摘要
硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N^+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N^-/N^+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。
Positron is used for interface defects study in SDB wafer, Interface defects is hole or higher aggregates of vacancies, With the annealling tempreture increasing defects decvcase, resulting in a original silicon.
出处
《电子器件》
CAS
1992年第2期92-94,共3页
Chinese Journal of Electron Devices
