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溅射Nb-Ge膜的研究 被引量:1

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摘要 A15 Nb_(3)Ge化合物,仍是目前已发现的超导转变温度最高的超导体,但其T_(c)的高低与制备方法密切相关;用电弧熔炼的大块材料,T_(c)在6K附近,但Matthias等使用快速淬火的办法,可制备T_(c)~17K的样品,用薄膜淀积技术,可成功的制备高T_(c)的A15 Nb_(3)Ge样品。1973年,Gavaler首先用高Ar气压力下直流溅射技术,获得高T_(c)Nb_(3)Ge。
出处 《科学通报》 1981年第16期975-978,共4页 Chinese Science Bulletin
关键词 超导体 T_ Nb-Ge膜
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