摘要
本文用 H_2O_2系腐蚀剂,对以水平 Bridgman 法生长的、本征和掺 Te 的 GaSb 晶片的低指数面(100)、(110)、(111)(?)样片进行了化学腐蚀研究。讨论了腐蚀形态,速率及活化能。本征和掺 Te 样品的活化能分别为ΔE_N～12.6kJ/mol 和ΔE_D～16.7kJ/mol。在我们的实验条件下测得(100)(110)和(111)(?)面腐蚀速率分别为2.00、1.80和1.46μn/min,并与文献中 Si 和GaAs 的数据做了相对比较。
The chemical etch shapes、rates and activation energies areinvestigated by the H_2O_2 system solution on the low-index faces of GaSb withnative and doped Te grown by Bridgman method in this peper.The relative etch rates for the (100)、(110)、(111)(?).faces are 2.00、1.80、1.46μm/min,respectively.The activation energies of the native anddoped Te samples are △E_N～12.6kJ/mol、△E_D～16.7kJ/mol in our experimentalcondition,respectively,and the results are compared with the dates of Si andGaAs.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992年第3期299-303,共5页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
GaSb晶体
腐蚀
腐蚀坑
GaSb crystal
chemical etching
etchpit
activation energy
