开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

EFFECT OF SWITCH STRUCTURE ON THE OPTICAL PROPERTIES OF a-SiTFT-LCD

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摘要　分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性,讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺、存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比、信号响应与保持特性、图像亮度与对比度等光学特性的影响。 The switch characteristic of aSi thinfilmtransistor in liquid crystal displays is analyzed. The effect of the switch structure, material size of its main functional films, performance parameters, etching fabrication thechnology, storage capacitance and gate pulse delay on the onoff current ration, signal response and storage, image brightness and contrast ratio of aSiTFTLCD are discussed.

作者钱祥忠成建波

机构地区温州师范学院物理与电子信息科学系电子科技大学光电信息学院

出处《应用光学》 CAS CSCD 2003年第1期31-34,共4页 Journal of Applied Optics

基金安徽省教育厅自然科学研究计划项目(2002Rj281)

关键词开关结构 a-SiTFT-LCD 非晶硅薄膜晶体管光学特性功能膜材料液晶显示器 a-Si thin-film-transistor, switch characteristic, a-SiTFT-LCD, optical properties

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学] TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]

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