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军用半导体器件的贮存理论与试验

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摘要本文论述军用半导体器件的贮存理论、标准和试验.鉴于目前我国半导体器件的现状,军用半导体器件的贮存期可规定为2～3年.超过贮存期应进行100%的外观、电参数、密封性检查和抽样可焊性试验、破坏性物理分析.试验合格后的产品仍可交付使用.

作者翁寿松

机构地区无锡市元件四厂

出处《电子产品可靠性与环境试验》 1994年第6期40-48,共9页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing

关键词半导体器件军用电子装备贮存期可靠性试验

分类号 TN306 [电子电信—物理电子学] E933 [军事—军事装备学]

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电子产品可靠性与环境试验

1994年第6期

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