AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料生长及性质研究 被引量：4

1

作者 董逊 孔月婵 +5 位作者 周建军 倪金玉 李忠辉 李亮 张东国 彭大青 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期429-432,共4页

基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道... 基于能带理论设计并利用MOCVD技术在76.2 mm蓝宝石衬底上生长了不同GaN沟道层厚度的AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料。室温霍尔测试结果表明:双异质结材料的二维电子气面密度随沟道层厚度增加有所升高并趋于饱和;二维电子气迁移率则随沟道厚度增加明显升高。200 nm厚GaN沟道的双异质结材料方块电阻平均值344.2Ω/□,方阻不均匀性1.69%。HEMT器件工艺验证表明,使用双异质结材料显著抑制了栅漏电,有利于提高器件的耐压特性。 展开更多

关键词 双异质结 二维电子气 方块电阻

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AlInGaN合金的发光机制研究

2

作者 董逊 黄劲松 +3 位作者 黎大兵 刘祥林 徐仲英 王占国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期574-578,共5页

用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AIlnGaN合金的发光机制。实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序。形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点)... 用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AIlnGaN合金的发光机制。实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无序。形成这种无序的原因是In组分不均产生的微结构(如量子点)。伸展指数衰减函数中弥散指数β不仅不随温度变化,在250K也不随辐射能量变化,表明载流子的弥散过程由局域态之间的跳跃所主导。进一步实验表明局域态在250K时仍然表现出零维特性。 展开更多

关键词 AlInGaN合金 半导体材料 发光机制 变温光致发光谱 时间分辨光谱 发光强度 量子点

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MOCVD法生长InAlN材料及其微结构特性研究

3

作者 董逊 倪金玉 +3 位作者 李亮 彭大青 张东国 李忠辉 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第B06期104-106,共3页

利用MOCVD法,在7.62cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN异质结材料。利用XRD、AFM、Hall等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN薄膜中In含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构;与AlGaN/... 利用MOCVD法,在7.62cm蓝宝石衬底上生长了InAlN薄膜及InAlN/GaN异质结材料。利用XRD、AFM、Hall等测试方法对材料的组分、表面形貌、电学性质等进行了分析,InAlN薄膜中In含量随生长温度的升高明显降低,材料表面为三维岛状结构;与AlGaN/GaN异质结材料相比,InAlN/GaN异质结的高温电子输运特性更好,773K下InAlN/GaN异质结的迁移率为130cm2/(v·s),明显高于AlGaN/GaN异质结的67cm2/(v·s)。 展开更多

关键词 MOCVD INALN 迁移率

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高质量GaN薄膜的MOCVD同质外延生长 被引量：13

4

作者 李亮 李忠辉 +3 位作者 罗伟科 董逊 彭大青 张东国 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期915-917,共3页

采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在GaN自支撑衬底上同质外延生长了GaN薄膜,得到高质量的GaN外延薄膜。X射线衍射(XRD)结果显示其(002)面摇摆曲线半高宽小于100弧秒,原子力显微镜(AFM)照片上能看到连续的二维台阶流形貌,其表面粗糙度小于0.5 nm,其位错密度低于106cm-3。 展开更多

关键词 GAN薄膜 MOCVD 同质外延

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含有Al组分阶变AlGaN过渡层的Si基AlGaN／GaNHEMT 被引量：5

5

作者 倪金玉 董逊 +7 位作者 周建军 孔岑 李忠辉 李亮 彭大青 张东国 陆海燕 耿习娇 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期527-531,共5页

采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料... 采用一个AlN缓冲层和两个Al组分阶变的AlGaN过渡层作为中间层,在76.2mm Si衬底上外延生长出1.7μm厚无裂纹AlGaN/GaN异质结材料,利用原子力显微镜、X射线衍射、Hall效应测量和CV测量等手段对材料的结构特性和电学性能进行了表征。材料表面平整光滑,晶体质量和电学性能良好,2DEG面密度为1.12×1013cm-2,迁移率为1 208cm2/(V.s)。由该材料研制的栅长为1μm的AlGaN/GaN HEMT器件,电流增益截止频率fT达到10.4GHz,这些结果表明组分阶变AlGaN过渡层技术可用于实现高性能Si基GaN HEMT。 展开更多

关键词 硅衬底 铝镓氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 过渡层

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4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT 被引量：3

6

作者 任春江 李忠辉 +4 位作者 焦刚 董逊 李肖 陈堂胜 李拂晓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期320-324,共5页

报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/... 报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。 展开更多

关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 单位截止频率 最高振荡频率

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75mm 4°偏轴4H-SiC水平热壁式CVD外延生长 被引量：2

7

作者 李哲洋 董逊 +3 位作者 张岚 陈刚 柏松 陈辰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第7期1347-1349,共3页

利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形... 利用水平热壁式CVD外延生长技术,在75mm偏向〈1120〉方向4°的(0001)Si-面n型导电衬底上同质外延生长了4H-SiC薄膜.光学显微镜和原子力显微镜测试结果表明外延层表面存在三角形、胡萝卜状等典型的4°偏轴外延缺陷及普遍的台阶形貌.通过优化外延参数,片内浓度均匀性(σ/mean)和厚度均匀性分别达到4.37%和1.81%. 展开更多

关键词 水平热壁式CVD 4H-SIC 同质外延 均匀性

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低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善 被引量：2

8

作者 张东国 李忠辉 +3 位作者 彭大青 董逊 李亮 倪金玉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1406-1409,共4页

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发... 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响。使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V.s。 展开更多

关键词 MOCVD 缓冲层 ALGAN GAN 二维电子气

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水平热壁式CVD SiC外延均匀性研究 被引量：2

9

作者 李哲洋 李赟 +3 位作者 董逊 柏松 陈刚 陈辰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期269-272,共4页

研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值... 研究了水平热壁式CVD(hot-wall CVD)4H-SiC同质外延生长,通过优化载气H2的流量获得低于1%(最好值为0.09%)的外延厚度均匀性(σ/mean),碳硅比(C/Si)的改变对外延材料载流子浓度均匀性的分布有重要影响,通过优化C/Si比,获得低于7%(最好值为4.37%)的载流子浓度均匀性。但当C/Si比大于1.9时,外延片表面形貌会出现退化。 展开更多

关键词 4H-SIC 水平热壁式CVD 碳硅比 均匀性

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InAlN/AlN/GaN HEMT器件特性研究 被引量：3

10

作者 刘海琪 周建军 +1 位作者 董逊 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期120-123,共4页

通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为2... 通过利用MOCVD生长的高质量蓝宝石衬底InAlN/AlN/GaN异质结材料,获得了高的二维电子气面密度,其值为1.65×1013cm-2。通过该结构制备了0.15μm栅长InAlN/AlN/GaN HEMT器件,获得了相关的电学特性:最大电流密度为1.3 A/mm,峰值跨导为260 mS/mm,电流增益截止频率为65 GHz,最大振荡频率为85 GHz。对比于相应的AlGaN/AlN/GaN HEMT器件,InAlN/AlN/GaN HEMT器件由于具有高的二维电子气面密度和薄的势垒层厚度,其最大电流密度和峰值跨导特性有了很大的改善,同时频率特性也有显著提高。 展开更多

关键词 铟铝氮/氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气 薄势垒层厚度

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利用低温插入层改善GaN外延层晶体质量研究 被引量：2

11

作者 张东国 李忠辉 +5 位作者 孙永强 董逊 李亮 彭大青 倪金玉 章咏梅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期328-330,344,共4页

采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。... 采用MOCVD系统在蓝宝石衬底上生长了GaN外延薄膜,在高温GaN生长中插入了低温GaN。通过改变低温GaN的生长温度和/比得到不同样品。对样品薄膜进行了高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)测试,PL半峰宽变化不大,XRD半峰宽有明显变化。实验结果表明,低温GaN缓冲层可以使后续生长更好,达到二维生长模式,并且合适的低温生长条件可以明显改善GaN外延层的结晶质量,降低位错密度。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相淀积 氮化镓 缓冲层 结晶

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MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料 被引量：2

12

作者 李忠辉 李亮 +5 位作者 董逊 李赟 张岚 许晓军 姜文海 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期608-610,共3页

利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面... 利用MOCVD在Si(111)衬底上生长了无裂纹的GaN外延薄膜和AlGaN/GaN异质结构。通过优化Si衬底的浸润处理时间、AlN层厚度等参数获得了无裂纹的GaN外延薄膜,研究了SiN缓冲层和插入层厚度对AlGaN/GaN异质结电学性质的影响,2DEG的迁移率和面密度分别达到1410cm2/V.s和1.16×1013cm-2。 展开更多

关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管 二维电子气

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GaN薄膜表面形貌与AlN成核层生长参数的关系 被引量：2

13

作者 倪金玉 李忠辉 +5 位作者 李亮 董逊 章咏梅 许晓军 孔月婵 姜文海 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期9-12,共4页

采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核... 采用金属有机物化学气相淀积技术生长了以AlN为成核层的GaN薄膜,研究了成核层生长时三甲基铝(TMAl)流量对最终GaN薄膜表面形貌的影响。研究结果表明,高质量的GaN薄膜只能在高TMAl流量下获得,采用充足的TMAl源才能形成满足需要的AlN成核点,这是生长高质量GaN薄膜的一个先决条件。 展开更多

关键词 氮化镓 金属有机物化学气相淀积 氮化铝成核层

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V/Ⅲ比对Si基AlN薄膜结构特性的影响 被引量：2

14

作者 杨乾坤 潘磊 +2 位作者 李忠辉 董逊 张东国 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期249-252 256,共5页

采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽... 采用金属有机物化学气相外延法(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了200nm厚的AlN薄膜,研究了V/III比对AlN薄膜晶体质量及表面六角缺陷的影响。结果表明,当V/III比为2 400时,得到的样品表面最平整,晶体质量最好,表面粗糙度为1.32nm,(002)半峰宽为0.615°,(102)半峰宽为0.689°。通过扫描电子显微镜(SEM)观察样品表面,发现当V/III比过高或者过低时,AlN薄膜的表面都会变得粗糙,六角形缺陷也会增多,合适的V/III比有助于抑制表面六角缺陷的产生。 展开更多

关键词 硅基氮化铝 V/Ⅲ比 六角缺陷

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MOCVD脉冲法制备InAlGaN/GaN异质结材料特性研究 被引量：2

15

作者 李忠辉 李传皓 +6 位作者 彭大青 张东国 罗伟科 李亮 潘磊 杨乾坤 董逊 《固体电子学研究与进展》 CSCD 北大核心 2017年第4期229-233,共5页

采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超... 采用MOCVD脉冲供源方法制备了76.2 mm(3英寸)高质量薄势垒层的InAlGaN/GaN异质结材料。通过对样品表面形貌及电学特性等测试,研究了进入反应腔MO源的不同脉冲组合对InAlGaN材料生长的影响,并分析了相关机理。其中等效为InAlN/AlGaN类超晶格结构的势垒层外延方法,基于原子层间近晶格匹配和超晶格的原子层调制作用,有效改善了势垒层材料质量和表面形貌,提升了异质结料的电学特性,室温下电子迁移率达到1620cm^(2)/(V·s),方块电阻217.2Ω/。 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积 InAlGaN 异质结 迁移率

原文传递

金属有机物化学气相沉积同质外延GaN薄膜表面形貌的改善 被引量：1

16

作者 李忠辉 罗伟科 +7 位作者 杨乾坤 李亮 周建军 董逊 彭大青 张东国 潘磊 李传皓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期229-234,共6页

为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究发现,插入层生长温度是影响GaN同质外延膜表面形貌和晶体质量的关键因素.由于生长模式与插入层生长温度相... 为了获得高质量的GaN薄膜材料,研究了金属有机物气相沉积系统中GaN插入层对GaN衬底同质外延层表面宏观缺陷和晶体质量的影响.研究发现,插入层生长温度是影响GaN同质外延膜表面形貌和晶体质量的关键因素.由于生长模式与插入层生长温度相关,随着插入层生长温度的降低,外延膜生长模式由准台阶流模式转变为层状模式,GaN同质外延膜表面丘壑状宏观缺陷逐渐减少,但微观位错密度逐渐增大.通过对插入层温度和厚度的优化,进一步调控外延层的生长模式,最终有效降低了外延层表面的宏观缺陷,获得了表面原子级光滑平整、位错密度极低的GaN同质外延膜,其X射线衍射摇摆曲线(002),(102)晶面半峰宽分别为125arcsec和85arcsec,表面粗糙度均方根大小为0.23nm. 展开更多

关键词 金属有机物化学气相沉积 同质外延GaN 插入层 生长模式

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基于100mm国产SiC衬底高性能AlGaN/GaN异质结外延材料 被引量：1

17

作者 张东国 杨乾坤 +4 位作者 李忠辉 彭大青 李传皓 罗伟科 董逊 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第1期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂... 南京电子器件研究所提出了一种"AlN表面原位图形化"技术,将AlN成核岛台阶化(图1),改善GaN缓冲层的外延生长模式,抑制GaN/AlN界面位错的生成以及纵向延伸,从而降低GaN缓冲层的穿透位错密度。另外,原位制备工艺容易实现,避免杂质引入,降低外延成本。采用该技术在100 mm国产高纯半绝缘SiC衬底上制备出1.8 μm厚高质量GaN HEMT外延材料,GaN缓冲层(002)和(102)面摇摆曲线半高宽分别达到56、147 arcsec(图2),与常规工艺相比位错密度降低80%,二维电子气室温迁移率达到2 300 cm^2/(V·s),材料结晶质量和电学特性获得显著提升。 展开更多

关键词 外延材料 ALGAN/GAN 二维电子气 缓冲层 摇摆曲线 外延生长 半绝缘 迁移率

原文传递

AlInN三明治势垒GaN HFET 被引量：1

18

作者 薛舫时 孔月婵 +3 位作者 董逊 周建军 李忠辉 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期421-428,472,共9页

介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流... 介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁能带,设计出新的三明治势垒,满足内、外沟道和欧姆接触势垒的要求。可望消除上述瓶颈,使AlInN势垒GaN HFET付诸实用。 展开更多

关键词 铝铟氮/氮化镓异质结场效应管 铝铟氮三明治势垒 栅流 电流崩塌 二维异质结构

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InGaAlN四元合金的光学性质和低维结构 被引量：1

19

作者 刘祥林 董逊 黎大兵 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期5-9,共5页

研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,... 研究了用MOCVD方法生长InGaAlN四元合金材料的生长规律,发现生长温度在800～880℃,其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致发光谱表明InGaAlN的发光强度随温度衰减规律与InGaN类似,但比GaN慢,室温下比GaN的发光强度大1个数量级以上。时间分辨光谱表明,在InGaAlN中存在低维结构的铟聚集区———在没有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子盘的二维铟聚集区;而在有高温GaN中间层的InGaAlN材料中存在类似量子点的零维铟聚集区。 展开更多

关键词 铟镓铝氮 四元合金 光学性质 低维结构 铟聚集 晶格常数 禁带宽度 量子阱 发光二极管 时间分辨光谱

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GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究 被引量：1

20

作者 刘涛 刘昊 +6 位作者 周建军 孔岑 陆海燕 董逊 张有涛 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期509-513,521,共6页

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D... 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。 展开更多

关键词 铝镓氮 氮化镓 氮化镓增强型 耗尽型高电子迁移率晶体管 直接耦合场效应管逻辑 逻辑门结构 阈值电压漂移

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