采用RFQ加速器的高能离子注入机被引量：1

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摘要近几年来,具有兆电子伏(以下简称MeV)能量的离子束在很多领域中获得广泛利用。它在VLSI等半导体离子注入中尤其可望取得崭新的进展。这是因为用MeV级能量进行离子注入时,离子注入的深度比过去的中能离子注入要多好几倍。例如,已经有人提出要将它用于反向阱、埋入栅以及ROM编程等方面的设想,而且已经开始在某些器件中应用。

作者浅利正敏开本亮吴健昌

出处《微细加工技术》 1990年第4期61-67,共7页 Microfabrication Technology

关键词 RFQ 加速器离子注入机高能

分类号 TL503.3 [核科学技术—核技术及应用]

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微细加工技术

1990年第4期

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