自燃烧法合成BaNd_2Ti_5O_(14)的凝胶化及热处理研究 被引量：15

1

作者 张明福 赫晓东 +1 位作者 韩杰才 杜善义 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期879-883,共5页

本文研究了影响自燃烧工艺的几个工艺条件，如溶液ＰＨ值、溶液中水含量、加热温度等因素对凝胶化的影响；利用差热热重分析仪和Ｘ射线衍射仪分析了干凝胶的热历程及产物的物相结构．结果表明，自燃烧粉末的晶化峰温为 ５０９℃，在 ８... 本文研究了影响自燃烧工艺的几个工艺条件，如溶液ＰＨ值、溶液中水含量、加热温度等因素对凝胶化的影响；利用差热热重分析仪和Ｘ射线衍射仪分析了干凝胶的热历程及产物的物相结构．结果表明，自燃烧粉末的晶化峰温为 ５０９℃，在 ８００℃ 煅烧２ｈ即可得到晶化的一次颗粒＜５０ｎｍ的ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４粉末，并分析了产生温度差异的原因。 展开更多

关键词 凝胶化 自燃烧 BaNd2Ti5O14 晶化 热处理 微波瓷

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水热合成PZT热电体结晶粉末工艺及相关性能的研究 被引量：6

2

作者 惠春 徐爱兰 梁瑞林 《功能材料》 EI CAS CSCD 1995年第4期332-336,共5页

研究了水热合成ＰＺＴ热电体结晶粉末及相关性能，考察了合成温度、合成时间和促进剂对结晶栓的影响。用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和原子吸收光谱等测试手段分析了实验结果，表明这种结晶粉末的粒子粒径为０．１μｍ～３μｍ，呈立方体... 研究了水热合成ＰＺＴ热电体结晶粉末及相关性能，考察了合成温度、合成时间和促进剂对结晶栓的影响。用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＥＰＭＡ和原子吸收光谱等测试手段分析了实验结果，表明这种结晶粉末的粒子粒径为０．１μｍ～３μｍ，呈立方体状。用它制作的ＰＺＴ热电体陶瓷烧结温度１１６０℃左右，比传统的固相法降低６０℃左右，在烧结过程中ＰｂＯ的挥发达率比固相法小得多，有害杂质Ｋ￣＋离子的含量为０．００２％～０．００６％。 展开更多

关键词 水热合成 PZT 热电体 陶瓷 结晶粉末

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低温烧结AlN陶瓷基片 被引量：2

3

作者 周和平 吴音 +1 位作者 刘耀诚 缪卫国 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第3期9-11,共3页

通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提... 通过添加助烧结剂和改进粉体性能，进行ＡｌＮ陶瓷的低温致密化烧结。研究结果表明，添加以Ｄｙ２Ｏ３为主的助烧结剂系统，在１６５０℃下，无压烧结４ｈ，热导率高达１５６Ｗ／（ｍ·Ｋ）；而对ＡｌＮ粉体进行冲击波处理，可以提高粉体的烧结活性，使烧结温度降低２５℃。讨论了低温烧结ＡｌＮ陶瓷基片及低温共烧多层ＡｌＮ陶瓷基片的制备工艺。两步排胶法可以较好地解决金属Ｗ氧化及ＡｌＮ陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题，是制备ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ共烧多层基片的有效排胶方法。 展开更多

关键词 ALN陶瓷 热导率 流延成型 低温烧结 多层叠片 共烧

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共沉淀法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷的研究 被引量：5

4

作者 顾峰 沈悦 +1 位作者 王树棠 阮素香 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第5期9-10,共2页

对用化学共沉淀法制备Ｂａ （Ｍｇ１／３Ｔａ２／３） Ｏ３ （ＢＭＴ） 陶瓷及其烧结特性进行了研究。结果表明其烧结温度比用传统方法降低了１８０～２５０℃。在１ ４００℃时获得了致密的陶瓷，其体积密度达理论密度的９６％ ，晶粒... 对用化学共沉淀法制备Ｂａ （Ｍｇ１／３Ｔａ２／３） Ｏ３ （ＢＭＴ） 陶瓷及其烧结特性进行了研究。结果表明其烧结温度比用传统方法降低了１８０～２５０℃。在１ ４００℃时获得了致密的陶瓷，其体积密度达理论密度的９６％ ，晶粒排列紧密，介电特性：Ｑ×ｆ＝ ６５ ０００ ＧＨｚ，εｒ＝ ２３～２５，在ｆ＝ １０ＧＨｚ，ｔ＝ － ２０～＋ ６０℃时τｆ ＝ （０～３）×１０－ ６℃－ １。 展开更多

关键词 共沉淀法 烧结特性 钽镁酸钡陶瓷

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LTCC基板制造工艺研究 被引量：20

5

作者 董兆文 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第5期24-26,28,共4页

低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。... 低温共烧多层陶瓷（ＬＴＣＣ）基板是制造复杂微电子产品多芯片组件（ＭＣＭ）的重要部件。详细地讨论了ＬＴＣＣ基板制造工艺，介绍了多年研究之经验及国外的有关技术，还指出了目前工艺中存在的技术问题及在工艺水平上与国外的差距。采用目前工艺，可做出２０层布线、线宽及间距均为０．２０ｍｍ。 展开更多

关键词 基板 LTCC 多芯片组件 制造工艺 电工陶瓷

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sol-gel法制备微波介质陶瓷材料 被引量：7

6

作者 吴毅强 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第1期5-7,共3页

以Ｚｒ（ＮＯ３）４·５Ｈ２Ｏ、Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用溶胶－凝胶法制备了Ｚｒ－Ｔｉ－Ｓｎ系微波介质超微粉料。实验表明：温度、湿度、溶液浓度、ｐＨ值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。... 以Ｚｒ（ＮＯ３）４·５Ｈ２Ｏ、Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４、ＳｎＣｌ４·５Ｈ２Ｏ为原料，用溶胶－凝胶法制备了Ｚｒ－Ｔｉ－Ｓｎ系微波介质超微粉料。实验表明：温度、湿度、溶液浓度、ｐＨ值等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素。采用合适的工艺参数能制备出高Ｑ值的微波介质陶瓷微粉。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 微波介质陶瓷 制备工艺

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水热法合成PLZT粉末的研究

7

作者 孙彤 孙平 吴冲若 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1999年第2期6-7,13,共3页

采用水热法合成了ＰＬＺＴ（８／６５／３５）粉末。研究了反应温度、反应时间以及矿化剂浓度等不同工艺条件对生成纯钙钛矿相ＰＬＺＴ粉末的影响。晶化过程研究结果表明，在一定的工艺条件下可以合成出纯钙钛矿相的ＰＬＺＴ粉末。在生... 采用水热法合成了ＰＬＺＴ（８／６５／３５）粉末。研究了反应温度、反应时间以及矿化剂浓度等不同工艺条件对生成纯钙钛矿相ＰＬＺＴ粉末的影响。晶化过程研究结果表明，在一定的工艺条件下可以合成出纯钙钛矿相的ＰＬＺＴ粉末。在生成ＰＬＺＴ（８／６５／３５）晶相的同时，伴有其他钙钛矿杂相生成。随着反应时间增加，杂相消融，粉体逐步转化为单一的ＰＬＺＴ（８／６５／３５）相。增加矿化剂浓度可以加速转化。 展开更多

关键词 水热法 PLZT 粉末制备 电工陶瓷材料

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瘠性陶瓷粉末成型不素烧车坯粘接剂

8

作者 李秦新 皮惠阶 李光富 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1997年第4期20-22,共3页

对比试验了数种粘接剂对坯体干燥强度的影响，优选出了低灰分的J—9有机粘接剂，将它用于等静压不素烧车坯，车削坯体外形、性能良好。

关键词 粘接剂 瘠性粉料 机加工 素烧 电工陶瓷

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氧化物陶瓷成型料中的添加剂

9

作者 范恩荣 《电瓷避雷器》 CAS 北大核心 1997年第6期20-26,共7页

比较系统地介绍了氧化物陶瓷所采用的各类成型添加剂，包括压制、浇注成型和喷雾干燥制备压制粉等工艺所采用的添加剂。并分析了成型添加剂的开发方向。

关键词 氧化物陶瓷 成型工艺 添加剂 陶瓷

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激光合成Al_2O_3-WO_3陶瓷材料的显微分析

10

作者 曾祥斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第5期39-41,共3页

用Ｘ射线衍射等技术分析了激光合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料，结果表明在激光合成样品中形成柱状晶，而常规工艺和Ｎ２气氛中烧结样品不含有柱状晶，柱状晶的成分主要是Ａｌ２Ｏ３。进一步的分析表明Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷合成样品... 用Ｘ射线衍射等技术分析了激光合成Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷材料，结果表明在激光合成样品中形成柱状晶，而常规工艺和Ｎ２气氛中烧结样品不含有柱状晶，柱状晶的成分主要是Ａｌ２Ｏ３。进一步的分析表明Ａｌ２Ｏ３－ＷＯ３陶瓷合成样品的导电相是ＡｌｘＷＯ３。 展开更多

关键词 激光合成工艺 柱状晶 线性热敏电阻 电工陶瓷

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喷雾热解法制备功能材料研究进展 被引量：4

11

作者 张明福 韩杰才 +1 位作者 赫晓东 杜善义 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1999年第5期401-406,共6页

综合评述了喷雾热解技术在超导陶瓷、介质材料、固体燃料电池电极、催化剂、磁性材料、人工骨材料以及气体传感器薄膜等领域的研究进展，并指出了进一步发展的方向。

关键词 喷雾热解 功能材料 超导陶瓷 介质材料 制备

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烧成工艺对Fe-Cu系陶瓷材料负阻特性的影响

12

作者 马跃 许毓春 王礼琼 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1998年第3期7-8,20,共3页

通过大量的实验研究证明：Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料对烧成温度比较敏感，样品的烧成温区比较窄，只有２０°左右。同一烧成温度下，保温时间越长，负阻特性能越坏，击穿电压、负值系数下降。降温速率对其负阻特性没有多大影响，采取随... 通过大量的实验研究证明：Ｆｅ－Ｃｕ系陶瓷材料对烧成温度比较敏感，样品的烧成温区比较窄，只有２０°左右。同一烧成温度下，保温时间越长，负阻特性能越坏，击穿电压、负值系数下降。降温速率对其负阻特性没有多大影响，采取随炉降温即可获得负阻特性较好的样品。 展开更多

关键词 烧成工艺 铁-铜系 陶瓷材料 负阻特性

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AlN陶瓷金属化研究概况

13

作者 夏章能 徐洁 《火花塞与特种陶瓷》 1997年第2期1-3,共3页

介绍了氮化铝陶瓷金属化的不同方法（包括薄膜法、厚膜法、化学镀法）；探讨了各种方法的金属化机理，以及各自的优缺点。

关键词 氮化铝陶瓷 金属化 厚膜法 薄膜法 化学镀

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氧化铝陶瓷配方设计 被引量：1

14

作者 戴端木 《火花塞与特种陶瓷》 1997年第2期4-8,共5页

从氧化铝烧结机理、陶瓷成分与性能之间的关系，探讨了氧化铝陶瓷配方的设计或拟定。

关键词 氧化铝陶瓷 配方 添加剂 烧结

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电子陶瓷薄膜挤制成型法

15

作者 周德裕 罗秋农 林桢华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第6期37-41,共5页

一、前言 电子陶瓷薄膜基片的生产,长期以来国内一直采用滚轧法生产。它的生产效率低、成本高、产品质量差,工人劳动条件差(冬夏用电扇吹风),不能满足大生产的要求。

关键词 电子陶瓷 薄膜 陶瓷基片 挤制成型

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利用微波生产陶瓷—廉价生产的潜力所在

16

作者 温玉强 《电子陶瓷译丛》 1990年第1期44-48,共5页

关键词 微波 陶瓷 电工 加热 生产

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先进的陶瓷连接技术述评

17

作者 范光荣 《旭光技术》 1995年第1期11-20,10,共11页

关键词 陶瓷连接技术 结构陶瓷 连接法

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陶瓷——玻璃——金属的微波加热封接法

18

作者 李应凤 《旭光技术》 1995年第1期25-27,共3页

陶瓷－－玻璃－－金属的微波加热封接法是将玻璃封接材料膏剂和耦合添加剂混合，并施加到上述陶瓷和金属工件上，膏剂和工件此时最分离的，而微波加热的功率，时间和频率足以使膏剂液化，玻璃封接材料的化学反应不同于常规加热，因为这... 陶瓷－－玻璃－－金属的微波加热封接法是将玻璃封接材料膏剂和耦合添加剂混合，并施加到上述陶瓷和金属工件上，膏剂和工件此时最分离的，而微波加热的功率，时间和频率足以使膏剂液化，玻璃封接材料的化学反应不同于常规加热，因为这是由扩散形成的而不是反应物的浸润。 展开更多

关键词 陶瓷 玻璃 金属 微波加热封接法 封接法

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CO2激光在陶瓷划片,切割及打孔上的应用研究 被引量：1

19

作者 杨和逸 王君 《激光与光电子学进展》 CSCD 1996年第7期283-284,共2页

研制了一台ＣＯ２激光陶瓷划片，切割，打孔机，确定了不同厚度陶瓷片的划片、切割、打孔工艺。

关键词 陶瓷划片 切割 打孔 二氧化碳激光

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