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超二代像增强器信噪比提高方法研究
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作者 曾进能 王乙瑾 +11 位作者 李晓君 杨琼连 吴佩遥 邱祥彪 李廷涛 宋奇庚 孙正社 朱世聪 崔万兵 伏兵 王婷 褚祝军 《红外技术》 北大核心 2025年第6期681-688,共8页
本文通过理论分析结合实验验证,研究了影响超二代像增强器信噪比的主要因素。结果表明,光电阴极灵敏度、亮度增益,MCP的开口面积比、电子首次碰撞时的二次电子发射系数及斜切角都会影响超二代像增强器的信噪比。信噪比随灵敏度的增加而... 本文通过理论分析结合实验验证,研究了影响超二代像增强器信噪比的主要因素。结果表明,光电阴极灵敏度、亮度增益,MCP的开口面积比、电子首次碰撞时的二次电子发射系数及斜切角都会影响超二代像增强器的信噪比。信噪比随灵敏度的增加而增加,灵敏度由356μA/lm提高至1013μA/lm,信噪比提高了49.6%。信噪比随亮度增益的增加而减小,亮度增益由5000 cd×m^(-2)×lx^(-1)增加至20000 cd×m^(-2)×lx^(-1),信噪比下降了12.3%。信噪比与MCP噪声因子呈负相关,MCP开口面积比越大、电子首次碰撞时的二次电子发射系数越高,其噪声因子越小。而随着MCP斜切角增加,噪声因子先减小、后增大。结合上述规律,在灵敏度和亮度增益相当的条件下,确定了MCP开口面积比、电子首次碰撞时的二次电子发射系数和斜切角的最佳状态,新状态与普通状态的超二代像增强器相比,MCP噪声因子降低了38.0%,信噪比提升了26.9%。本工作将为进一步提高超二代像增强器的信噪比打下良好基础。 展开更多
关键词 像增强器 微通道板 噪声因子 信噪比
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AlGaAs光电阴极表面清洗技术研究
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作者 陈鑫龙 王震 +5 位作者 杨炳辰 贾子昕 徐智 崔佳华 张晶 周翔 《光电子技术》 CAS 2024年第3期195-202,共8页
针对高Al组分AlGaAs光电阴极设计了不同清洗方法,通过XPS对不同清洗条件下的材料表面元素成分进行了测试分析,并结合SEM和高倍显微镜对光电阴极材料表面缺陷进行了分析研究。在超高真空腔体中进行了透射式AlGaAs光电阴极及其像增强管的... 针对高Al组分AlGaAs光电阴极设计了不同清洗方法,通过XPS对不同清洗条件下的材料表面元素成分进行了测试分析,并结合SEM和高倍显微镜对光电阴极材料表面缺陷进行了分析研究。在超高真空腔体中进行了透射式AlGaAs光电阴极及其像增强管的制备,测试了器件的光谱响应曲线和图像质量。结果表明,采用H_(2)SO_(4)/H_(2)O_(2)/H_(2)O溶液和HCl/H_(2)O溶液的化学清洗工艺,结合等离子体物理清洗工艺,可有效去除AlGaAs表面的氧化物、有机颗粒和杂质C,提升器件的光谱灵敏度和图像质量。 展开更多
关键词 铝镓砷光电阴极 超高真空 光谱响应 化学清洗
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透射式GaAs光电阴极性能提高以及结构优化 被引量:1
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作者 吕行 富容国 +2 位作者 常本康 郭欣 王芝 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期266-272,共7页
为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论... 为了提高透射式GaAs光电阴极性能,将国内与美国ITT公司的透射式GaAs光电阴极量子效率曲线进行对比,可知我国透射式光电阴极积分灵敏度已经达到2130μA/lm,美国ITT达到了2330μA/lm.利用修正后的量子效率、光学性能以及积分灵敏度的理论模型,分别对两者进行光学结构拟合.结果表明,国内光电阴极在窗口层和发射层的厚度、电子扩散长度以及后界面复合速率等方面均与ITT有一定差距.为了缩短两者的差距,优化阴极结构参数,具体研究了电子扩散长度和发射层厚度对量子效率的影响,结果表明如果均匀掺杂透射式GaAs光电阴极发射层厚度为1.3μm、电子扩散长度为7μm,则积分灵敏度可以达到2800μA/lm以上. 展开更多
关键词 Ga As光电阴极 透射式 结构优化 光学性能 光电发射性能
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基于表面等离激元的新型碲化铯光阴极研究
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作者 刘子硕 戴责已 +5 位作者 关家宝 刘兰忻 钟建华 姜增公 王纪科 聂元存 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期2220-2227,共8页
目前已有研究将表面等离极化激元(SPPs)引入铜阴极和锑钾铯光阴极中,大幅提高其量子效率。碲化铯(Cs_(2)Te)光阴极是一种极佳的在紫外频段可应用于中高平均流强的光阴极材料,而常用贵金属介电函数在紫外频段过低无法满足SPPs激发要求。... 目前已有研究将表面等离极化激元(SPPs)引入铜阴极和锑钾铯光阴极中,大幅提高其量子效率。碲化铯(Cs_(2)Te)光阴极是一种极佳的在紫外频段可应用于中高平均流强的光阴极材料,而常用贵金属介电函数在紫外频段过低无法满足SPPs激发要求。本研究通过微纳光栅结构将SPPs引入Cs_(2)Te光阴极,形成局域增强场以提高光子吸收率,并调节光电子初始激发分布。为探索SPPs对Cs_(2)Te光阴极性能的影响,使用蒙特卡罗方法模拟引入SPPs前后光阴极的光电发射过程。结果表明,引入SPPs会导致光电子数量增加,从而显著提高Cs_(2)Te光阴极的量子效率约60%,且增加的光电子大多数分布于深层界面附近,在逃逸过程中各类碰撞概率增加,使发射度基本保持不变。 展开更多
关键词 碲化铯光阴极 紫外频段 表面等离极化激元 量子效率 热发射度
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微通道板输入信号利用率提高研究 被引量:15
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作者 李晓峰 李廷涛 +2 位作者 曾进能 常乐 陈超 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期176-180,共5页
分析了微通道板输入信号损失的原因,提出了在微通道板输入端镀制绝缘层,从而提高微通道板输入信号利用率的方法,并进行了试验.试验结果表明:在微通道板输入端镀制一层15nm的绝缘层,可以提高微通道板输入信号的利用率,从而提高微通道板... 分析了微通道板输入信号损失的原因,提出了在微通道板输入端镀制绝缘层,从而提高微通道板输入信号利用率的方法,并进行了试验.试验结果表明:在微通道板输入端镀制一层15nm的绝缘层,可以提高微通道板输入信号的利用率,从而提高微通道板的增益.绝缘层的二次电子发射系数越高,微通道板输入信号的利用率越高,增益提高的比例越大.对SiO2膜层而言,可以提高12%左右;对Al2O3膜层而言,可以提高35%左右.在微通道板增益提高的同时,像增强器的分辨力和调制传递函数会降低,并且绝缘层的二次电子发射系数越高,分辨力和调制传递函数降低的比例越大.但微通道板分辨力和调制传递函数降低的比例远低于增益提高的比例.本文提出的提高微通道板输入信号利用率的方法具有一定的实用性,可以推广使用. 展开更多
关键词 微通道板 像增强器 二次电子发射 分辨力 调制传递函数
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高量子效率碲化铯紫外日盲阴极研制 被引量:12
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作者 韦永林 赵宝升 +2 位作者 赛小锋 刘永安 曹希斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期555-558,共4页
碲化铯(Cs2Te)阴极是紫外探测器的重要组成部分,其研究的时间较早,在某些紫外探测领域得到了良好应用。但是,同时具有高量子效率及良好日盲特性的阴极制备工艺还需要进一步探索。本文采用电子束蒸发镀膜在石英窗上制备金属Ni膜作为Cs2T... 碲化铯(Cs2Te)阴极是紫外探测器的重要组成部分,其研究的时间较早,在某些紫外探测领域得到了良好应用。但是,同时具有高量子效率及良好日盲特性的阴极制备工艺还需要进一步探索。本文采用电子束蒸发镀膜在石英窗上制备金属Ni膜作为Cs2Te阴极的导电基底,用四探针测试仪、高阻计和分光光度计研究了薄膜的方块电阻和透过率关系。在超高真空系统中进行Cs2Te阴极制备,研究Te膜厚度对阴极量子效率的影响关系。用X光能量色散谱分析Cs2Te光电阴极的组分,研究Cs量与阴极日盲特性的影响关系。结果表明,最佳Ni膜厚度为1.0 nm,其电阻为107Ω/□左右,其紫外波段透过率高达80%;Cs2Te阴极的Te膜厚度为2.0nm时,光电阴极量子效率达12%;当Cs2Te阴极中Cs过量,其波长响应向长波方向延伸,Cs欠量,阴极量子效率降低。 展开更多
关键词 Cs2Te 紫外阴极 真空蒸发 量子效率 日盲
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微通道板分辨力提高研究 被引量:14
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作者 李晓峰 常乐 +3 位作者 曾进能 李廷涛 赵恒 汤文梅 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期114-120,共7页
在微通道板输出端镀制一层逸出功更高的金属膜以覆盖原有的镍铬电极,从而减小微通道板输出电子的动能以及在荧光屏上的弥散,提高微通道板的分辨力.实验结果表明,在微通道板的输出端镀制一层20 nm厚的银层(逸出功为4.3 eV)后,微光像增强... 在微通道板输出端镀制一层逸出功更高的金属膜以覆盖原有的镍铬电极,从而减小微通道板输出电子的动能以及在荧光屏上的弥散,提高微通道板的分辨力.实验结果表明,在微通道板的输出端镀制一层20 nm厚的银层(逸出功为4.3 eV)后,微光像增强器的分辨力从60 lp/mm提高到64 lp/mm,提高了6.6%;而镀制一层20 nm厚的铂层(逸出功为6.4 eV)后,超二代像增强器的分辨力从60 lp/mm提高到68 lp/mm,提高13%.在分辨力提高的同时,微通道板的增益会下降,镀银和镀铂后的微通道板,增益分别下降到原有值的74%和33%.金属膜的逸出功越高,分辨力提高的百分比越高,增益下降的百分比也越高.所以采用该方法来提高微通道板分辨力时,需要采用高增益的微通道板,从而使微通道板的增益下降以后仍能满足使用要求. 展开更多
关键词 微通道板 像增强器 分辨力 逸出功 二次电子发射系数 原子层沉积
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多孔硅中两种不同的光致发光谱 被引量:12
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作者 廖良生 鲍希茂 +2 位作者 闵乃本 王水凤 曾庆城 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期145-148,共4页
采用连续变化的单色光作为激发光源,测量了多孔硅的光致发光(PL)谱和光致发光激发(LPE)谱.结果表明,多孔硅存在两种不同的PL谱.一种是人们通常观察到的PL谱,其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长(λex)... 采用连续变化的单色光作为激发光源,测量了多孔硅的光致发光(PL)谱和光致发光激发(LPE)谱.结果表明,多孔硅存在两种不同的PL谱.一种是人们通常观察到的PL谱,其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长(λex)的变短而蓝移,我们称其力量子限制型光致发光(QPL)谱.另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λex而变化的PL谱,我们称其为非量子限制型光致发光(NQPL)谱.多孔硅还存在与PL谱相对应的两种不同的PLE谱.与QPL谱对应的PLE谱是双峰谱,与NQPL谱对应的PLE谱不是双峰谱.因此,多孔硅中同时存在两种不同的发光机理. 展开更多
关键词 多孔硅 光致发光谱 光致发射
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直线感应加速器用光阴极实验研究 被引量:5
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作者 张篁 陈德彪 +4 位作者 江孝国 夏连胜 刘星光 谌怡 章林文 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期583-586,共4页
通过适当地改造2 MeV注入器实验平台,使系统具备了开展光阴极研究的能力,主要的改动有:将观察窗材料改为石英,增加266 nm固体激光器,对原有的时序控制方式进行修改以满足同步触发方面的要求。研究的阴极材料为含钪储备式热阴极,实验中... 通过适当地改造2 MeV注入器实验平台,使系统具备了开展光阴极研究的能力,主要的改动有:将观察窗材料改为石英,增加266 nm固体激光器,对原有的时序控制方式进行修改以满足同步触发方面的要求。研究的阴极材料为含钪储备式热阴极,实验中最高加热到了740℃,观测到了光电发射和光致等离子体发射现象,最大的激光功率密度为1.3 MW/cm2,最大发射电流密度约为16 A/cm2,光电发射的量子效率约为0.05‰。 展开更多
关键词 直线感应加速器 光阴极 固体激光器 储备式热阴极 等离子体
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合肥光源光位置检测器的标定和应用(英文) 被引量:5
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作者 孙葆根 林顺富 +7 位作者 何多慧 卢平 徐宏亮 王筠华 曹涌 李吉浩 张春晖 王宝云 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期143-146,共4页
介绍了一种用于合肥光源的二分割三角型光位置检测器的设计,进行了位置信号的两种处理方法(和差比与对数比)的比较。对光位置检测器进行了测试和标定,测量结果与理论分析相当吻合。光位置检测器已成功地应用于软X射线磁性圆二色(MCD)光... 介绍了一种用于合肥光源的二分割三角型光位置检测器的设计,进行了位置信号的两种处理方法(和差比与对数比)的比较。对光位置检测器进行了测试和标定,测量结果与理论分析相当吻合。光位置检测器已成功地应用于软X射线磁性圆二色(MCD)光束线,如进行光位置稳定性测量和慢速局部反馈,给出了这些应用的结果。 展开更多
关键词 光位置检测器 和差比处理 对数比处理 慢速局部反馈
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采用对数比处理技术的同步光位置测量系统 被引量:6
11
作者 林顺富 孙葆根 +1 位作者 高辉 卢平 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第11期1903-1907,共5页
对于双丝型同步光位置检测器,对数比处理技术较差比和处理技术具有更宽的线性范围和动态范围。利用美国BB公司的高精度对数运算放大器LOG112实现电流电压转换,研制了一种采用对数比处理技术的同步光位置测量系统,垂直方向光位置测量分... 对于双丝型同步光位置检测器,对数比处理技术较差比和处理技术具有更宽的线性范围和动态范围。利用美国BB公司的高精度对数运算放大器LOG112实现电流电压转换,研制了一种采用对数比处理技术的同步光位置测量系统,垂直方向光位置测量分辨率约为1μm,线性范围大于±3 mm。与合肥同步辐射光源原有同步光位置测量系统相比,具有较高的性价比。 展开更多
关键词 同步光位置 双丝型光位置检测器 差比和处理 对数比处理 机器研究光束线
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制备温度对TiO_2基膜表面非晶态ZnO薄膜发光特性影响的研究 被引量:4
12
作者 沈华 史林兴 +2 位作者 王青 何勇 朱日宏 《应用光学》 CAS CSCD 2007年第4期421-425,共5页
利用电子束热蒸发镀膜的方式,以高纯度的ZnO和TiO2颗粒为原料,以Si为基底在有氧的气氛中制备ZnO/TiO2复合薄膜。研究制备温度对ZnO/TiO2薄膜的结构以及发光性能的影响。通过拉曼(Raman)谱和X射线衍射(XRD)谱分析了ZnO/TiO2薄膜的结构,... 利用电子束热蒸发镀膜的方式,以高纯度的ZnO和TiO2颗粒为原料,以Si为基底在有氧的气氛中制备ZnO/TiO2复合薄膜。研究制备温度对ZnO/TiO2薄膜的结构以及发光性能的影响。通过拉曼(Raman)谱和X射线衍射(XRD)谱分析了ZnO/TiO2薄膜的结构,表明所制备的ZnO薄膜为非晶态。用光致发光(PL)谱表征了它的发光特性,数据表明在250℃时制备的非晶态ZnO薄膜在波长389 nm处具有极强的紫外光发射,在波长431 nm处发出很强的紫光,在波长519 nm处发出较强的黄绿光。 展开更多
关键词 ZNO TIO2 电子束热蒸发 紫外光发射 非晶态薄膜
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Rb_2Te(Cs)日盲紫外光电阴极研究 被引量:5
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作者 李晓峰 赵学峰 +2 位作者 张昆林 李全保 王志宏 《红外技术》 CSCD 北大核心 2013年第9期581-586,共6页
简述了Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极的制作工艺并制作了Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极样品。测量了Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极样品的光谱响应、光谱反射率和250nm波长激发条件下的荧光谱。测量结果表明,在现有工艺条件下,Rb2Te(Cs)日盲紫外阴... 简述了Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极的制作工艺并制作了Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极样品。测量了Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极样品的光谱响应、光谱反射率和250nm波长激发条件下的荧光谱。测量结果表明,在现有工艺条件下,Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极的灵敏度高于cs2Te日盲紫外阴极,与Cs2Te日盲紫外阴极相比,光谱响应的峰值波长更短,位于250nm,而长波截止波长位于312nm。另外Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极的短波日盲特性更好,633nm的光谱灵敏度为1015mA/W的数量级,较Cs2Te日盲紫外阴极低两个数量级。光谱反射率测量结果表明,Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极的光谱反射率在200~400nm的波长范围内均高于Cs2Te日盲紫外阴极,而在400~600nm的波长范围内,反射率却低于Cs2Te日盲紫外阴极。Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极的光谱反射率曲线与Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线相比较,曲线的形状相似,反射干涉加强峰的波长基本相同,由此可推断出Rb:Te(Cs)紫外阴极的折射率与Cs2Te紫外阴极的折射率基本相同,仅在长波范围内稍有区别。荧光谱的测试结果表明,在同样条件下,在200~450nm的波长范围内,Rb2Te(Cs)紫外阴极的荧光弱于Cs2Te紫外阴极的荧光,原因是Rb2Te(Cs)阴极的光谱反射率高于Cs2Te紫外阴极的光谱反射率,因此光吸收更少,导致荧光更弱。所以Rb2Te(Cs)日盲紫外阴极同Cs2Te日盲紫外阴极的性能类似,均可用于日盲紫外探测成像器件。 展开更多
关键词 Rb2Te(Cs)阴极 Cs2Te阴极 紫外阴极 光谱反射率 光谱响应 荧光谱
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GaAs光电阴极原位光谱响应测试技术研究 被引量:14
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作者 钱芸生 宗志圆 常本康 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2000年第5期305-307,共3页
阐述了GaAs光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理 ,介绍了GaAs光电阴极激活和评估系统 ,该系统可在GaAs光电阴极激活过程中在线测试其在 40 0~ 12 0 0nm之间的光谱响应曲线 ,给出并分析了该系统对反射式GaAs光电阴极的测试结果。结果... 阐述了GaAs光电阴极的原位光谱响应曲线的测试原理 ,介绍了GaAs光电阴极激活和评估系统 ,该系统可在GaAs光电阴极激活过程中在线测试其在 40 0~ 12 0 0nm之间的光谱响应曲线 ,给出并分析了该系统对反射式GaAs光电阴极的测试结果。结果表明 。 展开更多
关键词 砷化镓 光谱响应 量子产额 光电阴极 原位测试
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K_2Te(Cs)日盲紫外光电阴极研究 被引量:6
15
作者 李晓峰 赵学峰 +1 位作者 陈其钧 王志宏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第6期149-154,共6页
研究了K2Te(Cs)日盲紫外阴极的制作工艺并制作了K2Te(Cs)日盲紫外阴极.测量了K2Te(Cs)日盲紫外阴极样品的光谱响应、光谱反射率和250nm波长激发条件下的荧光谱,测量结果表明:与Cs2Te日盲紫外阴极相比,在现有工艺条件下,K2Te(Cs... 研究了K2Te(Cs)日盲紫外阴极的制作工艺并制作了K2Te(Cs)日盲紫外阴极.测量了K2Te(Cs)日盲紫外阴极样品的光谱响应、光谱反射率和250nm波长激发条件下的荧光谱,测量结果表明:与Cs2Te日盲紫外阴极相比,在现有工艺条件下,K2Te(Cs)日盲紫外阴极的灵敏度高于Cs2Te日盲紫外阴极,光谱响应的峰值波长更短,位于250nm,而长波截止波长位于336nm;633nm的光谱灵敏度为10-4 mA/W数量级,较Cs2Te日盲紫外阴极低一个数量级.光谱反射率测量结果表明:K2Te(Cs)日盲紫外阴极的光谱反射率在200~437nm的波长范围内,均高于Cs2Te日盲紫外阴极,而在437~600nm的波长范围内,反射率却与Cs2Te日盲紫外阴极基本相同;折射率及消光系数也低于Cs2Te日盲紫外阴极.荧光谱测试结果表明:在同样条件下,250~350nm波长范围内,由于K2Te(Cs)紫外阴极的荧光强于Cs2Te紫外阴极,因此跃迁电子数量更多,阴极灵敏度更高,比较适用于日盲紫外探测成像器件的制造. 展开更多
关键词 K2Te(Cs)阴极 Cs2Te阴极 紫外阴极 反射率 光谱响应 荧光谱
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一种新型可协调绿色荧光材料BaAl_2Si_2O_8∶Tb^(3+),Ce^(3+)的发光性质与能量传递(英文) 被引量:5
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作者 万英 何久洋 +3 位作者 马媛媛 周芷萱 塔西买提.玉苏甫 艾尔肯.斯地克 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1595-1600,共6页
采用高温固相法制备了BaAl_2Si_2O_8∶Tb^(3+),Ce^(3+)系列的荧光材料,讨论了Tb^(3+),Ce^(3+)单掺及Tb^(3+),Ce^(3+)共掺样品的光谱性质及发光机理,分析了Ce^(3+)与Tb^(3+)之间的能量传递过程。通过对样品进行XRD,荧光光谱,色坐标等测... 采用高温固相法制备了BaAl_2Si_2O_8∶Tb^(3+),Ce^(3+)系列的荧光材料,讨论了Tb^(3+),Ce^(3+)单掺及Tb^(3+),Ce^(3+)共掺样品的光谱性质及发光机理,分析了Ce^(3+)与Tb^(3+)之间的能量传递过程。通过对样品进行XRD,荧光光谱,色坐标等测试。结果表明,Tb^(3+),Ce^(3+)的掺杂没有改变BaAl_2Si_2O_8晶体的结构。BaAl_2Si_2O_8∶Tb^(3+)发出明亮的绿光,发光峰分别位于487,545,583和621nm对应于Tb^(3+)的5 D4→7 FJ(J=6,5,4,3)特征发射。Ce^(3+)的掺入没有改变BaAl_2Si_2O_8∶Tb^(3+)发射光谱的位置,但使其激发谱由窄带激发变成了宽带激发增加了谱带多样性,发光强度有了明显的增强,而且颜色也具有一定的协调性,使其在实际运用方面具有更大的灵活性。发光强度增强的原因不仅仅是因为Ce^(3+)的敏化作用,还与Ce^(3+)和Tb^(3+)之间存在能量传递有密切关系。通过猝灭法计算了,Ce^(3+)与Tb^(3+)之间的能量传递的临界距离为15.345nm,并且证明了能量传递是由偶极-偶极相互作用产生的。通过计算得到能量传递效率最高达到了76.04%。 展开更多
关键词 BaAl2Si2O8∶Tb3+ Ce3+ 谱带多样性 绿色荧光粉 能量传递
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Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应研究 被引量:5
17
作者 李晓峰 姜云龙 +3 位作者 李靖雯 姬明 李金沙 张勤东 《红外技术》 CSCD 北大核心 2015年第12期1068-1073,共6页
利用强光源作为激励,测量了Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应。结果表明Cs_2Te紫外光电阴极的带外光谱响应较低,与带内光谱响应相比相差几个数量级。带内光谱响应的峰值灵敏度可以大于40 m A/W,但对带外光谱响应,如对550 nm的波长,其光... 利用强光源作为激励,测量了Cs_2Te紫外光电阴极带外光谱响应。结果表明Cs_2Te紫外光电阴极的带外光谱响应较低,与带内光谱响应相比相差几个数量级。带内光谱响应的峰值灵敏度可以大于40 m A/W,但对带外光谱响应,如对550 nm的波长,其光谱响应可以低至10-3 m A/W数量级。对采用同样工艺所制作的Cs_2Te紫外光电阴极,其带外光谱响应的离散性较大。根据对3种不同可见光阴极,即Na2KSb(Cs)多碱光电阴极、K2Cs Sb双碱光电阴极以及Ga As(Cs-O)光电阴极带外光谱响应的测试,证明这3种可见光阴极均存在不同大小的带外光谱响应。测试数据表明,带外光谱响应与逸出功(正电子亲和势光电阴极)或禁带宽度(负电子亲和势光电阴极)的大小相关。逸出功越低或禁带宽度越小,带外光谱响应越大。根据光电发射的方程,可以推测出Cs_2Te紫外光电阴与上述3种可见光光电阴极一样,产生带外光谱响应的原因是多光子吸收,即多光子效应。由于Cs_2Te紫外光电阴极存在带外光谱响应,因此当采用Cs_2Te紫外光电阴极的“日盲”像增强器在强烈的太阳光下或直对太阳光使用时,会受到太阳光的干扰或看到太阳的像,不具备日盲特性。为了使“日盲”紫外像增强器完全具备日盲特性,需要“日盲”紫外像增强器Cs_2Te紫外阴极前增加“日盲”滤光片,利用“日盲”滤光片消去Cs_2Te紫外阴极的带外光谱响应达到“日盲”的目的。因此在实际应用过程中,“日盲”滤光片是必不可少的。“日盲”滤光片设计的依据是Cs_2Te紫外阴极对太阳辐射的响应度。Cs_2Te紫外阴极对太阳辐射的响应主要集中在350~650 nm之间,因此“日盲”滤光片主要应对该波段的可见光进行衰减。只有使用与Cs_2Te紫外阴极带外光谱响应相匹配的“日盲”滤光片才有可能使“日盲”紫外像增强器具备“日盲”特性。 展开更多
关键词 Cs2Te紫外光电阴极 带外光谱响应 多光子吸收 紫外像增强器
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单分散球形CaWO_4∶Re^(3+)(Sm^(3+),Eu^(3+))红色荧光粉的制备及其发光性能 被引量:3
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作者 徐征 赵谡玲 +3 位作者 彭小波 高晨家 高轶群 王芸 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第5期1363-1367,共5页
目前使用的白光LEDs荧光粉,主要是适于蓝光GaN芯片激发的黄、绿、红色稀土荧光粉。黄、绿光荧光粉技术已经相对完善,而发光良好、性能稳定的红色荧光粉比较少。因此,需要开发新型的蓝光激发型红色荧光粉。相对于传统的高温固相法制备荧... 目前使用的白光LEDs荧光粉,主要是适于蓝光GaN芯片激发的黄、绿、红色稀土荧光粉。黄、绿光荧光粉技术已经相对完善,而发光良好、性能稳定的红色荧光粉比较少。因此,需要开发新型的蓝光激发型红色荧光粉。相对于传统的高温固相法制备荧光粉体,本文利用水热法在较低温度160℃成功制备出了发光性能良好的单分散球形钨酸钙红色发光材料CaWO4∶Sm^(3+)和CaWO_4∶Eu^(3+)。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、荧光光谱仪(PL)等表征手段,研究了所制备材料的晶体结构、表面形貌以及光学特性。讨论掺杂稀土离子浓度、反应时间等条件的改变对样品形貌以及发光性能的影响。结果显示,掺杂浓度不仅影响材料的形貌,还影响其发光强度。当Sm^(3+)和Eu^(3+)掺杂量分别为6%和4%时,CaWO_4∶Sm^(3+)和CaWO_4∶Eu^(3+)材料的发光性能最优。研究结果表明,Sm^(3+)和Eu^(3+)掺杂的CaWO_4材料可以作为荧光灯和蓝光芯片LED用荧光粉的备选材料。 展开更多
关键词 水热法 CaWO4∶Sm3+ CaWO4∶Eu3+ 球形结构 发光性能
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基于微流控芯片的臭氧化学发光法测量海水化学需氧量(COD)分析系统的研究 被引量:7
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作者 曹煊 褚东志 +5 位作者 刘岩 马然 张述伟 吴宁 史倩 马海宽 《光谱学与光谱分析》 CSCD 北大核心 2017年第12期3698-3702,共5页
海水化学需氧量(COD)是海水中有机污染物的综合指标,是海洋环境监测最重要的项目之一。现有的海水COD测量方法耗时长、体系复杂,无法满足海洋在线监测的需求。采用臭氧发光机理实现海水COD的分析,同时借助微芯片技术,设计了高集成度的... 海水化学需氧量(COD)是海水中有机污染物的综合指标,是海洋环境监测最重要的项目之一。现有的海水COD测量方法耗时长、体系复杂,无法满足海洋在线监测的需求。采用臭氧发光机理实现海水COD的分析,同时借助微芯片技术,设计了高集成度的新型海水COD分析系统,同时对系统中臭氧和水样流速、水样加热温度、样品盐度及过滤精度等影响测定的因素进行优化筛选。实验结果表明,该系统的测量范围为0.1~10mg·L^(-1),检出限0.08mg·L^(-1),与国标方法测量结果有很好的一致性,同时具有结构简单,测试时间短等优势,满足海水COD现场分析的需求。 展开更多
关键词 臭氧 化学发光 微流控芯片 海水化学需氧量
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多碱光电阴极荧光半峰宽对灵敏度的影响研究 被引量:4
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作者 李晓峰 石峰 +1 位作者 邱永生 贺英萍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期572-576,共5页
论述了Na2KSb(Cs)多碱光电阴极光电发射过程的表征和测量,提出了利用荧光谱来表征光电阴极电子跃迁几率的方法。在同样工艺条件下测量了像增强器多碱光电阴极的光谱响应和荧光谱,比较了多碱光电阴极灵敏度与逸出功、荧光谱强度、荧光谱... 论述了Na2KSb(Cs)多碱光电阴极光电发射过程的表征和测量,提出了利用荧光谱来表征光电阴极电子跃迁几率的方法。在同样工艺条件下测量了像增强器多碱光电阴极的光谱响应和荧光谱,比较了多碱光电阴极灵敏度与逸出功、荧光谱强度、荧光谱峰值波长、半峰宽之间的关系,分析了逸出功、荧光峰值波长、峰值强度、半峰宽对多碱阴极灵敏度的影响,得出了影响多碱阴极灵敏度高低的主要原因是Na2KSb膜层的晶格完整性的结论,提出了进一步改进多碱阴极制作工艺的技术途径。 展开更多
关键词 多碱光电阴极 逸出功 光致荧光 像增强器 晶格
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