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一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计 被引量:2

Design of K-band Voltage-controlled Oscillator with GaAs MESFET
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摘要 利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测,结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc/Hz@100kHz,满足实际应用。 This paper presents the design of a Kband VCO using GaAs metal semiconductor fieldeffect transistor(MESFET)as active device.A 100 MHz continuous tuning bandwidth is achieved with an output power of 2 mW.The center of oscillator frequency bandwidth is 2056 GHz.The phase noise level of90 dBc/Hz for offset frequency of 100 kHz is measured at 2056 GHz.The VCO is proved by simulation and experiment results.
出处 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第2期159-161,共3页 Piezoelectrics & Acoustooptics
基金 国家"八六三"高科技计划资助项目(2002AA135270)
关键词 负阻特性 微带结构 S参数法 微波VCO 变容管调谐 negative resistance microstrip S-parameter method microwave VCO varactor diode
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