期刊导航
期刊开放获取
vip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
双层金属布线中介质平坦化技术
被引量:
1
The Technology of Agent Planation in Several Layers of Metal Process
在线阅读
下载PDF
职称材料
导出
摘要
本文主要叙述了双层金属布线中介质平坦化的工艺及原理。
This paper's main aim is to narrate the technology and the principle of agent planation in two layers of metal process.
作者
赵晓辉
李宏
孙向然
机构地区
东北微电子研究所
北京广播学院
出处
《微处理机》
2004年第2期8-9,11,共3页
Microprocessors
关键词
超大规模集成电路
双层金属布线
平坦化
腐蚀
淀积
Planation
Etch
Deposite
分类号
TN47 [电子电信—微电子学与固体电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
1
参考文献
1
共引文献
2
同被引文献
0
引证文献
1
二级引证文献
0
参考文献
1
1
张沈军.
集成电路中的多层布线技术[J]
.半导体技术,1991,7(2):17-23.
被引量:3
二级参考文献
1
1
张沈军.
用于LSI的双层布线工艺研究[J]
.微处理机,1990,11(2):40-44.
被引量:1
共引文献
2
1
张沈军,李婉莹,蔡广超.
剥离形成平坦化的精细双层铝布线技术[J]
.半导体技术,1993,9(2):25-27.
2
任兆杏,丁振峰.
低温等离子体技术[J]
.自然杂志,1996,18(4):201-207.
被引量:59
引证文献
1
1
孟令款,殷华湘,陈大鹏,叶甜春.
Metal gate etch-back planarization technology[J]
.Journal of Semiconductors,2012,33(3):114-117.
1
郭玉璞.
双层金属布线2μm CMOS万门门阵列(LC4750)工艺研究[J]
.微处理机,1997,18(1):16-19.
被引量:1
2
张一平,祝军.
反应离子刻蚀(RIE)腐蚀双层金属布线中介质孔及有关...[J]
.上海半导体,1992(1):21-25.
3
靳宝安.
双极数字集成电路的高低温失效分析[J]
.陕西科技大学学报(自然科学版),2004,22(4):93-96.
被引量:1
4
郑养鉥,张敏,凌栋忠,吴璘,顾惠芬,郑庆云,邱斌.
双层金属布线硅栅CMOS门阵列电路制造工艺技术研究[J]
.Journal of Semiconductors,1993,14(1):36-42.
5
徐秋霞,海潮和,陈焕章,赵玉印,李建勋.
适用于0.8μmCMOS VLSI的双层金属布线技术研究[J]
.Journal of Semiconductors,1997,18(3):218-222.
6
方圆.
双层金属布线中隔离介质淀积工艺研究[J]
.微电子学,2009,39(2):272-275.
7
冯涛,陆宏达,沈维多,杨莲兴.
I^2C总线接口技术在视频处理芯片中的应用[J]
.微电子学,2001,31(3):209-211.
被引量:1
8
曹茬,蔡根寿.
1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用[J]
.上海微电子技术和应用,1996(3):17-21.
9
胡旭宏,张敏,俞波,黄焕章.
高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化[J]
.电子学报,1998,26(2):15-19.
10
刘畅,陈学良,严金龙,顾伟东.
A Novel Lateral Solenoidal On-Chip Integrated Inductor Implemented in Conventional Si Process[J]
.Journal of Semiconductors,2002,23(4):352-365.
被引量:1
微处理机
2004年 第2期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部