摘要
采用低压化学汽相沉积 (LPCVD)方法 ,依靠纯SiH4 气体分子的表面热分解反应 ,在由Si—O—Si键和由Si—OH键终端的两种SiO2 表面上 ,自组织生长了Si纳米量子点 .实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2 表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系 .依据LPCVD的表面热力学过程 ,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理 .研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长 ,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义 .
Si nanoquantum dots have been formed by self-assembled growth on the both Si-O-Si and Si-OH bonds terminated SiO2 surfaces using the low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and surface thermal decomposition of pure SiH4 gas. We have experimentally studied the variation of Si. dot density with Si-OH bonds density, deposition temperature and SiH4 pressure, and analyzed qualitatively the formation mechanism of the Si nanoquantum dots based on LPCVD surface thermal dynamics principle. The results are very. important for the control of the density and size of Si nanoquantum dots, and have potential applications in the new quantum devices.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第12期3108-3113,共6页
Acta Physica Sinica
基金
河北省自然科学基金 (批准号 :5 0 3 12 5
5 0 0 0 84)资助的课题~~
