在电子传输层(electron transport layer,ETL)与CsPbBr_(3)之间引入聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride,PVDF)以作为埋底界面。PVDF中含有的F与CsPbBr_(3)中的Pb^(2+)存在相互作用,能够为PbBr_(2)晶体的生长提供足够的成核位点,改善P...在电子传输层(electron transport layer,ETL)与CsPbBr_(3)之间引入聚偏二氟乙烯(polyvinylidene fluoride,PVDF)以作为埋底界面。PVDF中含有的F与CsPbBr_(3)中的Pb^(2+)存在相互作用,能够为PbBr_(2)晶体的生长提供足够的成核位点,改善PbBr_(2)薄膜形貌并促进PbBr_(2)与CsBr的反应,为CsPbBr_(3)钙钛矿薄膜的生长提供骨架,最终获得高质量CsPbBr_(3)钙钛矿薄膜。实验结果表明,在CsPbBr_(3)钙钛矿太阳能电池(perovskite solar cells,PSCs)中,使用1 mg·mL^(-1)PVDF溶液进行埋底界面修饰的器件性能最优,其最高开路电压(open-circuit voltage,VOC)为1.59 V,短路电流密度(short circuit current density,J_(SC))为7.43 mA·cm^(-2),填充因子(fill factor,FF)为79.69%,能量转换效率(power conversion efficiency,PCE)达到了9.41%,并且在大气环境中暴露30 d后器件的PCE仍保持初始值的99.4%。展开更多
