提高3DG131晶体管的优品率与可靠性

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摘要通过对双扩散工艺制作的3DG131失效芯片的显微剖析,革新了常规工艺,采用高温通氮气氧化的退火方法和掺氮氧化的新工艺,可降低热氧化过程中出现的热氧化堆垛层错并消除其影响。结果表明,管芯各项电参数均有明显优化,它对提高芯片的优品率和可靠性取得了比较明显的效果。

作者张显仁曾庆诚

机构地区景德镇三六无线电厂江西大学

出处《电子工艺技术》 1992年第1期20-21,共2页 Electronics Process Technology

关键词晶体管可靠性高温通氮氧化

分类号 TN320.6 [电子电信—物理电子学]

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