军用半导体器件的贮存期标准及“延寿试验”
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1翁寿松.再论军用半导体器件的贮存期及“延寿试验”[J].半导体杂志,1994,19(2):37-41.
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2罗淑云.非工作贮存期对微电路可靠性的影响[J].电子产品可靠性与环境试验,1996,14(1):50-56. 被引量：2
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3翁寿松.军用半导体器件的贮存理论与试验[J].电子产品可靠性与环境试验,1994,12(6):40-48.
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4徐爱斌.国产半导体器件贮存10年的可靠性[J].电子产品可靠性与环境试验,1994,12(6):69-70.
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5张国良,林文廉,阚希文,刘双,陈余长,叶凤山,赵本海,朱鸿光.离子注入金刚石拉丝模延寿试验[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1985,21(4):34-39.
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6赵智忠.一种提高真空开关管“贮存期”检测可靠性的方法[J].电工技术,2001(12):33-33.
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7严军政.元器件贮存期漫谈[J].中国科技纵横,2014(11):51-52.
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8向刚,苗静,邱丰.航天电子产品贮存期评估方法研究[J].电子测量技术,2017,40(1):1-5. 被引量：7
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9苏振华,张立雄.真空电子器件工作和非工作可靠性的探讨[J].电子产品可靠性与环境试验,2000,18(3):18-20. 被引量：7
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10韩少华,寇烈,张增照.电子元器件可靠性技术在反坦克导弹武器系统中的应用[J].电子产品可靠性与环境试验,2004,22(4):19-22. 被引量：6
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