半导体材料的发展现状被引量：21

下载PDF

导出

摘要在半导体产业的发展中,一般将硅、锗称为第一代半导体材料;将砷化镓、磷化铟、磷化镓等称为第二代半导体材料;而将宽禁带(Eg>2.3eV)的氮化镓、碳化硅和金刚石等称为第三代半导体材料。本文介绍了三代半导体的性质比较、应用领域、国内外产业化现状和进展情况等。

作者凌玲

机构地区北京新材料发展中心

出处《新材料产业》 2003年第6期6-10,共5页 Advanced Materials Industry

关键词半导体材料发展现状多晶硅单晶硅砷化镓氮化镓

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献2

1李国强.第三代半导体材料——二十一世纪IT产业新的发动机[J].新材料产业,2002(6):14-17. 被引量：7
2梁春广,张冀.GaN——第三代半导体的曙光[J].Journal of Semiconductors,1999,20(2):89-99. 被引量：88

共引文献92

1陈守东,陈敬超,吕连灏.稀散金属在半导体中的应用及研究进展[J].稀有金属材料与工程,2012,41(S2):214-217. 被引量：1
2高海永,庄惠照,薛成山,王书运,董志华,李忠.氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜[J].微纳电子技术,2004,41(6):26-29. 被引量：1
3王艳辉.研究性实验:GaN光学特性研究[J].物理与工程,2004,14(4):21-23.
4曲钢,徐茵.GaN薄膜生长实时监控系统的实现[J].半导体技术,2004,29(9):70-73. 被引量：1
5邵嘉平,郭文平,胡卉,郝智彪,孙长征,罗毅.GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响[J].Journal of Semiconductors,2004,25(11):1496-1499. 被引量：2
6曹文田,孙振翠,魏芹芹,薛成山,孙海波.热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究[J].稀有金属材料与工程,2004,33(11):1226-1228.
7谢自力,张荣,毕朝霞,刘斌,修向前,顾书林,江若琏,韩平,朱顺明,沈波,施毅,郑有炓.InN材料及其应用[J].微纳电子技术,2004,41(12):26-32. 被引量：7
8郎佳红,顾彪,徐茵,秦福文,曲钢.蓝宝石衬底分步清洗及其对后续氮化的影响[J].半导体技术,2005,30(1):57-60. 被引量：1
9蔡方华.“村官腐败”是农村社会肌体中的毒瘤[J].决策探索,2005(1):33-33. 被引量：2
10李庚伟,吴正龙,邵素珍,张建辉,刘志凯.氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究[J].材料导报,2005,19(2):109-111. 被引量：5

同被引文献198

1刘红艳,万关良,闫志瑞.硅片清洗及最新发展[J].中国稀土学报,2003,21(z1):144-149. 被引量：30
2李发宁,张鹤鸣,戴显英,朱国良,吕懿.宽禁带半导体金刚石[J].电子科技,2004,17(7):43-49. 被引量：9
3王涛,介万奇,徐亚东,查钢强,傅莉.Characterization of CdZnTe crystal grown by bottom-seeded Bridgman and Bridgman accelerated crucible rotation techniques[J].中国有色金属学会会刊：英文版,2009,19(S3):622-625. 被引量：3
4陆挺,刘璇,张艳飞,李颖,黄翀,黎斌林.基于产业链分析的中国铟锗镓产业发展战略研究[J].资源科学,2015,37(5):1008-1017. 被引量：29
5范学华.四川省半导体材料产业的发展现状及对策研究[J].四川有色金属,2004(4):7-12. 被引量：3
6周福生,刘宜家.半导体硅材料与信息化社会的发展[J].半导体技术,1994,10(6):14-18. 被引量：1
7苏宏华,徐鸿钧,傅玉灿,肖冰.多层烧结超硬磨料工具现状综述与未来发展构想[J].机械工程学报,2005,41(3):12-17. 被引量：21
8李耐和.宽禁带半导体技术[J].电子产品世界,2005,12(09A):88-88. 被引量：7
9周旗钢.300mm硅片技术发展现状与趋势[J].电子工业专用设备,2005,34(10):1-6. 被引量：12
10代世峰,任德贻,李生盛.内蒙古准格尔超大型镓矿床的发现[J].科学通报,2006,51(2):177-185. 被引量：110

引证文献21

1赵彦桥,韩彦辉,杨燕萍,郝秋艳,刘彩池.PL Mapping技术检测大直径SI-GaAs晶片中缺陷分布[J].现代仪器,2006,12(5):24-26. 被引量：1
2陈守东,陈敬超,吕连灏.稀散金属在半导体中的应用及研究进展[J].稀有金属材料与工程,2012,41(S2):214-217. 被引量：1
3范学华.四川省半导体材料产业的发展现状及对策研究[J].四川有色金属,2004(4):7-12. 被引量：3
4袁巨龙,王志伟,文东辉,吕冰海,戴勇.超精密加工现状综述[J].机械工程学报,2007,43(1):35-48. 被引量：138
5胡蕴成,邓良平,刘宜家.半导体硅材料与信息化社会的高速发展[J].新材料产业,2007(7):52-56. 被引量：1
6张文毓.单晶硅产业技术经济综合分析[J].新材料产业,2010(6):15-17. 被引量：5
7李宝珠.宽禁带半导体材料技术[J].电子工业专用设备,2010,39(8):5-10. 被引量：11
8杨方.大功率晶体管横向结构参数设计与分析[J].科学技术与工程,2012,20(20):5027-5030. 被引量：1
9刘芳.半导体材料发展的现状及前景[J].科技致富向导,2014,0(24):258-259. 被引量：3
10赵飞燕,张小东,郭昭华,王永旺,陈东,张云峰.金属镓的分布、生产及应用前景[J].轻金属,2017(3):1-3. 被引量：10

二级引证文献192

1解原,李亚平,黄雯孝.放射性与稀有稀散金属检测平台建设及应用[J].当代化工,2020,49(4):720-723.
2袁东志.一种应用于巡检机器人的过调制算法研究[J].煤炭科学技术,2021,49(S01):170-174. 被引量：1
3任坤,刘素娟.超声汽雾冷却系统强化换热瞬态模拟研究[J].中国科技纵横,2018,0(10):71-73.
4鞠冉,任坤,陈鑫.超声雾化冷却系统换热研究[J].中国科技纵横,2018,0(15):82-83.
5任坤,刘素娟.超声汽雾冷却系统强化换热稳态模拟研究[J].中国科技纵横,2018,0(9):149-151.
6唐晓骁,朱永伟,付杰,王成,居志兰.铜粉含量对亲水性固结磨料抛光垫加工性能的影响研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2012,32(4):10-13. 被引量：9
7李标,李军,朱永伟,夏磊,李鹏鹏,孙玉利,左敦稳.固结磨料研磨抛光K9玻璃的超精密加工工艺研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2012,32(5):1-5. 被引量：5
8夏磊,李军,李鹏鹏,朱永伟,王文泽,左敦稳.固结磨料研磨掺铈玻璃与K9玻璃的对比研究[J].金刚石与磨料磨具工程,2013,33(2):19-22. 被引量：5
9陈守东,陈敬超,吕连灏.稀散金属在半导体中的应用及研究进展[J].稀有金属材料与工程,2012,41(S2):214-217. 被引量：1
10赵萍,陶黎,王志伟,袁巨龙.平面研磨抛光轨迹研究[J].航空精密制造技术,2009,45(2):1-6. 被引量：7

1黄广龙.半导体制造技术综述[J].山东工业技术,2016(11):41-41. 被引量：1
2王卫守,贾松良.表面封装技术的发展现状和进展[J].航空军转民技术与产品,1999(10):23-24.
3陈增圭.自由电子激光的现状和进展[J].电子学报,1989,17(1):97-103.
4俞炳丰,沈传文,张群力,周艳蕊,赵蕊.变频技术在家用电器中应用的现状和进展(上)[J].电器制造商,2001(12):48-48.
5俞炳丰,沈传文,张群力,周艳蕊,赵蕊.变频技术在家用电器中应用的现状和进展(中)[J].电器制造商,2002(1):48-50.
6李海花,罗松.基于NGN的物联网国际标准化现状和进展[J].现代电信科技,2011,41(5):8-13. 被引量：1
7俞炳丰,沈传文,张群力,周艳蕊,赵蕊.变频技术在家用电器中应用的现状和进展(下)[J].电器制造商,2002(2):42-43.
8陈党辉,顾瑛,陈曦.国外微电子组装用导电胶的研究进展[J].电子元件与材料,2002,21(2):34-39. 被引量：21
9蔡国良.评述大屏幕投影机的进展[J].电声技术,1998,22(1):23-28.
10裘文荣,王俊华.海底光缆系统ITU-T标准研究进展[J].现代传输,2010(3):62-64.

新材料产业

2003年第6期

浏览历史

内容加载中请稍等...

半导体材料的发展现状被引量：21

参考文献2

共引文献92

同被引文献198

引证文献21

二级引证文献192

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

半导体材料的发展现状 被引量：21

参考文献2

共引文献92

同被引文献198

引证文献21

二级引证文献192

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

半导体材料的发展现状被引量：21