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20元长波HgCdTe光导探测器列阵

Twenty Elements (8-14)μm HgCdTe Photoconductive Detector Array
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摘要 本文报道了利用单片工艺和特殊的镶嵌技术,获得了20元HgCdTe光导探测器列阵,并给出探测器列阵性能以及工艺中所需注意的问题。 20 elements HgCdTe photoconductive detector array fabricated by monotitoic and special inlaid technology and theirs performance are reported. Besides, some fabrication problems that must be taken carefully are given.
作者 徐国森
出处 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期38-40,共3页 Laser & Infrared
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