Spinnaker签署肖特基CMOS处理研发协议
出处
《电子工程师》
2002年第12期35-35,共1页
Electronic Engineer
-
1甘体国.肖特基势垒二级管在毫米波集成电路中的应用[J].电讯技术,1994,34(5):12-17. 被引量：5
-
2高效率低漏泄肖特基二级管[J].今日电子,2005(8):106-106.
-
3陈裕权.CW工作的GaSb VCSEL[J].半导体信息,2008,0(5):29-29.
-
4李春梅.简易通用倍频器[J].实用影音技术,1995,0(7):28-29.
-
5Central肖特基整流器采用表面HD DIP封装[J].电力电子,2006,4(3):72-72.
-
6李英,王玉花,王燕,田立林.大束流离子注入形成P-SiCoSi_2/Si肖特基结的电学特性[J].固体电子学研究与进展,2005,25(1):98-101.
-
7李小锋.平面低压降肖特基二极管外延氧化工艺[J].电子制作,2017,25(9):52-53. 被引量：1
-
8王冲,郝跃,张进城.AlGaN/GaN HEMT研制及特性分析[J].西安电子科技大学学报,2005,32(2):234-236. 被引量：8
;
