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电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积
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5
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摘要
研究了含Cu^(2+),In^(3+),HSeO_2^+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.
作者
王江山
谭正
糜天英
孙公权
机构地区
中国科学院长春应用化学研究所
通化师范学院化学系
出处
《中国科学（B辑）》
CSCD
北大核心
1991年第6期583-589,共7页
Science in China(Series B)
基金
国家自然科学基金
关键词
电沉积
CUINSE2
薄膜
光电化学
分类号
O644.11 [理学—物理化学]
引文网络
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中国科学（B辑）
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