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纳米集成电路用硅基半导体材料

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摘要随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。

作者屠海令石瑛肖清华马通达

机构地区北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心

出处《中国集成电路》 2003年第46期105-110,85,共7页 China lntegrated Circuit

关键词纳米集成电路硅基半导体材料绝缘体上硅锗硅 SIGE SOI 蓝宝石上外延硅键合硅片

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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中国集成电路

2003年第46期

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