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关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性

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摘要 一、引言 验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_(3)Sn,Nb_(3)Al和Nb_(3)Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ_(0)+αT^(2)的规律描写;V_(3)Si的电阻率似乎比T^(2)增加得略快一些;Nb_(3)Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15-25K之间接近T^(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_(3)Si,低温电阻率显示了更快的变化。
作者 雷啸霖
出处 《科学通报》 1981年第20期1249-1252,共4页 Chinese Science Bulletin
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