偏置电场,由此建立的理论模型可以作出合理的解释。 展开更多
关键词 极化反转 压电陶瓷 压电性 空间电荷
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锆钛酸铅/高分子复合膜的吸声特性 被引量:27
2
作者 成国祥 沈锋 +4 位作者 卢涛 万怡灶 孙清池 刘静 姚康德 《高分子材料科学与工程》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期133-135,共3页
以锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷微粒为填料,分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得PZT/高分子(PZT/P)复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明,在声频375~20... 以锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷微粒为填料,分别与丙烯酸酯共聚物和环氧树脂复合制得PZT/高分子(PZT/P)复合膜。用驻波管法测定了复合膜的吸声特性。用动态粘弹仪测定了复合膜的阻尼特性。实验结果表明,在声频375~2000Hz范围内,在聚合物中加入PZT微粒并使其极化产生压电性,可使其吸声性能增加。动态粘弹实验结果表明。 展开更多
关键词 PZT 高分子复合膜 吸声特性 锆钛酸铅 压电陶瓷
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PVDF压电薄膜在结构监测中的应用初探 被引量:15
3
作者 万建国 石立华 +1 位作者 朱纪军 陶宝琪 《传感技术学报》 CAS CSCD 1998年第1期18-24,共7页
本研究对采用PVDF压电薄膜监测结构的基本特性进行了较为系统的研究.分别做了PVDF压电薄膜监测结构的静态和动态响应实验,实验结果表明:PVDF压电薄膜监测结构应变的灵敏度很高,其静态响应的线性度也很好,而其动态响应则有非线性和迟滞现... 本研究对采用PVDF压电薄膜监测结构的基本特性进行了较为系统的研究.分别做了PVDF压电薄膜监测结构的静态和动态响应实验,实验结果表明:PVDF压电薄膜监测结构应变的灵敏度很高,其静态响应的线性度也很好,而其动态响应则有非线性和迟滞现象.对于用PVDF压电薄膜监测结构的冲击载荷也进行了初步的研究,实验结果表明采用PVDF压电薄膜可以实时监测结构所受的冲击载荷,并能及时反应出结构所受到的冲击损伤. 展开更多
关键词 PVDF 压电薄膜 结构监测 压电陶瓷
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ZnO压敏陶瓷的晶粒生长和电学性能 被引量:15
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作者 章天金 周东祥 龚树萍 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期921-926,共6页
研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响,分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型,应用晶粒生长的动力学方程:确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果表明:对于低压ZnO压敏陶瓷,其晶... 研究了不同价态Co、Mn添加物对低压ZnO压敏陶瓷晶粒生长和电学性能的影响,分析了由于不同价态Mn和Co掺杂所产生的缺陷类型,应用晶粒生长的动力学方程:确定了晶粒生长的动力学指数和激活能.实验结果表明:对于低压ZnO压敏陶瓷,其晶粒生长的动力学指数n=6,激活能E=224±17kJ/mol,随着Mn、Co价态的增加,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小增加,提高烧结温度,ZnO压敏陶瓷的压敏场强E1mA降低,漏电流IL增加,非线性系数α降低.在低压ZnO压敏陶瓷的制备过程中,烧结温度以不超过1250℃为宜. 展开更多
关键词 晶粒生长 电性能 价态 氧化锌陶瓷 压敏陶瓷
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逆压电效应的压电常数和压电陶瓷微位移驱动器 被引量:16
5
作者 陈大任 李国荣 殷庆瑞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期861-866,共6页
本文介绍了由过压电效应的应变-电场曲线测得弱场和强场下的压电常数d_33、d_31.测量发现S~E曲线上呈现应变和压电系数突增的阈值场强E_b,用铁电陶瓷固有的90°畴转向对应变的贡献进行了分析和讨论.该方法与以往常用的正压电效... 本文介绍了由过压电效应的应变-电场曲线测得弱场和强场下的压电常数d_33、d_31.测量发现S~E曲线上呈现应变和压电系数突增的阈值场强E_b,用铁电陶瓷固有的90°畴转向对应变的贡献进行了分析和讨论.该方法与以往常用的正压电效应的压电常数测试相比,方便、简单,尤其对过压电效应的压电微位移驱动器应用更具有实际意义. 展开更多
关键词 压电常数 逆压电效应 压电陶瓷 微位移器
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结构振动控制中压电阻尼技术研究:(二)压电主动阻尼技术 被引量:8
6
作者 唐永杰 晏砺堂 +1 位作者 胡选利 张升陛 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期28-31,共4页
对压电主动阻尼技术进行了理论和实验研究,结果表明,采用压电陶瓷元件(PZT-51)作为控制系统中的传感器与致动器,通过主动阻尼控制键,能有效抑制结构的振动响应.
关键词 振动 阻尼 压电材料 主动控制
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压电陶瓷微位移特性的电脑接触式干涉测量法 被引量:7
7
作者 朱煜 陈进榜 +2 位作者 朱日宏 王青 陈磊 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期283-286,共4页
介绍了压电陶瓷微位移器的工作原理,在此基础上提出了一种用由立式接触式干涉仪改造的电脑接触式干涉仪测量微位移特性的方法。其完善的测试软件系统,实现了对压电陶瓷微位移量的自动化、智能化精密测量。并对自行设计的压电陶瓷微位... 介绍了压电陶瓷微位移器的工作原理,在此基础上提出了一种用由立式接触式干涉仪改造的电脑接触式干涉仪测量微位移特性的方法。其完善的测试软件系统,实现了对压电陶瓷微位移量的自动化、智能化精密测量。并对自行设计的压电陶瓷微位移装置进行了测试,得出电压-位移的关系曲线和迟滞曲线,精度和重复性值达0.01μm。 展开更多
关键词 压电陶瓷 微位移 电脑接触式 干涉仪
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PZT非线性特性的研究 被引量:11
8
作者 唐凤 黄尚廉 刘光聪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1997年第3期180-183,191,共5页
对PZT的非线性特性进行了理论和实验研究,给出了施加不同电压时PZT机电耦合特性的实验曲线,详细讨论了施加电压过程与所产生的机械变形之间的关系。最后根据实验结果给出了PZT用作执行元件时的线性工作区。
关键词 PZT 非线性 执行器 锆钛酸铅 压电陶瓷
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压电晶体位移特性曲线干涉自动测量方法 被引量:5
9
作者 朱日宏 王青 +1 位作者 陈磊 陈进榜 《光子学报》 EI CAS CSCD 1998年第2期180-184,共5页
本文提出了压电晶体(PZT)位移物曲线自动干涉测量方法,该方法利用干涉仪把PZT的微位移量转化成干涉条纹相位变化量,通过快速傅里叶变换(FFT)方法自动复原干涉条纹中包含的相位的变化量,从而高精度地检测出PZT的位移... 本文提出了压电晶体(PZT)位移物曲线自动干涉测量方法,该方法利用干涉仪把PZT的微位移量转化成干涉条纹相位变化量,通过快速傅里叶变换(FFT)方法自动复原干涉条纹中包含的相位的变化量,从而高精度地检测出PZT的位移特性曲线根据该方法,利用CCD摄象机、图象板和干涉仪组合成一套光、机、电一体化的微位移自动测试系统,实际测量了我们研制的PZT随电压变化的位移特性曲线实验表明,该方法原理实现简单,且能实现高精度、自动。 展开更多
关键词 干涉仪 FFT 干涉测量 压电晶体 位移特性曲线
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xPb(Y_(1/2)Nb_(1/2))O_(3-y)PbTiO_(3-z)PbZrO_3压电陶瓷的研究 被引量:5
10
作者 董火民 王矜奉 +4 位作者 王勇军 刘宏 陈洪存 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第4期329-331,336,共4页
对x Pb( Y1/2 Nb1/2 ) O3y Pb Ti O3z Pb Zr O3 三元系陶瓷材料进行了研究,对其压电与介电性能进行了测量,发现该三元系材料在 x= 0.2~0.5,y= 0.43~0.46,z= 0.55~0... 对x Pb( Y1/2 Nb1/2 ) O3y Pb Ti O3z Pb Zr O3 三元系陶瓷材料进行了研究,对其压电与介电性能进行了测量,发现该三元系材料在 x= 0.2~0.5,y= 0.43~0.46,z= 0.55~0.58 具有优异的压电性能,在该范围内,陶瓷材料的居里点在 400 ° C以上。实验表明该材料是一种具有良好应用前景的压电材料。 展开更多
关键词 三元系陶瓷 压电陶瓷 介电 准同型相界
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压电陶瓷带形中Ⅲ型裂纹的精确分析解 被引量:10
11
作者 李显方 范天佑 《力学学报》 EI CSCD 北大核心 2002年第3期335-343,共9页
分析无限长压电带形中的Ⅲ型裂纹问题.主要讨论了在带形边界受四种机电组合载荷情况下裂纹位于带形中平面上的情形.通过积分变换,与其相应的复合边值问题分别转化为对偶积分方程组.使用对偶积分方程的熟知结果,获得了裂纹线上电弹性... 分析无限长压电带形中的Ⅲ型裂纹问题.主要讨论了在带形边界受四种机电组合载荷情况下裂纹位于带形中平面上的情形.通过积分变换,与其相应的复合边值问题分别转化为对偶积分方程组.使用对偶积分方程的熟知结果,获得了裂纹线上电弹性场的明显的解析表达式及在裂尖处一些量的强度因子和能量释放率公式.与已知的近似解比较,所得结果是以封闭形式给出的精确解. 展开更多
关键词 压电陶瓷 无限带形 电弹性场 Ⅲ型裂纹 精确分析解 积分变换 机电偶合 能量释放率公式 封闭形式
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串联2-2复合材料的介电性和压电性 被引量:4
12
作者 严继康 张建成 +3 位作者 陈洁 吴晓岚 沈悦 吴文彪 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第6期428-431,共4页
以PZT为陶瓷相,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为聚合物相,采用热压法制备了串联2-2型样品。测试了串联2-2型压电复合材料的介电、压电性能。实验结果表明,串联2-2型复合材料的压电应变系数d33及介电常数ε均较小;在低... 以PZT为陶瓷相,以聚偏二氟乙烯(PVDF)为聚合物相,采用热压法制备了串联2-2型样品。测试了串联2-2型压电复合材料的介电、压电性能。实验结果表明,串联2-2型复合材料的压电应变系数d33及介电常数ε均较小;在低频,由于界面极化引起的夹层损耗,其介电损耗tgδ则较大。 展开更多
关键词 2-2型 压电复合材料 介电性 压电性 压电陶瓷
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压电复合材料薄壳结构振动主动控制 被引量:4
13
作者 陈勇 陶宝祺 +2 位作者 刘果 金江 万建国 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1998年第4期228-232,共5页
对表面粘贴压电元件的复合材料薄壳结构的应变驱动原理、振动控制方程进行了分析。建立了自适应控制系统,对粘贴了压电材料的玻纤/环氧圆柱壳的振动进行了主动控制实验。结果表明,压电自适应壳结构能对薄壳的振动进行有效抑制,同时... 对表面粘贴压电元件的复合材料薄壳结构的应变驱动原理、振动控制方程进行了分析。建立了自适应控制系统,对粘贴了压电材料的玻纤/环氧圆柱壳的振动进行了主动控制实验。结果表明,压电自适应壳结构能对薄壳的振动进行有效抑制,同时使壳体噪声辐射得到显著衰减。 展开更多
关键词 复合材料 压电陶瓷 振动主动控制
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Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti系列高温压电陶瓷材料及其压电性能的研究 被引量:14
14
作者 黄宣威 李承恩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期59-64,共6页
本文开展了对CaBi4Ti4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好的Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi... 本文开展了对CaBi4Ti4O15基料的置换和掺杂的研究,获得一个较好的Ca-(Na,Ce)-Bi-Ti材料系列,并在该材料系列的基础上再进行一元和多元掺杂,使它的d33值较CaBi4Ti4O15有较大程度的改善,其电阻率、电容和损耗的温度系数也均优于CaBi4Ti4O15,是一种较有开发潜力的高温压电陶瓷材料. 展开更多
关键词 高温 压电陶瓷 压电性 钙钛矿型
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TiO_2系复合功能陶瓷的电性能研究 被引量:4
15
作者 武明堂 张卫 +1 位作者 刘辅宜 李平 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第3期288-294,共7页
本文从材料设计的角度出发,参考电容-压敏复合功能陶瓷的理想结构,通过 Sb_2O_5施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,借助 MnO_2的掺杂,调节材料的晶界势垒高度,探讨了它们对压敏特性和电容特性的影响.文中还对非线性系数、介电常数的理论值... 本文从材料设计的角度出发,参考电容-压敏复合功能陶瓷的理想结构,通过 Sb_2O_5施主掺杂控制材料的晶粒电阻率,借助 MnO_2的掺杂,调节材料的晶界势垒高度,探讨了它们对压敏特性和电容特性的影响.文中还对非线性系数、介电常数的理论值和实验值进行了比较. 展开更多
关键词 二氧化钛 压电陶瓷 电性能
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掺Pb[(Y_(1/2)Nb_(1/2))_(0.06)(Zr_(1/2)Ti_(1/2))_(0.94)]O_3铁电陶瓷的性能 被引量:2
16
作者 董火民 王矜奉 +4 位作者 王勇军 陈洪存 刘华 张沛霖 钟维烈 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第5期396-400,共5页
研究了MnO2、MgO 掺杂的0.06Pb(Y1/2Nb1/2)O3-0.94Pb(Zr1/2Ti1/2)O3 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数;获得... 研究了MnO2、MgO 掺杂的0.06Pb(Y1/2Nb1/2)O3-0.94Pb(Zr1/2Ti1/2)O3 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数;获得掺杂物与这些性能之间的关系;对实验现象进行了简单的讨论。 展开更多
关键词 掺杂物 压电性 机电耦合系数 三元系 铁电陶瓷
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PZN-PZT压电陶瓷高温石墨还原行为研究 被引量:2
17
作者 魏晓勇 陈大任 李国荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期692-698,共7页
为研制具有超大位移量的 R A I N B O W 新型压电微位移驱动器, 对制备该器件所用铌锌酸铅锆钛酸铅( P Z N P Z T) 压电陶瓷材料的还原行为进行了初步研究, 观察到还原样品断口上呈现出清晰的多层层次结构采用 ... 为研制具有超大位移量的 R A I N B O W 新型压电微位移驱动器, 对制备该器件所用铌锌酸铅锆钛酸铅( P Z N P Z T) 压电陶瓷材料的还原行为进行了初步研究, 观察到还原样品断口上呈现出清晰的多层层次结构采用 S E M、 X R D 和电导率测量等研究方法, 研究了还原样品各层次的断口形貌、物相组成和导电类型, 对 P Z N P Z T 压电陶瓷材料在高温下被石墨还原的过程和机理作了初步解释研究表明还原反应是按照先晶界后晶粒的顺序进行, 各层的导电类型随还原程度由浅到深呈现出绝缘体型半导体型金属型的变化规律, 对于轻度还原层, 仍保持着初始的固溶体晶相结构, 相应地对深度还原层, 初始晶相结构已被破坏, 展开更多
关键词 压电微位移 驱动器 还原行为 压电陶瓷 PZN PZT
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分割电极片状压电致动器——(一)端部位移和电场诱导应力的理论研究 被引量:2
18
作者 王志宏 王三红 +1 位作者 张良莹 姚熹 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期308-312,共5页
研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。沿厚度方向极化的PZT压电陶瓷薄长片,一端固定、一端自由构成悬臂梁。其上下两表面的电极均沿长度方向分割成对称的两部分。施加电场使其中一半在d31模式作用下伸长,而与其对... 研究了悬臂梁式分割电极片状压电致动器的位移特性。沿厚度方向极化的PZT压电陶瓷薄长片,一端固定、一端自由构成悬臂梁。其上下两表面的电极均沿长度方向分割成对称的两部分。施加电场使其中一半在d31模式作用下伸长,而与其对称的另一半缩短,则压电片沿宽度方向产生弯曲,自由端便可产生致动位移。理论分析结果表明,在适当的驱动电场(不低于100V/mm)作用下,毫米尺寸的致动器可产生微米量级的端部致动位移。电场诱导应力远小于材料的抗张强度。该分割电极压电致动器可用于精密定位,尤其适合在高密度硬磁盘驱动器的磁头定位两级伺服系统中作第二级致动器。 展开更多
关键词 致动器 压电陶瓷 分割电极 端部致动位移
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模糊控制在压电陶瓷控制中的应用 被引量:5
19
作者 傅星 胡小唐 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第3期200-202,共3页
压电陶瓷已在各种精密仪器控制中广泛应用。但是由于压电陶瓷的非线性使控制复杂,而且控制精度受到影响。本文作者在扫描隧道显微镜探针高度调节中,将模糊控制用于压电陶瓷的控制,取得了较通常采用的控制方法更为理想的效果。
关键词 压电陶瓷 模糊控制 扫描隧道显微镜 应用
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激光干涉法测压电陶瓷的压电常数d_(31) 被引量:4
20
作者 范素华 王培吉 《应用光学》 CAS CSCD 1997年第4期30-32,共3页
介绍迈克尔逊干涉仪原理在测微小位移中的应用。确定一种锆钛酸铅镧(PLZT)压电陶瓷的压电常数d(31),得到了一种测d(31)的可行可靠的新方法。
关键词 激光干涉法 压电陶瓷 压电常数 干涉仪
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