摘要
一、引言超大规模集成电路(VLSI)的迅猛发展,使其单位面积上电路图形密度急剧增加,I/O引线数目成倍上升,引线间距不断缩小,因而给它的封装提出了更高的要求。载带自动键合(TAB)技术不仅能实现很薄的封装厚度,极窄的引线间距,还能一次键合成功,减少工时,所以最适合多I/O引线芯片的高密度封装应用。但常规TAB工艺是利用热压或热声原理进行引线键合,键合过程中大的机械键合力(～25kpsi)和相当高的键合温度(～450℃),不仅容易对芯片引起热损伤和机械压力损伤。
出处
《国外激光》
CSCD
1992年第6期26-27,共2页
