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快速制备硅基半导体材料电镜横截面样品新方法——小角度解理技术被引量：1

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摘要小角度解理技术是制备硅基半导体材料电横截面样品和新方法。该方法最显著的特点是采用简单工具，简便快速地沿硅片一一的解理面劈出样品，对材料本身基本无甚影响。

作者苏力 Donn.,SE

出处《材料导报》 CSCD 1996年第A00期169-170,共2页 Materials Reports

关键词小角度解理硅基半导体电镜横截面样品

分类号 TN304.07 [电子电信—物理电子学]

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