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双极型器件制做工艺的发展综述

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摘要本文通过对双极型器件缩小规则的讨论,总述了双极型器件纵向、横向尺寸缩小所引起的工艺发展,并着重介绍了隔离、多晶发射极和自对准这三方面工艺的演变,从而引出Si高速双极型器件的发展趋势。此外,本文还简述了Si异质结双极型器件的优点。

作者何晓阳陈学良

机构地区中国科学院上海冶金研究所微电子学分部

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期5-10,21,共7页 Semiconductor Technology

关键词双极型器件工艺

分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1992年第1期

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