摘要
应用量子化学SCC-DV-X_a方法对含取代基R杂氮锗三环类化合物中锗—氮成键的微观本质进行了量子化学研究。提出了Ge←N间键主要是Ge 4_s—N2_s轨道相互作用生成的σ配键,而含取代基R—Ge—N三中心键除了具有σ键外,还存在微弱的三中心π键,Ge 4d轨道参与了此π键的组成;对比了Ge←N和Si←N键的性质,以及两类化合物的化学活性;讨论了取代基R的电负性对Ge←N配键强度和对杂氮锗三环类化合物反应活性的影响。
Quantum chemistry calculations of RGe(OCH2CH2)3N (R = CH3,F,Cl,Br,I) were carried out by using SCC - DV - X method, and the feature of Ge -N bonding was discussed and compared with that of Si-N bonding in the relevant silatranes.
基金
国家自然科学基金
