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n-Ge中的反常霍耳效应被引量：1

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摘要反常霍耳效应的研究,虽然已经取得了不少成果,可是由于对它的理论解释目前还存在很大的分歧,所以至今这方面的实验研究和理论研究还都正在进行之中。到目前为止,在各种半导体样品中,已被发现的全部反常霍耳效应,均出现在低温或超低温区。

作者邢旭

机构地区东北师范大学物理系

出处《科学通报》 1985年第22期1701-1703,共3页 Chinese Science Bulletin

关键词半导体样品超低温反常霍耳效应

分类号 O469 [理学—凝聚态物理]

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同被引文献1

1邢旭,姜伟,王锡绂.用反型层模型探讨n—Ge中的常温反常霍耳效应[J].物理学报,1989,38(7):1210-1214. 被引量：2

引证文献1

1鲁刚.高温热处理后的n—Ge的霍尔效应与电阻率[J].黑龙江大学自然科学学报,1997,14(1):75-77.

1邢旭,杨春芳.常温下n-Ge中的反常电导效应及其与反常霍耳、反常磁致电阻效应的关系[J].科学通报,1987(24):1857-1860.

科学通报

1985年第22期

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