屏蔽效应对PVD非晶态薄膜微观影响的模拟研究
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1王新,刘楠,向嵘,李野,端木庆铎,田景全.溅射功率对NiO薄膜性质的影响[J].液晶与显示,2011,26(2):158-160. 被引量：1
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2付廷波,程晓农,严学华,刘红飞.磁控溅射法制备ZrW_2O_8薄膜及其性能[J].机械工程材料,2007,31(8):26-28. 被引量：2
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3黄佳木,施萍萍,张新元.工艺参数对WO_x薄膜电致变色特性和结构的影响[J].电子元件与材料,2003,22(10):38-41.
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4于方丽,白宇,秦毅,岳冬,罗才军,杨建锋.PECVD下基底温度对SiC薄膜形态、成分及生长速度的影响[J].无机材料学报,2013,28(2):201-206. 被引量：4
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5尚魁平,冶艳,葛培林,江利,鲍明东.磁控溅射沉积非晶碳膜微结构及电学性能[J].表面技术,2011,40(4):34-37. 被引量：1
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6黄佳木,吕佳,张新元,覃丽禄.工艺参数对磁控溅射TaO_x薄膜离子导体性能的影响[J].材料导报,2005,19(6):123-125. 被引量：1
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7邓洪达,曹献龙,唐笑.碳钢阳极氧化制备氧化铁纳米管阵列薄膜及其形成机理[J].功能材料,2016,47(10):10168-10172.
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8方铭,李青会,干福熹.非化学计量比SbO_x薄膜的结晶动力学研究[J].材料研究学报,2004,18(1):1-5. 被引量：1
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9朱刚强,黄锡金,冯波,葛宝,边小兵.OTS自组装单层膜诱导生长Sb_2S_3薄膜及其生长机理[J].无机化学学报,2010,26(11):2041-2046. 被引量：6
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10黄佳木,吕佳,张新元,覃丽璐.Zr掺杂TaO_x薄膜离子导体性能的研究[J].电子元件与材料,2006,25(5):58-61.
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