摘要
本文从制备硅集成电路(SiIc)与砷化镓集成电路(GaAs IC)单片兼容电路的要求出发,提出了Ti/TiW/Au肖特基金属化结构,制备出了性能良好的Ti/TiW/Au栅Si衬底上分子束外延(MBE)的GaAsMESFET与GaAs IC。
We have developed a Ti/TiW/Au gate metallization technique, which can be used for the compatible co-integration of GaAs IC and Si IC. By utilizing Ti/TiW/Au gate metallization, we have obtained good MESFET's and IC's performances of GaAs grown on-Si substrate by molecular beam epitaxy.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期37-40,共4页
Acta Electronica Sinica
基金
国家自然科学基金
关键词
硅衬底
集成电路
砷化镓
兼容
单片
GaAs/Si compatibility, Ti/TiW/Au contact and interconnect, MBE hetero epitaxy
