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用单纯形法研究si(100)2×1表面的再构 被引量:1

Si(100) 2×1 SURFACE RECONSTRUCTION BY SIMPLEX METHOD
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摘要 本文用单纯形方法,研究Si(100)2×1表面及以下几层原子的驰豫。对金刚石、Ge的(100)2×1结构也做了计算。 The positions of atoms untill fifth layers of the reconstructed Si(100) 2×1 surface are studied by simplex method. In addition, the reconstractions of diamond and Ge (100) 2×1 are also investigated.
作者 资剑 张开明
机构地区 复旦大学物理系
出处 《计算物理》 CSCD 北大核心 1989年第1期67-70,共4页 Chinese Journal of Computational Physics
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