摘要
稀土元素适量地掺入化合物半导体材料和非晶玻璃固体材料,均能有效地改善基质材料的光学、力学和其它物理特性。研究表明,三价的稀土离子容易进入非晶玻璃网格形成键合,它的不满4f电子受5s、5p电子层的屏蔽。因此,稀土离子受玻璃非晶体基质的配位场的影响较小,它在非晶体中的行为与在晶体基质中基本相似。非晶硅半导体材料,由于制备较简便,易实现大面积而受到重视。本文对a-Si_(1-x)Gd_x薄膜的电导特性进行了研究,并结合薄膜的ESR特性,对实验结果进行了初步讨论。
出处
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期270-271,共2页
Journal of the Chinese Society of Rare Earths
