原子层分子束外延技术

Technology of Atomic Layer Molecular Beam Epitaxy(ALMBE)

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摘要本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用. Recent progress in atomic layer molecularbeam epitaxy(ALMBE)for Ⅲ-Ⅴ compoundsis reviewed.Basic principles,growth modes andapplications of ALMBE are also described.

作者宋登元

机构地区河北大学电子系

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第8期47-48,F003,9,共4页 Microelectronics & Computer

关键词原子层分子束外延技术化学气相淀积技术薄膜生产异质结构 Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物 ALMBE 2D Growth Heteroepitaxy

分类号 TN304.055 [电子电信—物理电子学] O484.1 [理学—固体物理]

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微电子学与计算机

1991年第8期

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