金刚石薄膜研究及应用
出处
《电子元件》
1994年第1期28-32,36,共6页
Electronic Component Special Monthly
-
1周一敏,孙迭篪,李富铭,杜元成,王海.钨在硅和氮化钛上的激光化学汽相沉积实验研究[J].Journal of Semiconductors,1990,11(11):881-885. 被引量:1
-
2张伟,苌国强.汽相沉积薄膜结构均匀性的理论分析[J].真空,1992,29(4):8-12. 被引量:1
-
3周一敏,孙迭篪,李富铭,杜元成,王海.反射率探测法对激光化学汽相沉积的实时监测[J].应用激光,1989,9(6):257-259. 被引量:1
-
4范志刚,张伟,穆英.汽相沉积光学薄膜微观结构的计算机模拟[J].真空,1993,30(4):10-15. 被引量:2
-
5崔连珍,.用汽相沉积氧化铝制备灯丝的研究[J].电子科技大学学报,1989,18(2):282-287.
-
6查健江.光纤制备中的外汽相沉积工艺研究[J].光纤与电缆及其应用技术,2004(4):14-19. 被引量:5
-
7崔进炜.二氧化硅和氮化硅薄膜的等离子汽相淀积与应用[J].半导体技术,2000,25(4):15-17. 被引量:9
-
8陈忠良.新型光学薄膜材料[J].国外激光,1992(6):19-21.
-
9宋国瑞,姚惠贞.激光化学汽相沉积微透镜的分析[J].光电子.激光,1997,8(1):8-13.
-
10齐学参.750℃下用低压化学汽相沉积在Si上外延生长单晶SiC薄膜[J].半导体情报,1996,33(3):51-54. 被引量:1
;