摘要
着重介绍了我们在“1 2 8×1 2 8混合式热释电非致冷焦平面探测器列阵(UFPA)”研制中铟膜及铟柱的制备和我们选择铟做混合式UFPA互连材料的理由与互连方法。强调了铟膜制备基本工艺要求。根据薄膜均匀性要求 ,计算出了蒸发源距工件的距离及所需材料量 ,确定了保证铟膜不氧化的关键数据及具体操作。文中给出了铟柱列阵显微照片 (显示了铟膜厚度)和铟柱列阵的立体形貌像 ,还介绍了铟柱列阵成型方法及铟柱生长工艺流程 ,并叙述了倒装互连技术 ,且给出了我们的成像演示照片和器件照片 。
Choosing in as interconnecting material and the f ab rication of Indium film and Indium bump for 128×128 UFPA were presented,and bas ed on requirements of film uniformity, some technical parameters for the applica tions of uncooled IRFPA were discussed.
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2003年第6期54-58,共5页
Infrared Technology
