摘要
本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以及较高的刻蚀速度,得到了0.40μm的多晶硅条,并且成功地应用于0.5～1.0μm CMOS集成电路的制作中。
Reactive ion etching of polysilicon using SF6 + Ar reactive gas is investigated. Results show good anisotropy, selectivity Mid high etching rate. 0.4μm poly silicon lines were obtained and were successfully used in the fabrication of 0.5-1.0μm CMOS ICs.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1992年第4期74-78,共5页
Microelectronics
